DFN制造技术

本发明专利技术涉及半导体封装技术，尤其涉及一种

【技术实现步骤摘要】
DFN框架封装结构及封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装技术，尤其涉及一种
DFN
框架封装结构及封装方法
。

技术介绍

[0002]DFN
是一种最新的的电子封装工艺，在半导体封装领域中应用广泛
。
请参见附图1，现有技术的
DFN
框架封装结构中，将芯片1装在框架2的一个面上，其芯片引脚与装片位置均位于框架2上，打线时需要从芯片1往框架2上打，再在框架2的另一个面上覆膜
3。
[0003]现有技术的
DFN
框架封装结构的封装厚度受限，最薄只能做到
300um。
随着产品对厚度的要求越来越严格，现有技术的
DFN
框架封装结构已经无法满足产品需求
。
因此，需要提供一种
DFN
框架封装结构及封装方法，能够解决现有技术中
DFN
框架封装结构厚度大的问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种
DFN
框架封装结构及封装方法，能够解决现有技术中
DFN
框架封装结构厚度大的问题
。
[0005]本专利技术是这样实现的：一种
DFN
框架封装结构，包括
DAF
膜
、
连接框架和封装料；若干个连接框架分别成型于连接板上，且多个不连续的连接框架之间形成下沉式的装片槽，
DAF
膜设置在装片槽内，芯片下沉式安装在装片槽内，使
DAF
膜的两个面分别贴合在芯片和连接板上；若干个连接框架分别通过金线与芯片电连接，封装料封装包裹芯片
、DAF
膜与芯片连接的面和连接框架
。
[0006]所述的多个连接框架与装片槽相邻的边呈斜边结构，使装片槽的轴向与连接板的轴向呈锐角夹角，从而使芯片通过转角装片方式嵌装在装片槽内
。
[0007]所述的连接框架通过镍合金金属电镀成型，使连接框架分别通过金线与芯片电连接
。
[0008]所述的镍合金金属的电镀厚度为
0.045mm。
[0009]所述的连接板为不锈钢板，牌号为
SUS430
，长度为
227.4mm
，宽度为
61.5mm
，厚度为
0.15mm。
[0010]所述的
DAF
膜的厚度为
15um
，芯片的厚度为
65um
，
DFN
框架封装结构的厚度为
180
‑
200um。
[0011]一种
DFN
框架封装结构的封装方法，包括以下步骤：步骤1：在连接板上电镀金属镀层，形成若干个连接框架，且多个连接框架不连续，在多个连接框架之间形成下沉式的装片槽；步骤2：将
DAF
膜覆于装片槽内，将芯片通过转角装片方式下沉装入装片槽内，使
DAF
膜贴合在芯片上；步骤3：通过
Bump
焊的方式将金线焊接在芯片和与其相邻的多个连接框架之间，并控制金线的线弧高度；
步骤4）：注塑封装料，形成厚度为
180
‑
200um
的
DFN
框架封装结构；步骤5：剥离去除连接板
。
[0012]所述的步骤1中，在电镀金属镀层时，使多个连接框架与装片槽相邻的边呈斜边结构，从而使装片槽的槽体轴向相对连接板的轴线偏转
。
[0013]本专利技术与现有技术相比，具有以下有益效果：
1、
本专利技术由于设有连接框架，通过电镀金属层形成连接框架，利用不连续的相邻四个连接框架形成下沉式的装片槽，便于芯片的下沉式安装，从而有利于控制产品的封装厚度，并利用连续的连接框架和金线保证芯片的电性连接功能和产品的正常使用功能；同时，通过
Bump
焊从连接框架向芯片打线，能够有效降低金线的高度，从而进一步控制产品的封装厚度
。
[0014]2、
本专利技术由于采用转角装片式安装芯片，将芯片转动一定角度后装入装片槽内，能够有效避免芯片与连接框架的触碰，有利于提升产品质量
。
[0015]附图说明
[0016]图1是现有技术
DFN
框架封装结构的结构示意图；图2是本专利技术
DFN
框架封装结构的结构示意图（连接板未剥离）；图3是本专利技术
DFN
框架封装结构的结构示意图（连接板剥离）；图4是本专利技术
DFN
框架封装结构中装片槽的形成示意图
。
[0017]图中，1芯片，2框架，3膜，
4 DAF
膜，5连接框架，
501
装片槽，6封装料，7连接板，8金线
。
具体实施方式
[0018]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明
。
[0019]请参见附图2至附图4，一种
DFN
框架封装结构，包括
DAF
（
Die Attach Film
）膜
4、
连接框架5和封装料6；若干个连接框架5分别成型于连接板7上，且多个不连续的连接框架5之间形成下沉式的装片槽
501
，
DAF
膜4设置在装片槽
501
内，芯片1下沉式安装在装片槽
501
内，使
DAF
膜4的两个面分别贴合在芯片1和连接板7上；若干个连接框架5分别通过金线8与芯片1电连接，封装料6封装包裹芯片
1、DAF
膜4与芯片1连接的面和连接框架
5。
[0020]通过多个不连续的连接框架5形成装片槽
501
，将芯片1下沉式安装在装片槽
501
内，芯片1不安装在连接框架5上，降低芯片1的顶面高度，从而在金线8打线时能够更好的控制线弧高度，进而减小
DFN
框架封装结构的厚度
。
连接框架5通过金线8与芯片1电连接，保证了封装结构的电性使用功能
。
[0021]请参见附图4，所述的多个连接框架5与装片槽
501
相邻的边呈斜边结构，使装片槽
501
的轴向与连接板7的轴向呈锐角夹角，从而使芯片1通过转角装片方式嵌装在装片槽
501
内
。
[0022]芯片1通常为矩形结构，在现有技术的封装工艺中，芯片1安装时，芯片1的轴线与框架2的轴线平行
。
[0023]而在本专利技术中，通过四个连接框架5的斜边结构使装片槽
501
形成类似菱形或平行
四边形结构，其轴线与连接板7的轴线之间形成一定的偏转角度，从而可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
DFN
框架封装结构，其特征是：包括
DAF
膜（4）
、
连接框架（5）和封装料（6）；若干个连接框架（5）分别成型于连接板（7）上，且多个不连续的连接框架（5）之间形成下沉式的装片槽（
501
），
DAF
膜（4）设置在装片槽（
501
）内，芯片（1）下沉式安装在装片槽（
501
）内，使
DAF
膜（4）的两个面分别贴合在芯片（1）和连接板（7）上；若干个连接框架（5）分别通过金线（8）与芯片（1）电连接，封装料（6）封装包裹芯片（1）
、DAF
膜（4）与芯片（1）连接的面和连接框架（5）
。2.
根据权利要求1所述的
DFN
框架封装结构，其特征是：所述的多个连接框架（5）与装片槽（
501
）相邻的边呈斜边结构，使装片槽（
501
）的轴向与连接板（7）的轴向呈锐角夹角，从而使芯片（1）通过转角装片方式嵌装在装片槽（
501
）内
。3.
根据权利要求1或2所述的
DFN
框架封装结构，其特征是：所述的连接框架（5）通过镍合金金属电镀成型，使连接框架（5）分别通过金线（8）与芯片（1）电连接
。4.
根据权利要求3所述的
DFN
框架封装结构，其特征是：所述的镍合金金属的电镀厚度为
0.045mm。5.
根据权利要求1所述的
DFN
框架封装结构，其特征是：所述的连接板（7）为不锈钢板，牌号为
SUS430
，长度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鸿，陈永强，张海峰，孙雪朋，
申请(专利权)人：青岛泰睿思微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：