高迁移率的制造技术

一种高迁移率的

【技术实现步骤摘要】
高迁移率的X
‑
IZO磁控溅射靶材的制备方法与装置


[0001]本专利技术属于
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备
，具体涉及一种高迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备方法与装置
。

技术介绍

[0002]氧化铟锌 (IZO) 溅射靶材以其高电导率和光学透明度而出众
。
这些属性使它们非常适合光电子应用，尤其是在制造平板显示器和薄膜太阳能电池方面
。
这些靶材的高纯度确保了具有一致性能的膜的制造，支持生产出性能和可靠性优越的设备
。
随着全球对节能设备和可再生能源解决方案的需求加剧，
IZO 溅射靶材在这些领域的重要性将继续增长
。
[0003]而掺杂稀土元素
X
的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材由于其性能优越而越来越得到广泛的运用，而其制备方法正如专利申请号为“202211616130.9”且专利名称为“一种氧化铟锌掺杂稀土金属靶材及其制备”的现有技术方案所记载，在具体运用中，该制备方法取得的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材迁移率不高，只有不到
27.0cm2/V
·
s
，这越来越无法满足对
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的高迁移率的要求
。
[0004]另外在上述现有技术方案所提及的研磨要用到研磨机，而目前运用的研磨机普遍运用棘牙盘间的咬合执行细粒化，然而都没考虑棘牙盘咬合粗粒伴着研磨时长的加大，棘牙盘间的缝隙中会集聚大量的细粒，占用了粗粒的区间，使得粗粒很少的送进乃至不能送进到棘牙盘间的缝隙中，这样就要对其执行整理才行，且研磨后细粒要粒径达标，还要接着执行过滤出粒径达标的细粒，加多了迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备方法的流程也就不利于研磨的高效性
。

