一种背板及芯片转移方法技术

本发明专利技术涉及一种背板及芯片转移方法，包括基板；设于所述基板正面上的若干芯片键合区，一个所述芯片键合区对应承载一颗微型倒装

【技术实现步骤摘要】
一种背板及芯片转移方法


[0001]本专利技术涉及芯片转移
，尤其涉及一种背板及芯片转移方法
。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(Light Emitting Diode
，发光二极管
)
由于其具备亮度高
、
色域覆盖广和对比度高的优势，受到了各家厂商的追捧，被称为次世代显示装置，其在实际的生产过程中需要利用芯片巨量转移的技术
。
[0003]目前，采用激光剥离法进行芯片巨量转移的过程中，芯片是通过激光作用从生长基板剥离，生长基板上的
GaN
层在激光的作用下会分解出大量的氮气，氮气的冲击力会使芯片无法平稳地掉落至目标基板上，导致芯片出现倾斜
、
侧立
、
翻转
、
移位等不良现象，严重影响了芯片的转移质量
。
现在有的是先将芯片转移至一转移基板，再通过转移基板转移至目标基板
。
其可以防止芯片出现上述不良现象，但该流程增加了转移步骤，工艺更加繁琐，降低了转移的良品率
。
[0004]因此，如何提高芯片的转移质量是亟需解决的问题
。

