一种高栅极击穿电压的场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种高栅极击穿电压的场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的一端安装有安装片，所述安装片内部的中间位置处设置有孔体，所述安装套的底端安装有金属保护壳，所述金属保护壳一侧的顶端活动设置有螺纹杆，且螺纹杆的一侧安装有固定块

【技术实现步骤摘要】
一种高栅极击穿电压的场效应晶体管


[0001]本专利技术涉及场效应晶体管
，具体为一种高栅极击穿电压的场效应晶体管
。

技术介绍

[0002]晶体管是一种电子产品中常见的基本组件之一，是一种可进行放大或是切换电信号以及功率和稳定电流的半导体组件，场效应晶体管的一端安装有三个端子，这三个端子分别是
S
源极
、g
栅极和
d
漏极，当栅极与源极之间的电压超过一定值时，电流会突然增加，导致晶体管被击穿，产生上述现象的是高栅极击穿电压的场效应晶体管
。
[0003]经过检索，参考申请号
CN201820354865.1
公开的一种碳化硅半导体场效应晶体管，包括场效应晶体管外壳体
、
发射极
、
集电极和基极，所述场效应晶体管外壳体的底部设置有晶体管底座，所述晶体管底座的内侧设置有卡合室，所述场效应晶体管外壳体的顶部设置有晶体管顶盖，所述发射极
、
集电极和基极通过螺纹柱和连接孔与连接管连接
。
通过设计安装在晶体管底部的固定卡块，以及设计安装在晶体管底座上的卡合室，实现了两者的连接，大大增加了两者连接的稳定性，避免了错位现象的发生，通过设计安装在固定卡块上的弹簧按钮，以及设计安装在晶体管底座上的固定孔，实现了两者的固定，大大方便了两者的拆卸与安装；
[0004]其次，参考申请号
CN201821898028.1
公开的一种结型场效应晶体管，结型场效应晶体管包括：衬底；第一导电类型漂移区；第一导电类型源区；第二导电类型栅区，呈包围式结构围绕于第一导电类型源区，结型场效应晶体管的沟道区包含由第二导电类型栅区所包围的限定区域；以及第一导电类型漏区，与第二导电类型栅区相隔设置
。
本专利技术沟道区的沟道开启和关闭通过
P
型栅区对该沟道区进行横向耗尽实现
。
因而，通过调整
P
型栅区之间的间距，就可以改变沟道区的宽度，进而改变夹断电压
。
本专利技术可以将多个具有不同夹断电压的结型场效应晶体管集成在同一电路里，可满足不同的电路性能要求，并有效节约制造成本；
[0005]在上述申请文件中，首先设计安装结构，增加其安装拆卸的便捷性，同时将多个具有不同夹断电压的结型场效应晶体管集成在同一电路里增加适用性，但是在实际的使用过程中，场效应晶体管需要进行运输，运输的过程中，场效应晶体管底端安装的引脚在运输过程中遇到外部的挤压力时会造成引脚形变折弯损坏，所以现提供一种高栅极击穿电压的场效应晶体管，该场效应晶体管的外部添加有金属保护壳，对运输过程中的引脚进行保护避免其弯折损坏
。
[0006]鉴于此，提出一种新型的高栅极击穿电压的场效应晶体管解决上述问题
。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种高栅极击穿电压的场效应晶体管，以解决上述
技术介绍
中提出的引脚在运输过程中遇到外部的挤压产生形变损坏的问题
。
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高栅极击穿电压的场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的一端安装有安装片，所述晶体管主体内部的两侧均设置有
N
型半导体，所述安装片内部的一端设置有
s
源极，所述
s
源极的一侧设置有
g
栅极，所述
g
栅极的一侧设置有
d
漏极，所述
s
源极
、g
栅极和
d
漏极的一端均安装有引脚，所述晶体管主体外侧壁的底端安装有安装套，所述安装套的底端安装有金属保护壳，所述金属保护壳一侧的顶端活动设置有螺纹杆，且螺纹杆的一侧安装有固定块
。
[0009]优选的，所述金属保护壳的横截面大于三组引脚的横截面，所述金属保护壳与引脚之间相配适
。
