MiP制造技术

本发明专利技术提供了一种

【技术实现步骤摘要】
MiP芯片及制备方法、红光LED芯片及制备方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及
LED
芯片领域，尤其涉及一种
MiP
芯片及制备方法
、
红光
LED
芯片及制备方法
、
显示装置
。

技术介绍

[0002]MIP(Micro LED in Package)
是一种基于
Micro LED
的新型封装架构；
MIP
技术指
Micro LED
芯片在前段工艺上进行芯片级封装，封装后的
MIP
可再封装
MCOB。
[0003]现有的
MiP
的技术是，具体为：通过巨量转移的方式，将
RGB
三色
Micro LED
芯片转移到透明基板上，然后通过芯片级封装技术，将三个或多个
Micro LED
芯片，封装成一颗更大的芯片，该封装后的芯片即为
(MiP:Micro LED in Package)。
[0004]然而现有的
MIP
技术由于
RGB
三色
LED
芯片不在同一
Water(
基底
)
上，故需要转移三次，而转移次数越多，良率的损失越大
。
此外，由于
RGB
三色
LED
芯片存在显示驱动
、
温漂色偏<br/>、
波长偏移等差异，给
MIP
的量产带来了瓶颈问题
。
[0005]另外，现有的
MiP
的技术中通常在
Glass
基底上制作
MIP
芯片，因而需要再制作完成后，再将
Glass
基底减薄或割断，工艺复杂，且
Glass
基底厚度较大，割断工艺难度大，
[0006]因而，研发一种新型
MIP
结构和制备工艺，以解决现有技术中存在的上述问题，成为本领域技术人员亟待要解决的技术重点
。

