温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，包括：(1)在二极管外延片的上P面制备硅基介质层。(2)以该硅基介质层为掩膜，对外延片的N面化学减薄。(3)在减薄后的所述N面蒸镀金属，然后通过光刻、腐蚀、去胶，得到N面电极。(4)在所述...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。