一种被测单元测试方法及被测单元测试系统技术方案

技术编号:42682221 阅读:24 留言:0更新日期:2024-09-10 12:31
本发明专利技术公开了一种被测单元测试方法及被测单元测试系统。本发明专利技术的被测单元测试方法通过获取被测单元的图像,根据图像将被测单元划分为中心区域和外围区域,被测单元的圆心与中心区域的外接圆的圆心重合。对所有处于外围区域内的矩形晶粒进行测试,对中心区域内的一部分晶粒进行测试,中心区域内被测试的晶粒的数量为N1,中心区域内的晶粒的总数为N2,1%≤N1/N2≤10%。被测单元的外围区域内的晶粒的良品率相较中心区域的晶粒的良品率低,将被测单元划分成中心和外围两个区域然后对良品率低的外围区域的矩形晶粒全部测试,对良品率高的中心区域的晶粒进行部分抽取测试,这样就不用测试全部晶粒,减少了测试的晶粒数量,提高了测试效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域,具体涉及一种被测单元测试方法及被测单元测试系统


技术介绍

1、被测单元在制造好之后,在封装之前要进行测试,将不良品发现且剔除。传统的晶粒测试方法将整个被测单元内的所有晶粒进行测试,这导致对被测单元的测试效率低下。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提出一种被测单元测试方法,对被测单元内圈的晶粒进行部分抽取测试,对被测单元外圈的晶粒全测,提高测试效率。

2、本专利技术还提出一种用于上述被测单元测试方法的被测单元测试系统。

3、根据本专利技术的第一方面实施例的被测单元测试方法,包括以下步骤:

4、获取被测单元的图像,根据图像将被测单元划分为中心区域和外围区域,被测单元的圆心与中心区域的外接圆的圆心重合,被测单元的外径为d1,外接圆的外径为d2,0<(d1-d2)/d2<0.02。对所有处于外围区域内的矩形晶粒进行测试,对中心区域内的一部分晶粒进行测试,中心区域内被测试的晶粒的数量为n1,中心区域内的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.被测单元测试方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的被测单元测试方法,其特征在于,所述被测单元测试方法还包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的被测单元测试方法,其特征在于,所述被测单元测试方法还包括生成所述晶粒的坐标图,生成所述晶粒的坐标图的步骤包括:

4.根据权利要求2所述的被测单元测试方法,其特征在于,在确定所述被测单元的圆心及所述被测单元的大小之前,将被测单元调整至水平。

5.根据权利要求3所述的被测单元测试方法,其特征在于,扫描所述第一半区的步骤包括:

6.根据权利要求3所述的被测单元测试方法,其...

【技术特征摘要】

1.被测单元测试方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的被测单元测试方法,其特征在于,所述被测单元测试方法还包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的被测单元测试方法,其特征在于,所述被测单元测试方法还包括生成所述晶粒的坐标图,生成所述晶粒的坐标图的步骤包括:

4.根据权利要求2所述的被测单元测试方法,其特征在于,在确定所述被测单元的圆心及所述被测单元的大小之前,将被测单元调整至水平。

5.根据权利要求3所述的被测单元测试方法,其特征在于,扫描所述第一半区的步骤包括:

6.根据权利要求3所述的被测单元测试方法,其特征在于,扫描所述第二半区的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员:林港睿
申请(专利权)人:矽电半导体设备深圳股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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