一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，包括：(1)在二极管外延片的上P面制备硅基介质层。(2)以该硅基介质层为掩膜，对外延片的N面化学减薄。(3)在减薄后的所述N面蒸镀金属，然后通过光刻、腐蚀、去胶，得到N面电极。(4)在所述P面上形成P面欧姆接触图形，然后蒸镀金属，处理得到P面欧姆接触层。然后通过光刻、蒸镀、剥离工序在所述欧姆接触层上制备P面电极。(5)在所述P面电极上制备硅基介质层，将其处理成粗化掩膜。最后将得到的外延片进行全切，然后进行粗化，完成后去除所述硅基介质层，即得发光二极管芯片。本发明专利技术通过采用介质膜代替现有技术的光刻胶作为掩膜，在简化流程的同时，大幅提升了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及近红外发光二极管，具体涉及一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法。

技术介绍

1、本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

2、近红外发光二极管是一种将电能转换为光能的近红外发光器件，它具有体积小、功耗低、指向性好等一系列优点，广泛用于遥控、逗测、光隔离、光开关、光电控制、目标跟踪等系统。对于波长＞900nm的近红外发光二极管，由于gaas衬底在此波段具有较高的透过率，采用传统的正装工艺即可完成制作。但为了提高芯片亮度，在完成芯片的全切后还需要对其侧壁进行粗化工艺，导致整个芯片制程中，需要多次涂覆光刻胶制作腐蚀、粗化的掩膜，然后进行去胶工艺，因此流程复杂(参考说明书附图1)，同时多次涂胶及去胶也会造成芯片良率的降低。

技术实现思路

1、针对上述问题，本专利技术提供一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其通过采用介质膜代替现有技术的光刻胶作为掩膜，在简化了工艺流本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述外延片为采用LPE、MOVPE或者MOCVD生长的三元或者四元外延片。

3.根据权利要求1所述的正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)和(6)中，所述硅基介质层的材质包括SiO2、SiON、SiN中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)和(6)中，所述硅基介质层的厚度为

5.根据权利要求1所述的正...

【技术特征摘要】

1.一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述外延片为采用lpe、movpe或者mocvd生长的三元或者四元外延片。

3.根据权利要求1所述的正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)和(6)中，所述硅基介质层的材质包括sio2、sion、sin中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)和(6)中，所述硅基介质层的厚度为

5.根据权利要求1所述的正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述化学减薄采用的腐蚀液由浓硫酸、双氧水和水混合而成；可选地，所述浓硫酸：双氧水：水的体积比为2：1：1～5：1：1。

6.根据权利要求1所述的正极性近红外发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴向龙，闫宝华，王成新，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：