技术实现思路

[0007]本专利技术提供一种
MiP
芯片及制备方法
、
红光
LED
芯片及制备方法
、
显示装置，以解决因巨量转移过程次数过多造成的良率损失，以及传统红光
microLED
芯片中存在的出光缺陷的问题的同时，同时解决后续对生长基板进行薄化处理以及切割处理导致的工艺难度大
、
成本高等问题
。
[0008]根据本专利技术的第一方面，提供了一种
MiP
芯片，包括：
[0009]第一薄化基板；
[0010]第一金属层
、
第二金属层以及第一电极连接结构；
[0011]第一保护结构；
[0012]MIP
芯片结构；包括：若干像素阻挡墙与第一像素组；所述若干像素阻挡墙沿第一方向排列；所述第一像素组包括：红光像素单元
、
绿光像素单元以及蓝光像素单元；其中，所述红光像素单元包括：沿第二方向依次堆叠的第一
LED
芯片
、
第一色转换层以及第一彩膜层；所述绿光像素单元包括：沿第二方向依次堆叠的第二
LED
芯片
、
第一结构层以及第二彩膜层；所述蓝光像素单元包括：沿第二方向依次堆叠的第一
LED
芯片
、
第二结构层以及第三彩膜层；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第一
LED
芯片为蓝色
Micro LED
芯片或
UV Micro LED
芯片；所述第一色转换层
、
所述第一结构层
、
以及所述第二结构层沿所述第一方向分别形成于相邻所述像素阻挡墙之间；其中，至少所述红光像素单元与所述蓝光像素单元中的所述第一
LED
芯片，通过巨量转移的方式一次性转移到对应的位置；
[0013]其中，所述第一金属层和所述第二金属层分别对应形成于所述第一薄化基板的第一面；若干
LED
芯片的阴极与阳极分别对应形成于所述第一金属层与所述第二金属层的表面；所述第一电极连接结构对应形成于所述第一薄化基板的第二面，且贯穿所述第一薄化基板，以连接对应的一所述第一金属层与一所述第二金属层；所述第一面与所述第二面相对设置；
[0014]其中，所述第一保护结构包裹所述
MIP
芯片结构，且暴露出所述
MIP
芯片结构的第一面；所述第一面表征了
MIP
芯片结构中形成
LED
芯片的一面
。
[0015]可选的，所述第一薄化基板的的厚度为：
0.01
～
0.3mm。
[0016]可选的，所述第一保护结构的材料为：透明有机树脂或透明塑料
。
[0017]可选的，所述第一色转换层
、
所述第一结构层
、
以及所述第二结构层，分别形成于对应的所述若干像素阻挡层之间的所述第一薄化基板上，且包裹对应的所述第一
LED
芯片与所述第二
LED
芯片
。
[0018]可选的，所述
MIP
芯片结构还包括：
[0019]若干平坦化结构，形成于相邻的
LED
芯片之间的所述第一薄化基板的表面；其中，所述若干像素阻挡墙形成于对应的所述若干平坦化结构的顶端
。
[0020]可选的，当所述第一
LED
芯片是蓝色
Micro LED
芯片时，所述第二结构层是散射层
。
[0021]可选的，当所述第一
LED
芯片是蓝色
Micro LED
芯片时，所述第二
LED
芯片是绿色
Micro LED
芯片或蓝色
Micro LED
芯片；当所述第二
LED
芯片是绿色
Micro LED
芯片时，所述第一结构层是散射层；当所述第二
LED
芯片是篮色
Micro LED
芯片时，所述第一结构层是散射层第二色转换层
。
[0022]可选的，当所述第一
LED
芯片与所述第二
LED
芯片是
UV Micro LED
芯片时，所述第一结构层是第二色转换层，所述第二结构层是第三色转换层
。
[0023]可选的，每个像素单元中对应的
LED
芯片的数量为两个及以上；且同一像素单元中的<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
MiP
芯片，其特征在于，包括：第一薄化基板；第一金属层
、
第二金属层以及第一电极连接结构；第一保护结构；
MIP
芯片结构；包括：若干像素阻挡墙与第一像素组；所述若干像素阻挡墙沿第一方向排列；所述第一像素组包括：红光像素单元
、
绿光像素单元以及蓝光像素单元；其中，所述红光像素单元包括：沿第二方向依次堆叠的第一
LED
芯片
、
第一色转换层以及第一彩膜层；所述绿光像素单元包括：沿第二方向依次堆叠的第二
LED
芯片
、
第一结构层以及第二彩膜层；所述蓝光像素单元包括：沿第二方向依次堆叠的第一
LED
芯片
、
第二结构层以及第三彩膜层；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第一
LED
芯片为蓝色
Micro LED
芯片或
UV Micro LED
芯片；所述第一色转换层
、
所述第一结构层
、
以及所述第二结构层沿所述第一方向分别形成于相邻所述像素阻挡墙之间；其中，至少所述红光像素单元与所述蓝光像素单元中的所述第一
LED
芯片，通过巨量转移的方式一次性转移到对应的位置；其中，所述第一金属层和所述第二金属层分别对应形成于所述第一薄化基板的第一面；若干
LED
芯片的阴极与阳极分别对应形成于所述第一金属层与所述第二金属层的表面；所述第一电极连接结构对应形成于所述第一薄化基板的第二面，且贯穿所述第一薄化基板，以连接对应的一所述第一金属层与一所述第二金属层；所述第一面与所述第二面相对设置；其中，所述第一保护结构包裹所述
MIP
芯片结构，且暴露出所述
MIP
芯片结构的第一面；所述第一面表征了
MIP
芯片结构中形成
LED
芯片的一面
。2.
根据权利要求1所述的
MiP
芯片，其特征在于，所述第一薄化基板的的厚度为：
0.01
～
0.3mm。3.
根据权利要求2所述的
MiP
结构，其特征在于，所述第一保护结构的材料为：透明有机树脂或透明塑料
。4.
根据权利要求3所述的
MiP
芯片，其特征在于，所述第一色转换层
、
所述第一结构层
、
以及所述第二结构层，分别形成于对应的所述若干像素阻挡层之间的所述第一薄化基板上，且包裹对应的所述第一
LED
芯片与所述第二
LED
芯片
。5.
根据权利要求3所述的
MiP
芯片，其特征在于，所述
MIP
芯片结构还包括：若干平坦化结构，形成于相邻的
