一种制造技术

本实用新型专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种NTOLL封装结构


[0001]本技术涉及一种
NTOLL
封装结构
。

技术介绍

[0002]集成电路
(integrated circuit)
是一种微型电子器件或部件，把一个电路中所需元器件
(
如晶体管
、
电阻
、
电容
、
电感等
)
及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后进行封装，通过未完全封装的引脚实现与外部电路的电性连接，构建功能电路
。
[0003]现有的集成电路封装结构中基岛角落与塑封料齐平，加工制造过程中裁切时易卷边，影响贴片，且应用时容易从侧边进入水汽引起离子迁移
。
离子迁移是指金属如铜
、
银
、
锡等在一定条件下发生离子化并在电场作用下通过绝缘层向另一极迁移而导致绝缘性能下降
。
离子迁移有3要素：一是电势差，二是水汽，三是迁移的通道
。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术所存在的问题，本技术提供了一种
NTOLL
封装结构，该封装结构能够有效解决加工裁切过程中易卷边及水汽从侧边进入所引起的离子迁移问题
。
[0005]为此，本技术提供的
NTOLL
封装结构包括用于功能电路搭建的引线框架和用于封装的塑封层，所述引线框架包括用于元器件装配的基岛区和实现封装结构与外部电路电气连接的引脚区；所述塑封层将所述基岛区和所述引脚区全部进行塑封，且所述基岛区的左上位置和右上位置内缩，被所述塑封层包裹
。
[0006]在一些实施方式中，所述引脚区包括第一引脚和与所述第一引脚相间隔的第二引脚，所述第二引脚被配置相连接并间隔的多个引脚
。
[0007]在一些实施方式中，所述第一引脚和所述第二引脚之间的间距，以及所述第二引脚被配置的多个引脚之间的间距与
S
‑
TOLL
封装结构的引脚间接相同
。
[0008]在一些实施方式中，所述基岛区尺寸，所述引脚区所被配置的引脚数
、
引脚尺寸
、
引脚之间的间距，以及所述基岛区和所述引脚区之间的间距分别与
S
‑
TOLL
封装结构相同
。
[0009]在一些实施方式中，所述封装层由环氧塑封料形成
。
[0010]采用本技术技术方案所能实现的有益效果至少包括：
[0011]1)
本封装结构左上
、
右上两个位置的基岛内缩，被塑封料包裹住，防止了外露，有效地解决了因基岛与塑封料齐平而导致裁切时基岛易卷边的问题，且塑封层对基岛进行完全包裹，解决了封装结构应用时水汽从侧边进入引起的离子迁移问题
。
[0012]2)
将该封装结构基岛区尺寸，引脚区所被配置的引脚数
、
引脚尺寸
、
引脚之间的间距，以及基岛区和引脚区之间的间距分别与
S
‑
TOLL
封装结构相同，可以被直接使用在已经布局为
S
‑
TOLL
的
PCB
板上实现功能电路搭建，扩大了该封装结构的适用范围；且无需另外开模即可生成
。
[0013]3)
本结构塑封层包裹住管脚，有效地保护引脚在加工
、
运输
、
使用过程中遭受应力
损伤
。
[0014]4)
本封装结构塑封面积大，由热阻计算公式
θ
＝
L/(
λ
S)
，其中
L
是导热材料厚度，
S
是接触面积，
λ
是导热系数，可得出，
NTOLL
封装比类似
S
‑
TOLL
封装结构从底部至正面塑封料的热阻更小，更易于正面散热
。
附图说明
[0015]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理
。
显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
在附图中：
[0016]图1为本技术提供的
NTOLL
封装结构的正面图，图中阴影部分为透视；
[0017]图2为本技术提供的
NTOLL
封装结构的背面图，图中灰色区域为基岛区和引脚区
。
具体实施方式
[0018]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式
。
然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得技术将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员
。
[0019]离子迁移是指金属如铜
、
银
、
锡等在一定条件下发生离子化并在电场作用下通过绝缘层向另一极迁移而导致绝缘性能下降
。
离子迁移有3要素：一是电势差，二是水汽，三是迁移的通道
。
现有的集成电路封装结构中基岛角落与塑封料齐平，加工制造过程中裁切时易卷边，影响贴片，且应用时容易从侧边进入水汽引起离子迁移
。
[0020]MOS
管的
G/D/S
间有不同的电压，且内部构造固定，有迁移的固定通道，能阻止离子迁移的唯一途径是阻止水汽
。
本技术提供了一种封装结构，该封装结构将框架内缩，裁切时塑封料不与框架齐平，包裹住框架，能有效阻止水汽从侧边进入，有效地解决了因水汽引起的离子迁移
。
[0021]请参照图
1、2
，本技术提供了一种
NTOLL
封装结构，该封装结构包括用于功能电路搭建的引线框架1和用于封装的塑封层2，引线框架1包括用于元器件装配的基岛区
11
和实现封装结构与外部电路电气连接的引脚区
12
；塑封层2将基岛区
11
和引脚区
12
全部进行塑封，且基岛区
12
的左上位置和右上位置
(
图2圈住部分
)
内缩，被塑封层2包裹
。
基岛区
12
左
、
右上位置内缩距离可以被任意设定为既可以使基岛区被包裹，又可以保证基岛区布局面积的内缩距离，如
0.1mm
‑
0.5mm。
[0022]本封装结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
NTOLL
封装结构，其特征在于，该封装结构包括用于功能电路搭建的引线框架和用于封装的塑封层，所述引线框架包括用于元器件装配的基岛区和实现封装结构与外部电路电气连接的引脚区；所述塑封层将所述基岛区和所述引脚区全部进行塑封，且所述基岛区的左上位置和右上位置内缩，被所述塑封层包裹
。2.
根据权利要求1所述的
NTOLL
封装结构，其特征在于，所述引脚区包括第一引脚和与所述第一引脚相间隔的第二引脚，所述第二引脚被配置相连接并间隔的多个引脚
。3.
根据权利要求2所述的
NTOLL
封装结构，其特征在于，所述第一引脚和所述第二引脚之间的间距，以及所述第二引脚被配置的多个引脚之间的间距与
S<...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲宝华，廖光朝，
申请(专利权)人：重庆云潼科技有限公司，
类型：新型
国别省市：