两步磷光体沉积来制得矩阵阵列制造技术

一种制作布置在具有垂直的行和列的矩阵阵列

【技术实现步骤摘要】
两步磷光体沉积来制得矩阵阵列


[0001]本专利技术总体上涉及磷光体转换的发光二极管
。

技术介绍

[0002]半导体发光二极管和激光二极管
(
本文统称为“LED”)
属于目前可用的最有效的光源
。LED
的发射光谱通常在
(
由器件的结构和构成该器件的半导体材料的成分确定的
)
波长处呈现单一的窄峰
。
通过适当选取器件结构和材料体系，
LED
可以设计成在紫外
、
可见
、
或红外波长下操作
。
[0003]LED
可以与一种或多种波长转换材料
(
本文一般称为“磷光体”)
组合，该一种或多种波长转换材料吸收由
LED
发射的光并作为响应发射更长波长的光
。
对于这种磷光体转换的
LED(“pcLED”)
，由
LED
发射的
、
被磷光体吸收的光的比例取决于由
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种制作磷光体转换的
LED
的矩阵阵列的方法，所述方法包括：在第一磷光体沉积步骤中，在矩阵阵列中的交替位置处沉积磷光体材料以形成第一磷光体像素的棋盘图案，其中所述矩阵阵列中沉积第一磷光体像素的位置与阵列中未沉积第一磷光体像素的位置交替，所述第一磷光体像素包括沿水平方向延伸的顶表面
、
与所述顶表面相对的底表面
、
以及连接所述顶表面和所述底表面且沿垂直于所述水平方向的竖直方向延伸的侧壁，所述侧壁面向阵列中未沉积第一磷光体像素的位置；沉积反射结构，所述反射结构包括第一部分
、
第二部分
、
以及第三部分，所述第一部分覆盖所述第一磷光体沉积步骤中沉积的第一磷光体像素的侧壁，所述第二部分覆盖所述第一磷光体沉积步骤中沉积的第一磷光体像素的顶表面，所述第三部分沉积在所述第一磷光体沉积步骤中未沉积第一磷光体像素的位置处；以及在第二磷光体沉积步骤中，在沉积所述反射结构之后，沉积磷光体材料以在所述第一磷光体沉积步骤中未沉积第一磷光体像素的所述矩阵阵列中的交替位置处形成第二磷光体像素，所述第二磷光体像素具有顶表面
、
底表面
、
以及侧壁，所述顶表面沿所述水平方向延伸，所述底表面与所述顶表面相对并且沉积在所述第三部分上且与所述第三部分接触，所述侧壁连接所述顶表面和所述底表面，使得在第一磷光体沉积步骤和第二磷光体沉积步骤之后，所得矩阵阵列中的第一磷光体像素和第二磷光体像素中的相邻第一磷光体像素和第二磷光体像素与所述反射结构之一接触并被所述反射结构之一隔开，并且所述第一磷光体像素和所述第二磷光体像素中的相邻第一磷光体像素和第二磷光体像素具有在所述竖直方向上不对齐的顶表面和底表面中的至少一个
。2.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一磷光体像素和所述第二磷光体像素被所述反射结构隔开小于或等于
10
微米
。3.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一磷光体像素和所述第二磷光体像素被所述反射结构隔开小于或等于3微米
。4.
根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一磷光体沉积步骤中沉积的第一磷光体像素的侧壁上沉积反射结构还包括在所述磷光体转换的
LED
的矩阵阵列的其他表面上沉积反射结构，包括在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：亮锐有限责任公司，
类型：发明
国别省市：