LED
芯片之间的所述第一薄化基板的表面；其中，所述若干像素阻挡墙形成于对应的所述若干平坦化结构的顶端
。6.
根据权利要求4或5任一项所述的
MiP
芯片，其特征在于，当所述第一
LED
芯片是蓝色
Micro LED
芯片时，所述第二结构层是散射层
。7.
根据权利要求6所述的
MiP
芯片，其特征在于，当所述第一
LED
芯片是蓝色
Micro LED
芯片时，所述第二
LED
芯片是绿色
Micro LED
芯片或蓝色
Micro LED
芯片；当所述第二
LED
芯片是绿色
Micro LED
芯片时，所述第一结构层是散射层；当所述第二
LED
芯片是篮色
Micro LED
芯片时，所述第一结构层是散射层第二色转换层
。8.
根据权利要求7所述的
MiP
芯片，其特征在于，当所述第一
LED
芯片与所述第二
LED
芯片是
UV Micro LED
芯片时，所述第一结构层是第二色转换层，所述第二结构层是第三色转换层
。
9.
根据权利要求8所述的
MiP
芯片，其特征在于，每个像素单元中对应的
LED
芯片的数量为两个及以上；且同一像素单元中的
LED
芯片的类型相同，每个像素单元中的各
LED
芯片之间串联连接
。10.
根据权利要求9所述的
MiP
芯片，其特征在于，所述第一
LED
芯片与所述第二
LED
芯片均分别包括：第一
LED
结构
、
阴极以及阳极；所述阴极与所述阳极形成于对应的所述第一
LED
结构的第一面，且沿所述第一方向排列
。11.
根据权利要求
10
所述的
MiP
芯片，其特征在于，所述
MiP
芯片还包括：第一电极连接层，形成于部分所述第一金属层顶端，用于连接同一像素单元中，两个所述
LED
芯片之间的所述第二金属层与所述第一金属层
。12.
根据权利要求
11
所述的
MiP
芯片，其特征在于，同一像素单元中的各
LED
芯片通过缓冲层连接在一起，以将同一像素单元中的所有
LED
芯片在物理上形成一整体缓冲层
。13.
根据权利要求
12
所述的
MiP
芯片，其特征在于，在
LED
芯片转移至对应位置之前，所有像素单元中的所有
LED
芯片的缓冲层连接在一起；且在
LED
芯片转移至对应位置之后，不同像素单元之间的对应的缓冲层被分离
。14.
根据权利要求
13
所述的
MiP
芯片，其特征在于，所述
MiP
结构包括：若干所述第一像素组；所述若干第一像素组沿所述第一方向依次排列
。15.
根据权利要
14
所述的
MiP
芯片，其特征在于，所述
MiP
结构还包括：若干黑框
BM
，所述若干黑框
BM
分别形成于所述第一彩膜层
、
所述第二彩膜层以及所述第三彩膜层之间的空隙中；第一平坦化层与第一无机隔离层；所述第一平坦化层覆盖所述第一色转换层
、
所述第一结构层以及所述第二结构层上；所述第一无机隔离层覆盖所述第一平坦化层
。16.
根据权利要求
15
所述的
MiP
芯片，其特征在于，所述第一色转换层
、
所述第二色转换层或所述第三色转换层是量子点色转换层
。17.
一种
MiP
芯片的制备方法，用于制备权利要求1‑
16
任一项所述的
MiP
芯片，其特征在于，包括：提供一所述第一薄化基板；形成所述第一金属层
、
所述第二金属层以及所述第一电极连接结构；所述第一金属层
、
所述第二金属层以及所述第一电极连接结构形成于所述第一薄化基板上；形成所述
MIP
芯片结构与所述第一保护结构；其中，形成所述
MIP
芯片结构具体包括：形成所述若干像素阻挡墙与所述第一像素组；其中，所述若干像素阻挡墙沿所述第一方向排列；所述第一像素组包括：所述红光像素单元
、
所述绿光像素单元以及所述蓝光像素单元；其中，所述红光像素单元包括：沿第二方向依次堆叠的所述第一
LED
芯片
、
所述第一色转换层以及所述第一彩膜层；所述绿光像素单元包括：沿所述第二方向依次堆叠的所述第二
LED
芯片
、
所述第一结构层以及所述第二彩膜层；所述蓝光像素单元包括：沿第二方向依次堆叠的所述第一
LED
芯片
、
所述第二结构层以及所述第三彩膜层；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第一
LED
芯片为蓝色
Micro LED
芯片或
UV Micro LED
芯片；所述第一色转换层
、
所述第一结构层
、
以及所述第二结构层沿所述第一方向分别形成于相邻所述像素阻挡墙之间；其中，至少所述红光像素单元与所述蓝光像素单元中的所述第一
LED
芯片，通过
巨量转移的方式一次性转移到对应的位置；其中，所述第一金属层和所述第二金属层分别对应形成于所述第一薄化基板的第一面；若干
LED
芯片的阴极与阳极分别对应形成于所述第一金属层与所述第二金属层的表面；所述第一电极连接结构对应形成于所述第一薄化基板的第二面，且贯穿所述第一薄化基板，以连接对应的一所述第一金属层与一所述第二金属层；所述第一面与所述第二面相对设置；其中，所述第一保护结构包裹所述
MIP
芯片结构，且暴露出所述
MIP
芯片结构的第一面；所述第一面表征了
MIP
芯片结构中形成
LED
芯片的一面
。18.
根据权利要求
17
所述的
MiP
芯片的制备方法，其特征在于，形成所述第一金属层
、
所述第二金属层以及所述第一电极连接结构，具体包括：在所述第一薄化基板上打孔，以形成第一穿孔；形成若干所述第一金属层
、
若干第二金属层以及若干第一电极连接结构；其中，若干所述第一金属层和若干所述第二金属层分别对应形成于所述第一薄化基板的第一面上；所述第一电极连接结构形成于对应的所述第一穿孔与所述第一薄化基板的第二面上，且分别连接对应的一所述第一金属层与对应的一所述第二金属层
。19.
根据权利要求
18
所述的
MiP
芯片的制备方法，其特征在于，形成所述
MIP
芯片结构与第一保护结构，具体包括：形成所述
MIP
芯片结构；所述
MIP
芯片结构形成于所述第一薄化基板上；其中，所述
LED
芯片中的阳极与阴极均对应形成于所述第二金属层与所述第一金属层的表面；形成所述第一保护结构；切割所述第一薄化玻璃，以形成若干独立的所述

【专利技术属性】
技术研发人员：邹春园，
申请(专利权)人：东莞市日昇光电有限公司，
类型：发明
国别省市：