[0010]优选的，所述安装套的横截面大于晶体管主体的横截面，所述安装套与晶体管主体之间相配适
。
[0011]优选的，所述安装套内部的一侧均匀设置有内螺纹，所述安装套与固定块之间构成螺纹连接
。
[0012]优选的，所述安装片内部的中间位置处设置有孔体
。
[0013]优选的，所述安装片的一端弹性调节有防尘防护套，所述防尘防护套一端的边缘处安装有密封槽
。
[0014]优选的，所述密封槽的一端设置有密封条，且密封条的一端均与孔体的外侧壁固定
。
[0015]优选的，所述密封条与密封槽的横截面相配适，所述密封条与密封槽之间构成卡合结构
。
[0016]优选的，所述
N
型半导体的一侧均固定有导热硅胶，且导热硅胶的一侧均安装有散热鳍片
。
[0017]优选的，所述散热鳍片设置有两组，两组所述散热鳍片关于晶体管主体的中轴线呈对称分布
。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该高栅极击穿电压的场效应晶体管不仅实现了该场效应晶体管运输过程中对引脚的防护，避免运输过程中该引脚产生弯折损坏的现象，实现了对用于安装该场效应晶体管的固定螺栓进行防锈保护，而且实现了提高了该场效应晶体管的散热效果，避免产生高温损坏；
[0019](1)
通过设置有安装套
、
金属保护壳
、
固定块和螺纹杆等组件，该场效应晶体管运输过程中引脚暴露在外，易发生弯折损坏，通过设置的安装套将金属保护壳安装在晶体管主体的外侧壁使得金属保护壳套装在引脚的外侧壁对该引脚进行防护，使得该金属保护壳在运输过程中不易受到外力的挤压，同时金属保护壳采用金属材质，可以将引脚短路，放置外来的感应电势将栅极击穿；
[0020](2)
通过设置有防尘防护套
、
孔体
、
密封槽和密封条等组件，该场效应晶体管使用时通过取来固定件将其穿过安装片拧入到对应的安装位置将该场效应晶体管安装好，所设置的防尘防护套可翻动套装在螺栓的头部位置对该螺栓进行防护，避免外部的水和灰尘造成锈蚀影响后续的拧动拆装，从而方便了对该场效应晶体管的拆装；
[0021](3)
通过设置有导热硅胶和散热鳍片等组件，该场效应晶体管使用的过程中其内部的
N
型半导体运作会产生一定的热量，该
N
型半导体运作产生热量时导热硅胶可以对
N
型半导体进行导热后通过散热鳍片进行散热，从而提高了该场效应晶体管的散热效果，避免
N
型半导体出现温度过高的现象，使用效果更好
。
附图说明
[0022]图1为本专利技术的正视剖面结构示意图；
[0023]图2为本专利技术的引脚后视结构示意图；
[0024]图3为本专利技术的图1中
A
处放大结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高栅极击穿电压的场效应晶体管，包括晶体管主体
(2)
，其特征在于：所述晶体管主体
(2)
的一端安装有安装片
(1)
，所述晶体管主体
(2)
内部的两侧均设置有
N
型半导体
(15)
，所述安装片
(1)
内部的一端设置有
s
源极
(12)
，所述
s
源极
(12)
的一侧设置有
g
栅极
(13)
，所述
g
栅极
(13)
的一侧设置有
d
漏极
(14)
，所述
s
源极
(12)、g
栅极
(13)
和
d
漏极
(14)
的一端均安装有引脚
(4)
，所述晶体管主体
(2)
外侧壁的底端安装有安装套
(3)
，所述安装套
(3)
的底端安装有金属保护壳
(11)
，所述金属保护壳
(11)
一侧的顶端活动设置有螺纹杆
(6)
，且螺纹杆
(6)
的一侧安装有固定块
(5)。2.
根据权利要求1所述的一种高栅极击穿电压的场效应晶体管，其特征在于：所述金属保护壳
(11)
的横截面大于三组引脚
(4)
的横截面，所述金属保护壳
(11)
与引脚
(4)
之间相配适
。3.
根据权利要求1所述的一种高栅极击穿电压的场效应晶体管，其特征在于：所述安装套
(3)
的横截面大于晶体管主体
(2)
的横截面，所述安装套
(3)
与晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄景扬，
申请(专利权)人：先之科半导体科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：