一种防裂抗折的场效应晶体管结构制造技术

本技术涉及场效应晶体管技术领域，具体涉及到一种防裂抗折的场效应晶体管结构，包括：封装体、拼合罩、引脚、引脚加强环和连接销，所述封装体的前后侧可拆卸连接所述拼合罩，所述拼合罩的顶面和底面之间插接有所述连接销，所述封装体的底面固定安装有引脚加强环，所述引脚穿过所述引脚加强环与所述封装体的芯片电性连接。在场效应晶体管的外壁面开设有嵌合孔，嵌合孔的开设使得封装体形成纵横勾连的加强梁，防止受到外力折弯后封装体造成裂纹或者直接损坏，并且在其外径面罩设拼合罩，提高场效应晶体管的结构强度，在封装体的底面引脚处加装引脚加强环，利用引脚加强环上加设结构梁，使得引脚与封装体的连接处结构强度更高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及场效应晶体管，具体涉及到一种防裂抗折的场效应晶体管结构。

技术介绍

1、场效应晶体管(field effect transistor缩写(fet))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。现已称为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

2、现有技术当中，场效应晶体管在使用过程当中结构强度较低，并且长期使用的状态下受热，场效应晶体管的封装体容易产生裂纹并且受折弯后可能会造成损坏。

3、有鉴于此，亟待设计出一种防裂抗折的场效应晶体管结构，在场效应晶体管的外壁面开设有嵌合孔，嵌合孔的开设使得封装体形成纵横勾连的加强梁，防止受到外力折弯后封装体造成裂纹或者直接损坏，并且在其外径面罩设拼合罩，提高场效应晶体管的结构强度，在封装体的底面引脚处加装引脚加强环，利用引脚加强环上加设结构梁，使得引脚与封装体的连接处结构强度更高。

技术实现思路

1、为了解决以上现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种防裂抗折的场效应晶体管结构，在场效应晶体管的外壁面开设有嵌合孔，嵌合孔的开设使得封装体形成纵横勾连的加强梁，防止受到外力折弯后封装体造成裂纹或者直接损坏，并且在其外径面罩设拼合罩，提高场效应晶体管的结构强度，在封装体的底面引脚处加装引脚加强环，利用引脚加强环上加设结构梁，使得引脚与封装体的连接处结构强度更高。

2、为了实现上述目标，本技术的技术方案为：一种防裂抗折的场效应晶体管结构，包括：封装体、拼合罩、引脚、引脚加强环和连接销，所述封装体的前后侧可拆卸连接所述拼合罩，所述拼合罩的顶面和底面之间插接有所述连接销，所述封装体的底面固定安装有引脚加强环，所述引脚穿过所述引脚加强环与所述封装体的芯片电性连接。

3、进一步的，所述封装体包括：封装主体和嵌合孔，所述封装主体的前后侧开设有所述嵌合孔，所述嵌合孔之间形成纵横交错的加强梁。

4、进一步的，所述拼合罩包括：拼合板、嵌合柱和连接槽，所述拼合板的侧壁面固定安装有所述嵌合柱，所述连接槽开设在所述拼合板的侧壁面两端，所述嵌合柱与所述嵌合孔相配合，所述连接槽与所述连接销相配合。

5、进一步的，所述引脚加强环包括：连接座和结构梁，所述连接座固定安装在所述封装主体的底面，所述连接座的底部等角间距的安装有所述结构梁。

6、进一步的，所述连接销包括：限位梁和卡合梁，所述限位梁之间固定安装有所述卡合梁，所述卡合梁与所述连接槽相配合。

7、有益效果：

8、本技术提供的一种防裂抗折的场效应晶体管结构，在场效应晶体管的外壁面开设有嵌合孔，嵌合孔的开设使得封装体形成纵横勾连的加强梁，防止受到外力折弯后封装体造成裂纹或者直接损坏，并且在其外径面罩设拼合罩，提高场效应晶体管的结构强度，在封装体的底面引脚处加装引脚加强环，利用引脚加强环上加设结构梁，使得引脚与封装体的连接处结构强度更高。

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【技术保护点】

1.一种防裂抗折的场效应晶体管结构，包括：封装体(1)、拼合罩(2)、引脚(3)、引脚加强环(4)和连接销(5)，其特征在于，所述封装体(1)的前后侧可拆卸连接所述拼合罩(2)，所述拼合罩(2)的顶面和底面之间插接有所述连接销(5)，所述封装体(1)的底面固定安装有引脚加强环(4)，所述引脚(3)穿过所述引脚加强环(4)与所述封装体(1)的芯片电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种防裂抗折的场效应晶体管结构，其特征在于，所述封装体(1)包括：封装主体(11)和嵌合孔(12)，所述封装主体(11)的前后侧开设有所述嵌合孔(12)，所述嵌合孔(12)之间形成纵横交错的加强梁。

3.根据权利要求2所述的一种防裂抗折的场效应晶体管结构，其特征在于，所述拼合罩(2)包括：拼合板(21)、嵌合柱(22)和连接槽(23)，所述拼合板(21)的侧壁面固定安装有所述嵌合柱(22)，所述连接槽(23)开设在所述拼合板(21)的侧壁面两端，所述嵌合柱(22)与所述嵌合孔(12)相配合，所述连接槽(23)与所述连接销(5)相配合。

4.根据权利要求3所述的一种防裂抗折的场效应晶体管结构，其特征在于，所述引脚加强环(4)包括：连接座(41)和结构梁(42)，所述连接座(41)固定安装在所述封装主体(11)的底面，所述连接座(41)的底部等角间距的安装有所述结构梁(42)。

5.根据权利要求4所述的一种防裂抗折的场效应晶体管结构，其特征在于，所述连接销(5)包括：限位梁(51)和卡合梁(52)，所述限位梁(51)之间固定安装有所述卡合梁(52)，所述卡合梁(52)与所述连接槽(23)相配合。

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【技术特征摘要】

1.一种防裂抗折的场效应晶体管结构，包括：封装体(1)、拼合罩(2)、引脚(3)、引脚加强环(4)和连接销(5)，其特征在于，所述封装体(1)的前后侧可拆卸连接所述拼合罩(2)，所述拼合罩(2)的顶面和底面之间插接有所述连接销(5)，所述封装体(1)的底面固定安装有引脚加强环(4)，所述引脚(3)穿过所述引脚加强环(4)与所述封装体(1)的芯片电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种防裂抗折的场效应晶体管结构，其特征在于，所述封装体(1)包括：封装主体(11)和嵌合孔(12)，所述封装主体(11)的前后侧开设有所述嵌合孔(12)，所述嵌合孔(12)之间形成纵横交错的加强梁。

3.根据权利要求2所述的一种防裂抗折的场效应晶体管结构，其特征在于，所述拼合罩(2)包括：拼合板(21)、嵌合柱...

【专利技术属性】
技术研发人员：许卫林，
申请(专利权)人：先之科半导体科技东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：