【技术实现步骤摘要】
一种多色数码管及其制备方法
[0001]本公开涉及光电
，特别是涉及一种多色数码管
。
技术介绍
[0002]数码管是常见的电子显示屏，通过对其不同管脚输入相应的电信号来控制数码管进行显示数字
、
符号或者图形，数码管主要由
LED
芯片构成其发光部件
。
[0003]发光二极管
(Light Emitting Diode
，
LED)
是一种能发光的半导体电子元件，传统的数码管在制备时先将正装
LED
芯片固晶到
PCB
板上后，然后利用硅铝丝超声键合将
LED
芯片正面的电极与
PCB
板电连接，由于采用正装
LED
的缘故，导致
LED
芯片电极之间的间距较宽，无法形成小尺寸的封装
。
以及，现有的数码管的发光颜色单一，并且在固定的电压下存在发光不均匀的问题
。
技术实现思路
[0004]基于此，本公开实施例提供一种多色数码管，可以在同一衬底形成两种颜色的
LED
芯片，并且采用倒装芯片的方式焊接在电路板上，有利于减小
LED
芯片尺寸的同时又形成多颜色发光
。
[0005]为了实现上述目的，本公开提出如下技术方案：一种多色数码管，包括引脚
、
封装胶以及盖体；所述盖体覆盖部分所述封装胶，所述封装胶封装有电路板以及多个倒装...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种多色数码管，包括引脚
、
封装胶以及盖体；所述盖体覆盖部分所述封装胶，所述封装胶封装有电路板以及多个倒装
LED
芯片，所述多个倒装
LED
芯片通过焊接层倒装焊接在所述电路板表面上并且与所述电路板电连接，其特征在于：所述多个倒装
LED
芯片中的每个包括第一
LED
芯片以及第二
LED
芯片，所述第一
LED
芯片发出第一色光，所述第二
LED
芯片发出第二色光，所述第一色光与第二色光为不同颜色；所述第一
LED
芯片包括：衬底，以及形成在所述衬底上的具有台面的第一
n
型半导体层，形成在所述台面与所述第一
n
型半导体层电连接的第一电极层，形成在所述第一
n
型半导体层上的第一发光层，形成在所述第一发光层上的第一
p
型半导体层，形成在所述第一
p
型半导体层上的第一导电层，以及形成在所述第一导电层上与所述第一导电层电连接的第二电极层；所述第二
LED
芯片包括：形成在所述第一电极层上的第二
n
型半导体层，形成在所述第二
n
型半导体层上的第二发光层，形成在所述第二发光层上的第二
p
型半导体层，形成在所述第二
p
型半导体层上的第二导电层，以及形成在所述第二导电层上并且与所述第二导电层电连接的第三电极层；所述第二
LED
芯片在所述第一电极层表面上的垂直投影面积小于所述第一电极层的面积；以及，在所述第一
p
型半导体层上表面还形成有第一单分子层，所述第一单分子层位于所述第一
p
型半导体层与所述第一导电层之间且位于所述第二电极层在所述第一
p
型半导体层上表面的垂直投影区域内，并且所述第一单分子层在所述第一
p
型半导体层上表面的垂直投影面积不超过所述第二电极层在所述第一
p
型半导体层上表面的垂直投影面积；在所述第二
p
型半导体层上表面还形成有第二单分子层，所述第二单分子层位于所述第二
p
型半导体层与所述第二导电层之间且位于第三电极层在所述第二
p
型半导体层上表面的垂直投影区域内，并且所述第二单分子层在所述第二
p
型半导体层上表面的垂直投影面积不超过所述第三电极层在所述第二
p
型半导体层上表面的垂直投影面积；其中，所述第一单分子层和所述第二单分子层由长碳链结构分子构成，并且所述第一单分子层和所述第二单分子层的厚度为
2nm
至
5nm。2.
根据权利要求1所述的多色数码管，其特征在于，所述第一单分子层和所述第二单分子层是磷酸正十八酯
、
三氯
(
十八烷基
)
硅烷
、
六甲基二硅氮烷的其中一种
。3.
根据权利要求2所述的多色数码管，其特征在于，所述第一
n
型半导体层为
n
型
GaN
层，所述第一发光层为
AlGaN/InGaN
多量子阱层，所述第一
p
型半导体层为
p
型
GaN
层，并且所述
AlGaN/InGaN
多量子阱层由
30
‑
50
对
AlGaN/InGaN
层叠形成；所述第二
n
型半导体层为
n
型
GaN
层，所述第二发光层为
InGaN/GaN
多量子阱层，所述第二
p
型半导体层为
p
型
GaN
层，并且所述
InGaN/GaN
多量子阱层由
30
‑
50<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，李淑妮，韩小红，娄开林，叶水华，
申请(专利权)人：厦门优立特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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