技术实现思路

[0005]为解决现有技术中具有的不足，本专利技术提出一种高迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备方法与装置，经由圆条状的研磨条与研磨圈结合，加大了对颗粒物的研磨区域大小，让一次研磨的粗粒量加多，提升了研磨的高效性；过滤设备与簸箕状片状体结合可让粒径未达标的粗粒主动坠下执行重新研磨，不必研磨后接着执行再行执行过滤的流程，减少了迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备方法的流程，更为改善了研磨的高效性之际还改善了研磨的粒径达标量
。
经由变动用马达驱使棘牙盘组联动，以此达成间断变动研磨条动作壁的运作，让研磨条的各处都可均衡的同研磨圈结合运作，不光可减轻研磨条的剐蹭，减小研磨条产生不小一应变量的可能性，还能让研磨条与研磨圈维持匹配态可减轻杂声的产生；且运用年限更高，更能减小花销费用；在上部板的四边经由衔接条相连刷件，因为刷件下部设为簸箕状且同研磨圈上壁相贴，所以运用刷件伴着上部板旋动时的牵引功能把集聚在弧度中的粗粒移出，且引导相连在筒件下壁上的承载台，以此运用研磨部的运作来达成共同整理研磨圈弧度集聚粗粒的动能，且刷件外边沿贴附在筒件内面，可共同对筒件上部的内面执行整理，让筒件内面维持平滑态，减小坠下的粗粒黏接在内面上，减轻了之后的筒件整
理任务量；本专利技术的制备方法有效提升了
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的迁徙率，其不低于
34.7cm2/V
·
s。
[0006]本专利技术运用如下的技术方案
。
[0007]一种高迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备方法，包括如下步骤：
S1,
把
ZnO
的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒一；
S2,
把稀土金属氧化物的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒二；
S3,
把
In2O3的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒三；
S4,
把相应重量份数的细粒一
、
细粒二和细粒三添进黏接剂和活性剂后混合拌匀后取得混合物；
S5,
把混合物粒化
、
成形初始品与烧结后最终取得
X
‑
IZO
磁控溅射靶材
。
[0008]优选地，
ZnO
的粗粒的粒径
、
稀土金属氧化物的粗粒的粒径与
In2O3的粗粒的粒径为1毫米
~3
毫米，细粒一的粒径为
0.08
微米
~0.6
微米，细粒二的粒径为
0.06
微米
~0.6
微米，细粒三的粒径为
0.1
微米
~1.1
微米
。
[0009]优选地，混合物中的细粒一
、
细粒二和细粒三相应的重量份数分别为
70
～
102
份
、0.18
～
0.26
份和
5.7
～
13.9
份；黏接剂占细粒一
、
细粒二和细粒三总共重量的
12%~18%
，活性剂占细粒一
、
细粒二和细粒三总共重量的
0.2%~3.6%。
[0010]优选地，把
ZnO
的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒一期间，研磨件的伺服马达的转速为
1200
转
/
分钟～
1400
转
/
分钟，研磨用时6小时～9小时；把稀土金属氧化物的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒二期间，研磨件的伺服马达的转速为
1200
转
/
分钟～
1400
转
/
分钟，研磨用时6小时～9小时；把
In2O3的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒三期间，研磨件的伺服马达的转速为
1200
转
/
分钟～
1400
转
/
分钟，研磨用时8小时～
12
小时
。
[0011]优选地，把混合物粒化的方法包含：把混合物倒入离心喷雾干燥机内干燥粒化而得粒化物，在干燥粒化期间离心喷雾干燥机的进风温度为
180℃
；排风温度为
90℃~110℃。
[0012]优选地，成形初始品的方法包括：先把粒化物装入模具后，接着送入摩擦压力机初步成形，然后送进冷等静压机内依照
3 .2
兆帕
/
分钟～
4.6
兆帕
/
分钟的升压速度升压至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括：
S1,
把
ZnO
的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒一；
S2,
把稀土金属氧化物的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒二；
S3,
把
In2O3的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒三；
S4,
把相应重量份数的细粒一
、
细粒二和细粒三添进黏接剂和活性剂后混合拌匀后取得混合物；
S5,
把混合物粒化
、
成形初始品与烧结后最终取得
X
‑
IZO
磁控溅射靶材；把混合物粒化的方法包含：把混合物倒入离心喷雾干燥机内干燥粒化而得粒化物，在干燥粒化期间离心喷雾干燥机的进风温度为
180℃
；排风温度为
90℃~110℃
；成形初始品的方法包括：先把粒化物装入模具后，接着送入摩擦压力机初步成形，然后送进冷等静压机内依照
3 .2
兆帕
/
分钟～
4.6
兆帕
/
分钟的升压速度升压至
262
兆帕～
264
兆帕，稳压
0.25
小时～
0.5
小时后依照
3 .2
兆帕
/
分钟～
4.6
兆帕
/
分钟的降压速度执行降压，降压到常压后卸掉模具，以此成形出初始品；烧结的方法包含：把初始品送进烧结炉，温度控制在
520℃
～
610℃
执行去胶，接着降温到
26℃
后，往烧结炉内送进
O2且让
O2的压强维持为
0 .4
兆帕，升温至
1400℃~1580℃
执行烧结，取得高迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材；升温速度是
2℃~5℃/
分钟，升温后的恒温用时保温时间为9小时～
13
小时
。2.
根据权利要求1所述的高迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备方法，其特征在于，
ZnO
的粗粒的粒径
、
稀土金属氧化物的粗粒的粒径与
In2O3的粗粒的粒径为1毫米
~3
毫米，细粒一的粒径为
0.08
微米
~0.6
微米，细粒二的粒径为
0.06
微米
~0.6
微米，细粒三的粒径为
0.1
微米
~1.1
微米
。3.
根据权利要求1所述的高迁移率的
X
‑
IZO
磁控溅射靶材的制备方法，其特征在于，混合物中的细粒一
、
细粒二和细粒三相应的重量份数分别为
70
～
102
份
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊涛，孔伟华，刘秉宁，刘洪强，马贺，
申请(专利权)人：江苏迪纳科精细材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：