MiP制造技术

技术编号：39749617 阅读：12 留言：0更新日期：2023-12-17 23:47

本发明专利技术提供一种

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【技术实现步骤摘要】
MiP结构及其制备方法、红光LED芯片及其制备方法

[0001]本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种
MiP
结构及其制备方法
、
红光
LED
芯片及其制备方法
。

技术介绍

[0002]MIP(Micro LED in Package)
是一种基于
Micro LED
的新型封装架构；
MIP
技术指
Micro LED
芯片在前段工艺上进行芯片级封装，封装后的
MIP
可再封装
MCOB。
[0003]现有的
MiP
的技术是，具体为：通过巨量转移的方式，将
RGB
三色
Micro LED
芯片转移到透明基板上，然后通过芯片级封装技术，将三个或多个
Micro LED
芯片，封装成一颗更大的芯片，该封装后的芯片即为
(MiP:Micro LED in Package)。
[0004]然而现有的
MIP
技术由于
RGB
三色
LED
芯片不在同一
Water(
基底
)
上，故需要转移三次，而转移次数越多，良率的损失越大
。
此外，由于
RGB
三色
LED
芯片存在显示驱动
、
温漂色偏
、
波长偏移等差异，给
MIP<...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
MiP
结构，其特征在于，包括：基板；若干像素阻挡墙，所述若干像素阻挡墙形成于所述基板上，且沿第一方向排列；第一像素组，所述第一像素组包括：红光像素单元
、
绿光像素单元以及蓝光像素单元；所述红光像素单元
、
所述绿光像素单元以及所述蓝光像素单元沿所述第一方向分别形成于相邻所述像素阻挡墙之间；其中，所述红光像素单元包括：依次堆叠于所述基板上的第一彩膜层
、
第一色转换层以及第一
LED
芯片；所述绿光像素单元包括：依次堆叠于所述基板上的第二彩膜层
、
第一结构层以及第二
LED
芯片；所述蓝光像素单元包括：依次堆叠于所述基板上的第三彩膜层
、
第二结构层以及所述第一
LED
芯片；所述第一
LED
芯片为蓝色
Micro LED
芯片或
UV Micro LED
芯片；第一遮光封装层，所述第一遮光封装层填充于相邻的
LED
芯片之间的空隙中；其中至少所述红光像素单元与所述蓝光像素单元中的所述第一
LED
芯片，通过巨量转移的方式一次性转移到对应的位置
。2.
根据权利要求1所述的
MiP
结构，其特征在于，当所述第一
LED
芯片是蓝色
Micro LED
芯片时，所述第二结构层是散射层
。3.
根据权利要求2所述的
MiP
结构，其特征在于，当所述第一
LED
芯片是蓝色
Micro LED
芯片时，所述第二
LED
芯片是绿色
Micro LED
芯片或蓝色
Micro LED
芯片；当所述第二
LED
芯片是绿色
Micro LED
芯片时，所述第一结构层是散射层；当所述第二
LED
芯片是篮色
Micro LED
芯片时，所述第一结构层是散射层
。4.
根据权利要求1所述的
MiP
结构，其特征在于，当所述第一
LED
芯片与所述第二
LED
芯片是
UV Micro LED
芯片时，所述第一结构层是第二色转换层，所述第二结构层是第三色转换层
。5.
根据权利要求3‑4任一项所述的
MiP
结构，其特征在于，所述第一遮光封装层中添加有第一金属氧化物，用于增加光程
。6.
根据权利要求5所述的
MiP
结构，其特征在于，每个像素单元中对应的
LED
芯片的数量为两个及以上；且同一像素单元中的
LED
芯片的类型相同，每个像素单元中的各
LED
芯片之间串联连接
。7.
根据权利要求6所述的
MiP
结构，其特征在于，所述第一
LED
芯片与所述第二
LED
芯片均分别包括：第一
LED
结构以及阴极与阳极；所述阴极与所述阳极形成于对应的所述第一
LED
结构的顶端，且沿所述第一方向排列
。8.
根据权利要求7所述的
MiP
结构，其特征在于，所述
MiP
