电容器制造技术

电容器

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器


[0001]本公开总体上涉及电容器，并且具体地，涉及包括硅衬底的电容器
。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种电容器
。
电容器包括硅衬底
、
导体层和介电层
。
硅衬底具有包括电容产生区域和非电容产生区域的主表面，并且硅衬底具有在电容产生区域中沿厚度方向设置的多孔部分
。
导体层具有至少覆盖电容产生区域的部分表面的表层部分
、
以及填充在多孔部分的至少一部分细孔中的填充部分
。
介电层设置在细孔的内表面与填充部分之间
。
[0003]专利文献1的电容器在静电电容方面仍然存在改善空间
。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：
WO 2020/184517 A1

技术实现思路

[0007]本公开的目的在于提供一种具有增大的每衬底单位面积的静电电容的电容器
。
[0008]根据本公开的一方面的电容器包括硅衬底
、
第一端子
、
介电层
、
导电部分和第二端子
。
硅衬底具有主表面和多孔部分
。
主表面包括开口区域和除了开口区域之外的非开口区域
。
多孔部分在开口区域中具有开口
。
第一端子电连接到硅衬底
。
介电层在多孔部分的内表面上
。
导电部分在多孔部分中填充在介电层上
。
第二端子电连接到导电部分
。
第一端子或第二端子中的至少一个在主表面的法线方向上与多孔部分的至少一部分重叠
。
附图说明
[0009]图1是根据第一实施例的电容器的示意性截面图；
[0010]图2是包括该电容器的电子组件的示意性截面图；
[0011]图
3A
和图
3B
是示出了根据第一实施例的制造电容器的方法中的各步骤的示意性截面图；
[0012]图
4A
和图
4B
是示出了制造该电容器的方法中的各步骤的示意性截面图；
[0013]图
5A
和图
5B
是示出了制造该电容器的方法中的各步骤的示意性截面图；
[0014]图
6A
和图
6B
是示出了制造该电容器的方法中的各步骤的示意性截面图；
[0015]图
7A
和图
7B
是示出了制造该电容器的方法中的各步骤的示意性截面图；
[0016]图8是该电容器的示意性截面图；
[0017]图9是该电容器的示意性平面图；
[0018]图
10
是根据第二实施例的电容器的示意性截面图；以及
[0019]图
11
是根据第三实施例的电容器的示意性平面图
。
具体实施方式
[0020]1.
概述
[0021]如上所述，专利文献1的电容器在静电电容方面仍然存在改善空间
。
因此，本专利技术人为了增大每衬底单位面积的静电电容而进行了深入研究，因此开发了如下所述的电容器
1。
[0022]即，根据本实施例的电容器1包括硅衬底
2、
第一端子
31、
介电层
4、
导电部分5和第二端子
32(
参见图
1)。
[0023]第一端子
31
或第二端子
32
中的至少一个在主表面
21
的法线方向
(Z
轴方向
)
上与多孔部分
23
的至少一部分重叠
。
[0024]如图1所示，在根据本实施例的电容器1中，不仅在开口区域
P
中形成多孔部分
23(
第一多孔部分
231)
，而且还在非开口区域
Q
中形成多孔部分
23(
第二多孔部分
232)。
另外，第一端子
31
和第二端子
32
在
XY
平面图中与多孔部分
23
重叠，同时确保硅衬底2在厚度方向
(Z
轴方向
)
上的强度
。
[0025]在本实施例中，与仅在开口区域
P
中形成多孔部分
23
的情况相比，通过在开口区域
P
和非开口区域
Q
两者中形成多孔部分
23
，可以增大电极面积
。
[0026]因此，可以增大每衬底单位面积的静电电容
。
[0027]2.
细节
[0028](1)
第一实施例
[0029](1.1)
电容器
[0030]下面将参考附图描述根据本实施例的电容器
1。
注意，附图是示意图，并且不一定是精确的图示
。
为了描述位置关系等，在附图中示出了表示构成三维正交坐标系的
X
轴
、Y
轴和
Z
轴的箭头，但这些箭头是无形的
。
在下面的描述中，“在
XY
平面图中”意味着沿着
Z
轴方向观察对象
。X
轴
、Y
轴和
Z
轴方向仅是示例，并且不意在限制处于制造和使用中的电容器1的方向
。
[0031]在图1中，示出了根据本实施例的电容器
1。
电容器1包括硅衬底
2、
至少一个或多个
(
在本实施例中为多个
)
第一端子
31、
介电层
4、
导电部分5和至少一个或多个
(
在本实施例中为多个
)
第二端子
32。
因此，根据本实施例的电容器1是硅电容器
。
[0032]<
硅衬底
>
[0033]硅衬底2可以构成电容器1的一个电极
(
第一电极
)。
硅衬底2可以是
p
型半导体，或者可以是
n
型半导体
。
通过将少量的三价元素
(
硼
、
铝
、
镓
、
铟等
)
添加到由四价元素
(
硅
)
制成的本征半导体来形成
p
型半导体
。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种电容器，包括：硅衬底，具有：主表面，包括开口区域和除了所述开口区域之外的非开口区域，以及多孔部分，在所述开口区域中具有开口；至少一个第一端子，电连接到所述硅衬底；介电层，在所述多孔部分的内表面上；导电部分，在所述多孔部分中填充在所述介电层上；以及至少一个第二端子，电连接到所述导电部分，所述至少一个第一端子或所述至少一个第二端子中的至少一个在所述主表面的法线方向上与所述多孔部分的至少一部分重叠
。2.
根据权利要求1所述的电容器，其中，所述至少一个第一端子和所述至少一个第二端子在所述非开口区域中
。3.
根据权利要求1所述的电容器，其中，所述至少一个第一端子在所述非开口区域中，并且所述至少一个第二端子在所述开口区域中
。4.
根据权利要求1至3中...

【专利技术属性】
技术研发人员：萩原洋右，吉田和司，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：