显示装置制造方法及图纸

显示装置包括：基础衬底；第一有源图案，设置在基础衬底上；第二有源图案，设置在第一有源图案上并且包括与第一有源图案的材料不同的材料；以及层间绝缘层，设置在第二有源图案上并且在层间绝缘层的表面上具有Si

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本专利技术的实施方式涉及显示装置和制造显示装置的方法。

技术介绍

[0002]显示装置通常包括显示区域和非显示区域。像素可以设置在显示区域中，并且用于驱动像素的驱动器和布线可以设置在非显示区域中。当在显示装置的制造工艺中瞬时产生的静电通过衬底充电时，显示装置中的绝缘层或晶体管可能被损坏。

技术实现思路

[0003]实施方式提供了显示装置，在该显示装置中减少了由于静电导致的显示装置中的缺陷。
[0004]实施方式提供了制造显示装置的方法。
[0005]根据实施方式的显示装置包括：基础衬底；第一有源图案，设置在基础衬底上；第二有源图案，设置在第一有源图案上并且包括与第一有源图案的材料不同的材料；以及层间绝缘层，设置在第二有源图案上并且在层间绝缘层的表面上具有Si
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O键和Si
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F键，其中，穿过层间绝缘层限定有接触孔，并且层间绝缘层的表面上的Si
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O键的数量大于层间绝缘层的表面上的Si
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F键的数量。
[0006]在实施方式中，层间绝缘层的表面可以具有亲水性。
[0007]在实施方式中，基于Si
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O键与Si
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F键的比率可以确定层间绝缘层的表面粗糙度、表面能和接触角。
[0008]在实施方式中，层间绝缘层的表面粗糙度的均方根可以是约0.1纳米(nm)或更小，并且层间绝缘层的表面粗糙度的峰
‑
谷值可以是约3.0nm或更小。
[0009]在实施方式中，层间绝缘层的接触角可以是约16
°
或更小。
[0010]在实施方式中，层间绝缘层可以包括氮化硅。
[0011]在实施方式中，第一有源图案可以包括硅半导体，以及第二有源图案可以包括氧化物半导体。
[0012]制造根据实施方式的显示装置的方法包括：在基础衬底上提供第一有源图案；在第一有源图案上提供包括与第一有源图案的材料不同的材料的第二有源图案；在第二有源图案上提供层间绝缘层；穿过层间绝缘层形成接触孔；以及在层间绝缘层上辐射紫外线。
[0013]在实施方式中，可以使用含氟的蚀刻气体形成接触孔。
[0014]在实施方式中，当形成接触孔时，层间绝缘层的表面上的Si
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F键的数量可以增加。
[0015]在实施方式中，当辐射紫外线时，层间绝缘层的表面上的Si
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F键的数量可以减少，并且层间绝缘层的表面上的Si
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O键的数量可以增加。
[0016]在实施方式中，在层间绝缘层上辐射紫外线之后，层间绝缘层的表面上的Si
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O键的数量可以大于层间绝缘层的表面上的Si
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F键的数量。
[0017]在实施方式中，在层间绝缘层上辐射紫外线之后，层间绝缘层的表面可以具有亲
水性。
[0018]在实施方式中，在层间绝缘层上辐射紫外线之后，层间绝缘层的表面粗糙度、表面能和接触角可以减小。
[0019]在实施方式中，层间绝缘层的表面上的Si
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O键的数量的增加可以源自环境空气。
[0020]在实施方式中，紫外线可以具有在约140nm到约180nm的范围内的波长。
[0021]在实施方式中，可以将基础衬底设置在载体衬底上，并且当在层间绝缘层上辐射紫外线时，可以通过辊移动载体衬底，并且由载体衬底和辊之间的摩擦产生的静电的平均量可以是约300伏(V)或更小。
[0022]在实施方式中，载体衬底可以通过辊以约4米/分钟(m/min)到约6m/min的范围内的速度移动，以及紫外线可以辐射约5秒到约10秒。
[0023]在实施方式中，在层间绝缘层上辐射紫外线之后，可以用蒸馏水冲洗层间绝缘层的表面。
[0024]如本文中描述的，根据本专利技术的实施方式的显示装置可以包括在表面上具有Si
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O键和Si
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F键的层间绝缘层，并且在层间绝缘层的表面上，Si
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O键的数量可以大于Si
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F键的数量。因此，可以减少在显示装置的制造工艺中产生的静电的量，并且可以减少由于静电导致的显示装置的缺陷。
[0025]另外，根据制造根据本专利技术的实施方式的显示装置的方法，在形成穿透层间绝缘层的接触孔之后，可以在层间绝缘层上辐射紫外线。因此，在层间绝缘层的表面上，Si
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O键的数量可以大于Si
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F键的数量。因此，可以减少静电的量，并且可以减少由于静电导致的显示装置的缺陷。
[0026]将理解，前面的概括性描述和下面的详细描述两者都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本专利技术的进一步解释。
附图说明
[0027]通过下面结合附图的详细描述，将会更清楚地理解说明性的、非限制性的实施方式。
[0028]图1是示出根据实施方式的显示装置的平面图。
[0029]图2是包括在图1的显示装置中的像素的电路图。
[0030]图3是示出图1的显示装置的剖视图。
[0031]图4是包括在图3的显示装置中的层间绝缘层的表面的放大图。
[0032]图5至图13是示出制造图3的显示装置的方法的步骤的剖视图。
[0033]图14是示出制造根据可选的实施方式的显示装置的方法的步骤的剖视图。
具体实施方式
[0034]现在将在下文中参考其中示出多个实施方式的附图更全面地描述本专利技术。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本专利技术的范围。在全文中，相同的附图标记表示相同的元件。
[0035]将理解，当一个元件被称为“在”另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上，
或在它们之间可以存在介于中间的元件。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，不存在介于中间的元件。
[0036]将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或区段，但是这些元件、组件、区、层和/或区段不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或区段与另一个元件、组件、区、层或区段区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一区段”可以称为第二元件、第二组件、第二区、第二层或第二区段。
[0037]本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另外清楚地指示，否则如本文中所使用的，“一(a)”、“一(an)”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基础衬底；第一有源图案，设置在所述基础衬底上；第二有源图案，设置在所述第一有源图案上并且包括与所述第一有源图案的材料不同的材料；以及层间绝缘层，设置在所述第二有源图案上并且在所述层间绝缘层的表面上具有Si
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O键和Si
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F键，其中，穿过所述层间绝缘层限定有接触孔；以及其中，所述层间绝缘层的所述表面上的所述Si
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O键的数量大于所述层间绝缘层的所述表面上的所述Si
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F键的数量。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述层间绝缘层的所述表面具有亲水性。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述层间绝缘层的表面粗糙度、表面能和接触角基于所述Si
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O键与所述Si
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F键的比率确定。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述层间绝缘层包括氮化硅。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有源图案包括硅半导体，以及所述第二有源图案包括氧化物半导体。6.一种制造显示装置的方法，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴瑛玉，申沅哲，沈忠韩，李东桓，林相永，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：