结构还包括：第一金属层和第二金属层；所述第一金属层和所述第二金属层第二金属层分别形成于所述阴极与所述阳极的顶端，且分别与所述阴极与所述阳极电性连接，用于引出所述阴极与所述阳极；绝缘保护层；所述绝缘保护层形成于所述第一
LED
芯片
、
所述第二
LED
芯片以及所述第一遮光封装层的顶端
。9.
根据权利要求8所述的
MiP
结构，其特征在于，所述
MiP
结构还包括：第一电极连接层；用于连接同一像素单元中，两个
LED
芯片之间的所述第二金属层与所
述第一金属层；其中，所述绝缘保护层还覆盖所述第二金属层与所述第一金属层，且暴露出部分所述第一金属层
。10.
根据权利要求9所述的
MiP
结构，其特征在于，同一像素单元中的各
LED
芯片通过缓冲层连接在一起，以将同一像素单元中的所有
LED
芯片在物理上形成一整体
。11.
根据权利要求
10
所述的
MiP
结构，其特征在于，在
LED
芯片堆叠至所述基板上的对应层之前，所有像素单元中的所有
LED
芯片的缓冲层连接在一起；且在
LED
芯片堆叠至所述基板上的对应层之后，不同像素单元之间的对应的缓冲层被分离
。12.
根据权利要求
11
所述的
MiP
结构，其特征在于，所述
MiP
结构包括：若干所述第一像素组；所述若干第一像素组沿所述第一方向依次排列；第一电极连接结构；所述第一电极连接结构连接所述暴露出来的所述第一金属层，所述第一电极连接结构及与其连接的所述第一金属层，构成若干所述第一像素组的阴极互连结构
。13.
根据权利要
12
所述的
MiP
结构，其特征在于，所述
MiP
结构还包括：图形化的胶层；所述第一
LED
芯片与所述第二
LED
芯片通过所述图形化的胶层粘结于对应的所述第一色转换层
、
所述第一结构层以及所述第二结构层的上方；第一平坦化层；所述第一平坦化层形成于所述像素阻挡墙
、
所述第一彩膜层
、
所述第二彩膜层以及所述第三彩膜层的表面；第一无机隔离层；所述第一无机隔离层覆盖于所述第一平坦层的表面；第二平坦化层；所述第二平坦化层覆盖所述第一色转换层
、
所述第一结构层以及所述第二结构层的表面；第二无机隔离层；所述第二无机隔离层形成于所述第二平坦化层的表面
。14.
根据权利要求
13
所述的
MiP
结构，其特征在于，所述第一色转换层
、
所述第二色转换层或所述第三色转换层是量子点色转换层
。15.
一种
MiP
结构的制备方法，用于制备权利要求1‑
14
任一项所述的
MiP
结构，其特征在于，包括：提供一所述基板；形成所述若干像素阻挡墙，所述若干像素阻挡墙形成于所述基板上，且沿所述第一方向排列；形成所述第一像素组，所述第一像素组包括：所述红光像素单元
、
所述绿光像素单元以及所述蓝光像素单元；所述红光像素单元
、
绿光像素单元以及所述蓝光像素单元沿所述第一方向分别形成于相邻所述像素阻挡墙之间；其中，所述红光像素单元包括：依次堆叠于所述基板上的所述第一彩膜层
、
所述第一色转换层以及所述第一
LED
芯片；所述绿光像素单元包括：依次堆叠于所述基板上的所述第二彩膜层
、
所述第一结构层以及所述第二
LED
芯片；所述蓝光像素单元包括：依次堆叠于所述基板上的所述第三彩膜层
、
所述第二结构层以及所述第一
LED
芯片；所述第一
LED
芯片为所述蓝光
LED
芯片或所述
UV Micro LED
芯片；其中，至少所述红光像素单元与所述蓝光像素单元中的所述第一
LED
芯片，通过巨量转移的方式一次性转移到对应的位置；形成所述第一遮光封装层，所述第一遮光封装层填充于相邻
LED
芯片之间的空隙中
。16.
根据权利要求
15
所述的
MiP
结构的制备方法，其特征在于，形成第一像素组具体包括：
形成所述第一彩膜层
、
所述第二彩膜层以及所述第三彩膜层；所述第一彩膜层
、
所述第二彩膜层以及所述第三彩膜层形成于所述像素阻挡墙之间暴露出来的所述基板上，且沿所述第一方向分别排列；形成所述第一色转换层
、
所述第一结构层以及所述第二结构层；所述第一色转换层
、
所述第一结构层以及所述第二结构层依次形成于对应的所述第一彩膜层
、
所述第二彩膜层以及所述第三彩膜层的顶端；形成若干所述第一
LED
芯片与所述第二
LED

【专利技术属性】
技术研发人员：邹春园，
申请(专利权)人：东莞市日昇光电有限公司，
类型：发明
国别省市：

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