一种降低晶圆报废率的方法技术

本申请提供一种降低晶圆报废率的方法

【技术实现步骤摘要】
一种降低晶圆报废率的方法、系统及设备


[0001]本申请涉及晶圆加工
，尤其涉及一种降低晶圆报废率的方法
、
系统及设备
。

技术介绍

[0002]屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体
(Shield Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
，简称
SGT MOSFET)
器件是基于场效应晶体管的原理，具有高速
、
低功耗
、
低噪声
、
高可靠性等特点
。
可以应用于各种电子设备中，例如计算机
、
手机
、
平板电脑
、
电视机等
。
在现代电子技术中，屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体器件已经成为一种非常重要的器件，应用范围越来越广泛
。
[0003]在制备屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体器件的过程中，一般需要先在晶圆的表面刻蚀形成对准标记，再对晶圆进行包括多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种降低晶圆报废率的方法，其特征在于，包括以下步骤：对晶圆的多晶硅层的表面进行平坦化处理；在平坦化处理后的所述晶圆的表面形成对准标记
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用化学机械抛光对晶圆的多晶硅层的表面进行平坦化处理
。3.
根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述晶圆的多晶硅层经过多晶硅回刻的步骤后形成
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对准标记包括第一对准标记和第二对准标记
。5.
根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一对准标记和所述第二对准标记关于所述晶圆的中心对称
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶圆的尺寸为8寸，所述晶圆的表面设置缺口
。7.
根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一对准标记在坐标系中的坐标点为
(77mm
，
54mm)
，所述第二对准标记在所述坐标系中的坐标点为
(
‑
77mm
，

【专利技术属性】
技术研发人员：宋强，李鹏，董岂凡，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：