【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器、电路、电路基板、电子设备和蓄电设备
[0001]本公开涉及电容器
、
电路
、
电路基板
、
电子设备和蓄电设备
。
技术介绍
[0002]以往,已知在电介质层中采用了反铁电体的电容器
。
[0003]例如,专利文献1公开了一种电容器,该电容器采用了由包括
HfO2的金属氧化物构成的反铁电体,暗示了包括
HfO2的金属氧化物有时示出反铁电性
。
专利文献1记载了电容器的电介质层的金属氧化物所含的
HfO2的
Hf
的一部分被置换为
Bi
等元素的例子
。
在该例子中,通过施加
0MV/cm
至
2MV/cm
的外部电场,电介质层的相对介电常数根据电场强度而在
20
至
90
之间变动
(
参照图5和
6)。
而且,在
0.5MV/cm
至
1.5MV/cm
的电场强度的范围内,电介质层的相对介电常数能取得最大值
。
[0004]专利文献2记载了一种叠层陶瓷电容器,该叠层陶瓷电容器具有由第1材料构成的第1电容器单元和由不同于第1材料的第2材料构成的第2电容器单元
。
该专利文献2记载了第1材料示出铁电特性,第2材料示出反铁电特性
。
[0005]在先技术文献
[0006]专 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种电容器,具有第一电极层
、
第二电极层
、
以及在所述第一电极层的厚度方向上配置于所述第一电极层与所述第二电极层之间的反铁电体层;所述第一电极层在所述第一电极层的俯视时在比最外部靠内侧处覆盖所述反铁电体层;所述第二电极层在所述第二电极层的俯视时在比最外部靠内侧处覆盖所述反铁电体层;所述反铁电体层在多个部位具有不同的厚度
。2.
如权利要求1所述的电容器,所述反铁电体层具有
10
纳米以上且1微米以下的厚度
。3.
如权利要求1或2所述的电容器,所述反铁电体层的厚度的最大值相对于所述反铁电体层的厚度的最小值之比大于1且小于
10。4.
如权利要求1至3中任一项所述的电容器,所述反铁电体层的厚度的最大值为
500
纳米以下
。5.
如权利要求1至4中任一项所述的电容器,所述反铁电体层具有比所述第一电极层的厚度小的厚度
。6.
如权利要求1至5中任一项所述的电容器,所述反铁电体层具有比所述第二电极层的厚度小的厚度
。7.
如权利要求1至6中任一项所述的电容器,所述反铁电体层在面内的特定方向上具有连续地或阶段性地变化的厚度
。8.
如权利要求7所述的电容器,所述反铁电体层在面内的特定方向上具有从一端向另一端连续地或阶段性地变化的厚度
。9.
如权利要求1至8中任一项所述的电容器,所述反铁电体层包括具有最小的厚度且在俯视时具有预定的面积的第一区域
、
以及具有最大的厚度且在俯视时具有预定的面积的第二区域;俯视时的所述第二区域的面积相对于俯视时的所述第一区域的面积之比大于1且小于
10。10.
如权利要求1至9中任一项所述的电容器,所述反铁电体层包括连接部,所述连接部形成于具有不同的厚度的一对区域之间并构成与所述一对区域中的厚度的差量相当的台阶
。11.
如权利要求1至
10
中任一项所述的电容器,所述反铁电体层包括连接部,所述连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:竹内宏树,铃鹿理生,
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社,
类型:发明
国别省市:
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