【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种提高粗化效率的led芯片及其制备方法，属于光电子。
技术介绍
1、发光二极管led作为早期的半导体电子器件，目前已经较为成熟，被广泛应用于室内照明、室外照明、背光显示、植物栽培、医疗等各个领域，gaas基材料是led发展过程中的重要一员，外延材料algainp是红黄光led的发光来源，目前如何进一步提高发光亮度是gaas基led面临的瓶颈问题。
2、led的亮度主要由内量子效率和外量子效率决定，外量子效率由内量子效率以及光提取效率共同影响。其中，内量子效率主要由外延材料决定，因此，在工艺生产过程中，提高光提取效率成为提高led亮度的主要手段。目前，提高光提取效率的主要方法有键合、引入反射镜、粗化等，且各种方法均已发展成熟，如何进一步提高led的亮度，满足市场对led亮度的需求，成为业界研究人员需亟待解决的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供一种提高粗化效率的led制备方法，在常规湿法粗化的基础上，对要粗化的外延层做掩膜保护，进而进行湿法...
【技术保护点】
1.一种提高粗化效率的LED芯片，其特征在于，包括由下到上依次设置的GaAs衬底、DBR反射镜结构、第一半型导体层、有源层、第二型半导体层、过渡层、GaP电流扩展层和GaP欧姆接触层，GaP欧姆接触层上侧设置有洞槽和P面电极，GaAs衬底下侧设置有N面电极。
2.如权利要求1所述的提高粗化效率的LED芯片，其特征在于，第一型半导体层为N型半导体结构，有源层为MQW多量子阱结构，第二型半导体层为P型半导体结构。
3.如权利要求2所述的提高粗化效率的LED芯片，其特征在于，P面电极为叠层结构，从下到上依次为Al/Ti/Pt/Au，厚度分别为
...【技术特征摘要】
1.一种提高粗化效率的led芯片，其特征在于，包括由下到上依次设置的gaas衬底、dbr反射镜结构、第一半型导体层、有源层、第二型半导体层、过渡层、gap电流扩展层和gap欧姆接触层，gap欧姆接触层上侧设置有洞槽和p面电极，gaas衬底下侧设置有n面电极。
2.如权利要求1所述的提高粗化效率的led芯片，其特征在于，第一型半导体层为n型半导体结构，有源层为mqw多量子阱结构，第二型半导体层为p型半导体结构。
3.如权利要求2所述的提高粗化效率的led芯片，其特征在于，p面电极为叠层结构，从下到上依次为al/ti/pt/au，厚度分别为
4.如权利要求3所述的提高粗化效率的led芯片，其特征在于，n面电极为叠层结构，自下而上依次为ni/au/g...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭建萍，吴向龙，王成新，闫宝华，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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