一种可降低隧穿漏电流的制造技术

本发明专利技术公开了一种可降低隧穿漏电流的

【技术实现步骤摘要】
一种可降低隧穿漏电流的MOS晶体管


[0001]本专利技术涉及
MOS
晶体管
，具体为一种可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管
。

技术介绍

[0002]MOS
晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流，
MOS
晶体管在各种电器设备中应用较广，然而，
MOS
晶体管实际利用时还是存在一些缺陷
。
[0003]如申请号为
201621023609.1
所公开的一种
MOS
晶体管，在本专利技术的
MOS
晶体管中，在源极与漏极之间的栅极下方的特定位置设置一掺杂区，固定了掺杂位置之后，
MOS
晶体管性能不再出现沟道区随机掺杂时所带来的波动性，使得
MOS
晶体管的性能更加稳定；以及，申请号为
CN210866187U
的中国专利公开的一种场效应晶体管，包括衬底
、
导电沟道
、
源电极
、
漏电极
、
三氧化二铝栅介质层和栅电极，所述衬底上设有介质层，所述导电沟道设于介质层上，所述源电极和漏电极分别位于导电沟道的两侧，源电极
、
漏电极和裸露的导电沟道表面覆盖一层种子层，所述栅介质层设于种子层上，所述栅电极设于栅介质层上
。
所述导电沟道为二维材料导电沟道
。
所述衬底为高阻本征硅衬底
。
所述介质层为二氧化硅介质层
。
本申请在器件表面采用
ALD
沉积高
K
介质
Al2O3
作为顶栅介质层；但是，它还是存在掺杂结构结构单一
、
不能保证对
MOS
晶体管内部掺杂位置的全方位固定，再有，其运行时
、
容易产生隧穿漏电流
、
运行效果不好，并且，晶体管产品自身的散热效果和抗静电效果效果都不够好，这会影响到产品的使用效果
、
不易推广
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管，以解决上述
技术介绍
中提出的问题
。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管，包括主体和金属外加固套，所述主体内部顶端的中间位置处设置有
G
栅极，所述
G
栅极一端的主体内部设置有
S
源极，所述
G
栅极另一端的主体内部设置有
D
漏极，所述
G
栅极
、S
源极和
D
漏极上皆焊接有第一引脚，所述主体内部的底端依次安装有衬底电极，所述衬底电极上焊接有第二引脚，所述主体内部的两端皆设置有
N
沟道，所述金属外加固套套装于主体的外侧壁，所述主体内部的顶端设置有第二掺杂区，所述主体内部的底端设置有第一掺杂区
。
[0006]优选的，所述主体侧壁的内部设置有硅基层，使其优化了主体的结构
。
[0007]优选的，所述主体的内侧壁和外侧壁皆设置有防静电吸附膜，使其减轻了静电吸附等对主体造成的损坏
、
影响
、
优化了使用效果
。
[0008]优选的，所述主体和金属外加固套之间填充有导热胶连接层，所述金属外加固套的材质为铜合金，使其提升了对于主体的导热散热效果
。
[0009]优选的，所述主体的内部均匀涂覆有与
G
栅极
、S
源极
、D
漏极
、N
沟道和衬底电极相匹配的绝缘层，提升了对于主体内部元件的全方位绝缘保护
。
[0010]优选的，所述金属外加固套的底部均匀设置有呈等间距排布的固定螺孔，使其可
以实现晶体管产品在适宜电器机壳内部的灵活安装或拆卸
。
[0011]优选的，所述金属外加固套的两侧皆均匀焊接有呈等间距排布的铜合金散热翅片，使其增大了金属外加固套的导热面积
、
提升了导热散热效果
。
[0012]优选的，所述第一引脚和第二引脚的材质皆为铝合金，使其优化了第一引脚和第二引脚的性能
。
[0013]优选的，所述第一引脚设置有3个，所述第二引脚设置有2个，所述第一引脚和第二引脚呈交错排布，使得主体上构成了一个
N
沟道增强型
MOS
管，这有利于在漏
、
源极间加上正向电压，可降低隧穿漏电流
。
[0014]优选的，所述绝缘层的材质为二氧化硅，使其优化了绝缘层的性能
。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0016](1)、
该可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管通过安装有第一引脚和衬底电极等，使得晶体管产品优化了自身的性能，一方面通过在主体上设置有和
G
栅极
、S
源极和
D
漏极连接的第一引脚，且在主体的衬底部分加装两个衬底电极
、
并引出第二引脚，使得主体上构成了一个
N
沟道增强型
MOS
管，这有利于在漏
、
源极间加上正向电压，可降低隧穿漏电流，另一方面通过在主体内部的顶端设置有第二掺杂区，且在主体内部的底端设置有第一掺杂区，通过两级掺杂区结构的设置
、
全方位固定了掺杂位置
、
提升了晶体管产品的一体化程度，这使得
MOS
晶体管的性能更加稳定
、
降低了
MOS
晶体管的漏电流现象；
[0017](2)、
该可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管通过安装有铜合金散热翅片和金属外加固套等，使得晶体管产品优化了自身的结构，一方面通过将金属外加固套套装于主体的外侧壁，提升了对于主体的加固保护，另一方面通过在主体和金属外加固套之间填充有导热胶连接层，且金属外加固套的两侧皆均匀焊接有呈等间距排布的铜合金散热翅片，这增大了金属外加固套的导热面积
、
提升了导热散热效果，进而提升了对于主体的导热散热保护
、
减轻了热损耗影响；
[0018](3)、
该可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管通过安装有
N
沟道和衬底电极等，使得晶体管产品实际操作时，一方面通过将绝缘层依次分布在
G
栅极
、S
源极
、D
漏极
、N
沟道和衬底电极，提升了对于主体内部元件的全方位绝缘保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管，其特征在于，包括主体
(1)
和金属外加固套
(2)
，所述主体
(1)
内部顶端的中间位置处设置有
G
栅极
(8)
，所述
G
栅极
(8)
一端的主体
(1)
内部设置有
S
源极
(7)
，所述
G
栅极
(8)
另一端的主体
(1)
内部设置有
D
漏极
(9)
，所述
G
栅极
(8)、S
源极
(7)
和
D
漏极
(9)
上皆焊接有第一引脚
(3)
，所述主体
(1)
内部的底端依次安装有衬底电极
(11)
，所述衬底电极
(11)
上焊接有第二引脚
(4)
，所述主体
(1)
内部的两端皆设置有
N
沟道
(10)
，所述金属外加固套
(2)
套装于主体
(1)
的外侧壁，所述主体
(1)
内部的顶端设置有第二掺杂区
(14)
，所述主体
(1)
内部的底端设置有第一掺杂区
(12)。2.
根据权利要求1所述的一种可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管，其特征在于：所述主体
(1)
侧壁的内部设置有硅基层
(16)。3.
根据权利要求1所述的一种可降低隧穿漏电流的
MOS
晶体管，其特征在于：所述主体
(1)
的内侧壁和外侧壁皆设置有防静电吸附膜
(15...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶晓刚，
申请(专利权)人：先之科半导体科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：