技术实现思路

[0005]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种背板及芯片转移方法，旨在解决芯片转移的良品率低的问题
。
[0006]一种背板，包括：
[0007]基板；
[0008]设于所述基板正面上的若干芯片键合区，一个所述芯片键合区对应承载一颗微型倒装
LED
芯片；
[0009]所述芯片键合区内设有与所述微型倒装
LED
芯片的电极对应的焊盘，以及在所述焊盘之外的区域设有可膨胀胶墙；所述可膨胀胶墙具有在施加预设条件下沿远离所述基板正面方向膨胀的膨胀状态，以及在撤除所述预设条件时由所述膨胀状态恢复为未膨胀时的收缩状态，所述可膨胀胶墙在所述收缩状态时，其高度小于或等于所述焊盘与所述电极的高度之和
。
[0010]上述背板的正面设置可膨胀胶墙，该可膨胀胶墙可以在施加有预设条件的情况下膨胀，在撤除预设条件时又可回缩恢复至原始的收缩状态
。
在芯片的转移过程中，膨胀后的可膨胀胶墙能够承接从生长基板剥离的微型倒装
LED
芯片，可膨胀胶墙恢复回缩的时候可平稳地将微型倒装
LED
芯片承接至背板上，直到微型倒装
LED
芯片的电极与焊盘接触为止
。
由此不仅实现了从生长基板上直接转移芯片至背板，转移的流程简单，有利于转移良品率的保证，同时通过可膨胀胶墙的承接还防止了转移过程中芯片的倾斜
、
侧立
、
翻转
、
移位，芯片不会受到氮气冲击力的影响，可保证芯片平稳地转移至背板，芯片的转移质量高，大大提高了芯片的良品率，提升了背板的出光效率
。
[0011]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种芯片转移方法，包括：
[0012]提供如上所述的背板；
[0013]选择性的施加预设条件使与所述微型倒装
LED
芯片对应部位的所述可膨胀胶墙增高至膨胀状态，所述膨胀状态的所述可逆膨胀胶与所述微型倒装
LED
芯片接触；
[0014]从生长基板上选择性地激光剥离所述微型倒装
LED
芯片；
[0015]撤去所述预设条件和所述激光，所述可膨胀胶墙由所述膨胀状态恢复为所述收缩状态，恢复的同时将剥离的所述微型倒装
LED
芯片承接至所述背板上，使所述微型倒装
LED
芯片的电极与所述焊盘接触；
[0016]将所述微型倒装
LED
芯片与所述焊盘键合固定
。
[0017]上述芯片转移方法通过施加预设条件使可膨胀胶墙膨胀，膨胀后的可膨胀胶墙可接触微型倒装
LED
芯片，再撤除施加的预设条件后可膨胀胶墙后恢复收缩，此时便可带动剥离的微型倒装
LED
芯片平稳地转移至背板上
。
转移的流程简单，实现了芯片的直接转移，同时通过可膨胀胶墙的作用还防止了转移过程中芯片的倾斜
、
侧立
、
翻转
、
移位，芯片不会受到氮气冲击力的影响，提高了芯片的转移质量，大大增加了芯片的良品率
。
附图说明
[0018]图1为本专利技术实施例提供的一种背板的结构示意图；
[0019]图2为图1的俯视图；
[0020]图3为图1的
A
放大图；
[0021]图4为本专利技术实施例提供的芯片键合区的示意图；
[0022]图5为本专利技术实施例提供的可膨胀胶墙的一种示意图；
[0023]图6为本专利技术实施例提供的第一可膨胀胶墙在芯片键合区设置的一种示意图；
[0024]图7为本专利技术实施例提供的第一可膨胀胶墙在芯片键合区设置的另一种示意图；
[0025]图8为本专利技术实施例提供的第二可膨胀胶墙在芯片键合区设置的一种示意图；
[0026]图9为本专利技术实施例提供的第二可膨胀胶墙在芯片键合区设置的另一种示意图；
[0027]图
10
为本专利技术实施例提供的第二可膨胀胶墙在芯片键合区设置的又一种示意图；
[0028]图
11
为本专利技术实施例提供的第二可膨胀胶墙在芯片键合区设置的再一种示意图；
[0029]图
12
为本专利技术实施例提供的芯片键合区边缘区域的四个边分别设置第二可膨胀胶墙的示意图；
[0030]图
13
为本专利技术实施例提供的第一可膨胀胶墙与第二可膨胀胶墙为一体结构时在基板上的示意图；
[0031]图
14
为本专利技术实施例提供的第一可膨胀胶墙与第二可膨胀胶墙为一体结构时在芯片键合区的示意图；
[0032]图
15
为本专利技术实施例提供的芯片的结构示意图；
[0033]图
16
为本专利技术另一可选实施例提供的一种芯片转移方法的流程图；
[0034]图
17
为本专利技术实施例提供的转移过程中可膨胀胶墙未膨胀时的示意图；
[0035]图
18
为本专利技术实施例提供的转移过程中可膨胀胶墙在膨胀状态时与芯片接触的示意图；
[0036]图
19
为本专利技术实施例提供的转移完成后芯片在背板上的示意图；
[0037]附图标记说明：
[0038]1‑
基板，2‑
焊盘，3‑
可膨胀胶墙，
301
‑
第一可膨胀胶墙，
302
‑
第二可膨胀胶墙，
303
‑
缺口，
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种背板，其特征在于，包括：基板；设于所述基板正面上的若干芯片键合区，一个所述芯片键合区对应承载一颗微型倒装
LED
芯片；所述芯片键合区内设有与所述微型倒装
LED
芯片的电极对应的焊盘，以及在所述焊盘之外的区域设有可膨胀胶墙；所述可膨胀胶墙具有在施加预设条件下沿远离所述基板正面方向膨胀的膨胀状态，以及在撤除所述预设条件时由所述膨胀状态恢复为未膨胀时的收缩状态，所述可膨胀胶墙在所述收缩状态时，其高度小于或等于所述焊盘与所述电极的高度之和
。2.
如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述可膨胀胶墙包括以下至少之一：设于所述芯片键合区的中间区域的第一可膨胀胶墙；设于所述芯片键合区的边缘区域的第二可膨胀胶墙
。3.
如权利要求2所述的背板，其特征在于，所述焊盘包括分别与所述微型倒装
LED
芯片的正极引脚和负极引脚对应的正极焊盘和负极焊盘，所述中间区域包括所述正极焊盘和所述负极焊盘之间的区域
。4.
如权利要求2所述的背板，其特征在于，所述第二可膨胀胶墙沿所述芯片键合区的边缘区域设置并将所述焊盘围合在内
。5.
如权利要求4所述的背板，其特征在于，所述第二可膨胀胶墙开设有至少一个缺口
。...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋光平，林浩翔，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：