半导体装置以及模块制造方法及图纸

作为半导体装置的一个实施方式的电容器

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及模块


[0001]本专利技术涉及半导体装置以及模块
。

技术介绍

[0002]作为用于半导体集成电路的代表性的电容器元件，例如已知有
MIM(Metal Insulator Metal
：金属绝缘体金属
)
电容器
。MIM
电容器是具有由下部电极和上部电极夹持绝缘体的平行平板型的结构的电容器
。
[0003]在专利文献1中公开了一种电子部件，具备：形成在基板上的电路元件
、
与上述电路元件连接并且与至少一个面对置配置的至少一对端子电极
、
以及比上述至少一对端子电极突出地形成并且设置在上述至少一个面的俯视时不与上述电路元件重叠的区域的支承体
。
在专利文献1中，作为电子部件的一个例子，记载有在基板上依次层叠有下部电极
、
电介质层
、
第一电极
、
第一保护层
、
第二电极
、
第二保护层
、
端子电极以及支承体而成的电容器
。
[0004]专利文献
1:
日本专利第
5445357
号公报
[0005]在使用表面安装机
(Mounter)
将电子部件安装于外部基板等的情况下，在基板搭载时，由于在电子部件的厚度方向上施加载荷，因此若对电子部件施加过度的载荷，则所施加的载荷成为冲击力，可能产生形成在电子部件内的电路元件损伤这样的不良情况
。
根据专利文献1所记载的电子部件，由于支承体比对置地配置的至少一对端子电极突出，换言之，支承体形成为比对置地配置的至少一对端子电极厚，因此由该支承体承受
、
分散
、
缓和从外部施加的载荷，从而能够防止在安装时可能产生的电子部件的机械破坏
。
[0006]然而，在专利文献1所记载的电子部件中，由于缓和在安装时施加于元件表面的载荷的效果不充分，因此有因从支承体传递的载荷而在电介质层产生裂纹的担忧
。

技术实现思路

[0007]本专利技术是为了解决上述的问题而完成的，其目的在于提供一种抑制载荷集中于电介质层的半导体装置
。
另外，本专利技术的目的在于提供一种具备上述半导体装置的模块
。
[0008]本专利技术的半导体装置具备：基板，具有在厚度方向上相对的第一主面和第二主面；电路层，设置在上述基板的上述第一主面上；以及第一树脂体
。
上述电路层具有：第一电极层，设置于上述基板侧；第二电极层，与上述第一电极层对置地设置；电介质层，在上述厚度方向上设置在上述第一电极层与上述第二电极层之间；第一外部电极，被引出到上述电路层的与上述基板相反侧的表面；以及第二外部电极，被引出到上述电路层的与上述基板相反侧的表面，并与上述第一外部电极分离设置
。
在从上述厚度方向俯视时，上述第一树脂体设置于上述基板的四角，在上述厚度方向上，上述第一树脂体的与上述基板相反侧的前端处于比上述第一外部电极以及上述第二外部电极的与上述基板相反侧的前端高的位置
。
[0009]本专利技术的模块具备：本专利技术的半导体装置；以及布线基板，具有第一焊盘和第二焊盘，其中，上述第一焊盘与上述第一外部电极电连接，上述第二焊盘与上述第二外部电极电连接
。
[0010]根据本专利技术，能够提供一种抑制载荷集中于电介质层的半导体装置
。
另外，根据本专利技术，能够提供一种具备上述半导体装置的模块
。
附图说明
[0011]图1‑1是表示本专利技术的实施方式1的电容器的一个例子的平面示意图
。
[0012]图1‑2是图1－1所示的电容器的侧面示意图
。
[0013]图1‑3是表示与图1－1中的线段
A1
－
A2
对应的部分的剖面示意图
。
[0014]图2‑1是表示本专利技术的实施方式1的电容器的变形例1的平面示意图
。
[0015]图2‑2是图2－1所示的电容器的侧面示意图
。
[0016]图2‑3是表示与图2－1中的线段
A1
－
A2
对应的部分的剖面示意图
。
[0017]图3‑1是表示本专利技术的实施方式1的电容器的变形例2的平面示意图
。
[0018]图3‑2是图3－1所示的电容器的侧面示意图
。
[0019]图3‑3是表示与图3－1中的线段
A1
－
A2
对应的部分的剖面示意图
。
[0020]图4‑1是表示本专利技术的实施方式1的电容器的变形例3的平面示意图
。
[0021]图4‑2是图4－1所示的电容器的侧面示意图
。
[0022]图4‑3是表示与图4－1中的线段
A1
－
A2
对应的部分的剖面示意图
。
[0023]图5‑1是用于对形成绝缘层的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0024]图5‑2是用于对形成第一电极层的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0025]图5‑3是用于对形成电介质层的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0026]图5‑4是用于对形成第二电极层的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0027]图5‑5是用于对形成耐湿保护层的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0028]图5‑6是用于对形成树脂保护层的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0029]图5‑7是用于对形成种子层的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0030]图5‑8是用于对形成第一镀层以及第二镀层的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0031]图5‑9是用于对去除种子层的一部分的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0032]图5‑
10
是用于对形成感光性树脂膜的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0033]图5‑
11
是用于对形成第一树脂体以及第二树脂体的工序的一个例子进行说明的剖面示意图
。
[0034]图6是表示本专利技术的实施方式1的模块的剖面示意图
。
[0035]图7是表示在本专利技术的实施方式1的模块中设置有模制树脂的状态的剖面示意图
。
[0036]图8‑1是表示本专利技术的实施方式2的电容器的一个例子的平面示意图
。
[0037]图8‑2是表示与图8－1中的线段
A1
－
A2
对应的部分的剖面示意图
。
[0038本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体装置，具备：基板，具有在厚度方向上相对的第一主面和第二主面；电路层，设置在上述基板的上述第一主面上；以及第一树脂体，上述电路层具有：第一电极层，设置于上述基板侧；第二电极层，与上述第一电极层对置地设置；电介质层，在上述厚度方向上设置在上述第一电极层与上述第二电极层之间；第一外部电极，被引出到上述电路层的与上述基板相反侧的表面；以及第二外部电极，被引出到上述电路层的与上述基板相反侧的表面，并与上述第一外部电极分离设置，在从上述厚度方向俯视时，上述第一树脂体设置于上述基板的四角，在上述厚度方向上，上述第一树脂体的与上述基板相反侧的前端处于比上述第一外部电极以及上述第二外部电极的与上述基板相反侧的前端高的位置
。2.
根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备第二树脂体，在从上述厚度方向俯视时，上述第二树脂体设置在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间，在上述厚度方向上，上述第二树脂体的与上述基板相反侧的前端处于比上述第一外部电极以及上述第二外部电极的与上述基板相反侧的前端高的位置，并且处于比上述第一树脂体的与上述基板相反侧的前端高的位置
。3.
根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具备第三树脂体，在从上述厚度方向俯视时，上述第三树脂体设置于上述第一树脂体彼此之间，在上述厚度方向上，上述第三树脂体的与上述基板相反侧的前端处于比上述第一外部电极以及上述第二外部电极的与上述基板相反侧的前端高的位置，并且处于比上述第一树脂体的与上述基板相反侧的前端低的位置
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，在从上述厚度方向俯视时，上述第一树脂体设置于不与上述第一电极层重叠的位置
。5.
根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤是清，原田真臣，今村勇太，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：