一种小间距制造技术

本发明专利技术涉及一种小间距

【技术实现步骤摘要】
一种小间距LED芯片切割后翻膜方法及系统


[0001]本专利技术涉及
LED
芯片后道制程
，具体涉及一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法及系统
。

技术介绍

[0002]LED
作为
21
世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的
l/10
，而寿命却可以延长
100
倍
。LED
器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞
、
铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染
。
因此，半导体灯具有节能
、
环保
、
寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋
。
无论从节约电能
、
降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，
LED
作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力
。LED
芯片发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，已被广泛应用于大屏显示
、
景观照明
、
交通信号灯
、
汽车状态显示等各个领域
。
[0003]随着芯片下游封装技术的进步及上游成本的压力，
LED
芯片产品尺寸逐步向小间距
、Mini、Micro
等芯片发展
。
随着
LED
芯片尺寸的小间距化发展，在
LED 芯片后道制备工艺中，芯片经过切割作业，由芯片变成一颗颗独立的管芯后，还需要经过一系列的检验
、
倒膜
、
分档
、
到最后的成品入库销售
。LED
芯片小间距的发展，也带来了更多
chip
的产出，同时也会造成
chip
之间的缝隙更加缩小，小尺寸的
chip
加上微小的间距也造成了最后制程中翻膜
(
从一张膜倒到另外一张膜上
)
的困难
。
因此
,
小间距
LED
芯片的发展，在现有切割后芯片的作业流程中逐步凸显出弊端，在最后的人工翻膜作业过程中，由于
chip
颗粒小缝隙密，受力面积的变化造成翻膜的困难，经常性出现翻膜
chip
颗粒不动或者用力过猛时直接翻掉
chip
颗粒造成产品损失，作业效率低且异常率高
。
[0004]因此亟需一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法
。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法及系统，以解决上述
技术介绍
中提出的问题
。
[0006]本专利技术的技术方案为：
[0007]一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法
,
包括
:
[0008]步骤
(1)
，扩膜：将切割后的芯片蓝膜通过扩膜机进行膜的扩张，同时芯片蓝膜上的
chip
颗粒通过膜的扩张增大
chip
颗粒之间的间距；
[0009]步骤
(2)
，翻
N
面：通过翻膜作业将芯片蓝膜上的
chip
颗粒
P
面粘附在芯片蓝膜上，
chip
颗粒
N
面朝上；
[0010]步骤
(3)
，分档：根据芯片参数进行范围划分，根据划分的参数范围对不同的
chip
颗粒进行分档；
[0011]步骤
(4)
，翻成品膜：根据分档后的参数范围，将芯片通过翻膜作业分到不同的成
品膜上；
[0012]步骤
(5)
，入库：将相同参数范围的成品膜进行包装，完成入库
。
[0013]进一步地，所述步骤
(1)
中，通过扩膜机进行膜的扩张，所述扩膜机设定扩膜温度为
70
±
5℃
，扩膜时间5‑
25s。
[0014]进一步地，所述步骤
(2)
中，翻膜作业包括利用压膜机把
chip
颗粒从一张蓝膜上翻到另外一张蓝膜上进行换膜操作
。
[0015]进一步地
,
所述步骤
(2)
中压膜机的加热温度设定为
60
±
5℃
，压膜时间 15
‑
30s
，压缩空气压力为2‑
4Kg。
[0016]进一步地，所述步骤
(3)
中，芯片参数包括亮度
、
电压
、
波长
、
反向漏电流和反向电压参数
。
[0017]进一步地，所述步骤
(3)
中，根据划分的参数范围对不同的
chip
颗粒进行分档
,
包括将芯片覆盖在晶圆图上，将晶圆图的参数结果按参数范围在芯片表面覆盖的蓝膜上描摹，将不同的参数区域描摹在蓝膜上
。
[0018]进一步地，所述步骤
(4)
中，根据分档后的参数范围，将芯片通过翻膜作业分到不同的成品膜上，包括通过翻膜作业将蓝膜上的
chip
颗粒
N
面粘附在蓝膜上，
chip
颗粒
P
面朝上
。
[0019]一种小间距
LED
芯片切割后翻膜系统，包括：
[0020]扩膜机，通过扩膜机将切割后的芯片蓝膜进行膜的扩张；
[0021]压膜机，通过压膜机进行翻膜作业，并制成成品膜；
[0022]包装设备，通过包装设备将成品膜进行包装入库
。
[0023]进一步地，所述扩膜机设定扩膜温度为
70
±
5℃
，扩膜时间5‑
25s。
[0024]进一步地，所述压膜机加热温度为
60
±
5℃
，压膜时间
15
‑
30s
，压缩空气压力为2‑
4Kg。
[0025]本专利技术的有益效果为：
[0026]1、
本专利技术提出一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法，针对性的根据小间距 LED
芯片切割后翻膜困难的原因在现有工艺流程上进行优化创新，不仅缩短了原来工艺流程
,
省去了一步翻膜步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法，其特征在于，包括：步骤
(1)
，扩膜：将切割后的芯片蓝膜通过扩膜机进行膜的扩张，同时芯片蓝膜上的
chip
颗粒通过膜的扩张增大
chip
颗粒之间的间距；步骤
(2)
，翻
N
面：通过翻膜作业将芯片蓝膜上的
chip
颗粒
P
面粘附在芯片蓝膜上，
chip
颗粒
N
面朝上；步骤
(3)
，分档：根据芯片参数进行范围划分，根据划分的参数范围对不同的
chip
颗粒进行分档；步骤
(4)
，翻成品膜：根据分档后的参数范围，将芯片通过翻膜作业分到不同的成品膜上；步骤
(5)
，入库：将相同参数范围的成品膜进行包装，完成入库
。2.
如权利要求1所述的一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法，其特征在于，所述步骤
(1)
中，扩膜机设定扩膜温度为
70
±
5℃
，扩膜时间5‑
25s。3.
如权利要求1所述的一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法，其特征在于，所述步骤
(2)
中，翻膜作业包括利用压膜机把
chip
颗粒从一张蓝膜上翻到另外一张蓝膜上进行换膜操作
。4.
如权利要求1所述的一种小间距
LED
芯片切割后翻膜方法，其特征在于，所述步骤
(2)
中压膜机的加热温度设定为
60
±
5℃
，压膜时间
15
‑
30s
，压缩空气压力为2‑
4Kg。5.
如权利要求1所述的一种小...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑军，李琳琳，闫宝华，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：