【技术实现步骤摘要】
一种亮度自适应发光二极管及其制备方法
[0001]本专利技术涉及一种亮度自适应发光二极管及其制备方法，属于光电子
。
技术介绍
[0002]LED
作为最受重视的光源技术之一，其一方面具有体积小的特征；另一方面具备低电流
、
低电压驱动的省电特性；同时它还具有结构牢固
、
抗冲击和抗震能力强，超长寿命等众多优点，因此在数码显示
、
瞄准等领域有着广泛的应用
。
在实际使用中，这些光源有的亮度不能调节，有的需要设计复杂的电路进行手动调节，对使用者带来不便
。
[0003]光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件
。
当光线照射
PN
结时，可以使
PN
结中产生电子
‑
空穴对，使少数载流子的密度增加，这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加，因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流
。
为此，提出本专利技术，集成
LED
和光敏二极管，实现二极管亮度的自动调节
。
技术实现思路
[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供一种亮度自适应发光二极管，将
LED
芯片和光敏二极管在制备过程中集成到一起，能够根据周围的环境亮度变化，自动调节发光二极管的亮度
。
[0005]本专利技术还提供上述亮度自适应发光二极管的制备方法
。
[0006]本专利技术的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种亮度自适应发光二极管，其特征在于，包括衬底，衬底下侧设置有背金电极，衬底上一侧依次设置有绝缘层
、
键合层，键合层一侧依次设置有电流扩展层
、P
型欧姆接触层
、
多量子阱层和
N
型欧姆接触层，
N
型欧姆接触层上设置有
N
型欧姆接触金属，键合层另一侧设置有
P
型欧姆接触金属，绝缘层
、
键合层
、
电流扩展层
、P
型欧姆接触层
、
多量子阱层
、N
型欧姆接触层
、N
型欧姆接触金属和
P
型欧姆接触金属组成
LDE
芯片；衬底另一侧内置有
P
+
区，
P
+
区两侧分别设置有
N
+
区，衬底上对应设置有光敏二极管正极和光敏二极管负极，
P
+
区
、N
+
区
、
光敏二极管正极和光敏二极管负极组成光敏二极管，光敏二极管和
LDE
芯片上均设置有
DBR
层，光敏二极管正极
、N
型欧姆接触金属和
P
型欧姆接触金属上侧的
DBR
层开设有电极窗口，光敏二极管正极和
N
型欧姆接触金属通过焊线电极连接，
P
型欧姆接触金属通过电极窗口连接有焊线电极
。2.
如权利要求1所述的亮度自适应发光二极管，其特征在于，衬底为
N
型单晶硅衬底，厚度为
7000
埃，电阻率为
150
‑
450
Ω
·
cm
；
N
+
区注入深度为
3000
‑
5000
埃，电阻为
10
‑
20
Ω
，
P
+
区注入深度为
3500
‑
5500
埃，电阻为
40
‑
60
Ω
；光敏二极管正极和光敏二极管正极负极的电极材料为
Al
，焊线电极的电极材料为
Al
，背金电极材料为
TiAu。3.
如权利要求2所述的亮度自适应发光二极管，其特征在于，绝缘层材质为
SiO2，厚度为
1um
，电流扩展层为
ITO、ZnO
或
GZO
，键合层采用
SiO2或高分子聚合物
。4.
如权利要求1‑3任一项所述的亮度自适应发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤如下：
(1)
在衬底表面热生长氧化层，然后通过光刻
、
刻蚀形成
N
+
隔离窗口；
(2)
通过扩散注入
P
源形成
N
+
区，然后去除氧化层；
(3)
在衬底表面继续热生长
5000
埃的氧化层，然后通过光刻
、
刻蚀形成
P
+
隔离窗口；
(4)
通过扩散注入
B
源形成
P
+
区...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴向龙，闫宝华，王成新，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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