一种制造技术

本发明专利技术提供一种

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片制作方法及其LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种
LED
芯片制作方法及其
LED
芯片
。

技术介绍

[0002]LED
具有将电转化为光的特性，使用范围非常广
。
其核心部件为一个半导体晶片，
LED
封装是将
LED
晶片与基板通过金线键合连接
。
键合工艺中，焊线不良问题在
LED
失效模式中占有很大比例，是
LED
的重要失效模式
。
因此在
LED
出货前需对其进行可靠性验证，需测试金线焊接后的参数是否达到标准
。
[0003]其中，对
LED
晶片进行推拉力的评估是
LED
产品性能评估重要的一环，在传统的性能评估过程中，由于电极外围底部材料为透明导电层，透明导电层一般为铟锡氧化物（
ITO
）或铟锌氧化物（
IZO
），与金属粘附力较差，易造成外围电极焊线不良，推球后的
LED
晶片的电极容易脱落，最终导致推力不合格，甚至出现撕金现象
。
[0004]现有技术中，主要通过增加与透明导电层粘附的粘附层的厚度，可以一定程度提高粘附力避免出现撕金现象，但是黏附层过厚，影响电极反射率，导致亮度下降
。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种
LED
芯片制作方法及其
LED
芯片，旨在解决现有技术中的通过增加与透明导电层粘附的粘附层的厚度避免出现撕金现象而导致
LED
芯片亮度下降的问题
。
[0006]本专利技术实施例是这样实现的：一方面，本专利技术提出一种
LED
芯片制作方法，所述方法包括：提供一制作好透明导电层的半成品
LED
芯片；在所述透明导电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化；在球化后的所述加固层依次生成黏附金属层
、
反射金属层
、
过渡层以及焊线层
。
[0007]进一步的，上述
LED
芯片制作方法，其中，所述加固层包括
Al
层
。
[0008]进一步的，上述
LED
芯片制作方法，其中，所述加固层的厚度为5Å
~30
Å
。
[0009]进一步的，上述
LED
芯片制作方法，其中，所述在所述透明导电层表面上生成加固层的步骤包括：在蒸镀机台内置加固层所需靶材，通过所述蒸镀机台在所述透明导电层表面上蒸镀加固层
。
[0010]进一步的，上述
LED
芯片制作方法，其中，所述黏附金属层厚度为
10
Å
~50
Å
。
[0011]进一步的，上述
LED
芯片制作方法，其中，所述在所述透明导
a
电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化的步骤中，所述加固层的退火温度为
300℃~700℃。
[0012]进一步的，上述
LED
芯片制作方法，其中，所述在所述透明导电层表面上生成加固
层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化的步骤中，所述加固层的退火时间为
2min~10min。
[0013]进一步的，上述
LED
芯片制作方法，其中，所述提供一制作好透明导电层的半成品
LED
芯片的步骤包括：提供一图形化衬底；依次在所述图形化衬底上生长缓冲层
、N 型半导体层
、
发光层 a
和 P 型半导体层；以光刻工艺技术刻蚀形成部分 N 型半导体层的暴露区域，后在 所述 N 型半导体层和 P 型半导体层上分别沉积电流阻挡层；在沉积所述电流阻挡层后的所述 P 型半导体层上沉积透明导电 层
。
[0014]进一步的，上述
LED
芯片制作方法，其中，在所述在球化后的所述加固层依次生成黏附金属层
、
反射金属层
、
过渡层以及焊线层的步骤之后还包括：制作保护层，以对所述半成品
LED
芯片的表面除漏出打线部的其余部分进行包覆
。
[0015]另一方面，本专利技术提供一种
LED
芯片，采用上述的
LED
芯片制作方法制作得到，该
LED
芯片包括图形化衬底
、
设置在衬底上的缓冲层
、N
型半导体层
、
发光层
、P
型半导体层
。
[0016]本专利技术通过在透明导电层上沉积一层加固层，然后进行退火，加固层在透明导电层表面球化；后续沉积的黏附金属层会与球化的加固层形成铆钉效应，而在粘附层极薄的情况下，也可以得到良好的粘结效果，避免了增加黏附金属层的厚度，解决了现有技术中的芯片通过增加与透明导电层粘附的粘附层的厚度避免出现撕金现象而导致
LED
芯片亮度下降的问题
。
附图说明
[0017]图1为本专利技术一实施例当中的
LED
芯片制作方法的流程图；图2为本专利技术一实施例当中的
LED
芯片的部分结构示意图
。
[0018]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术
。
具体实施方式
[0019]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述
。
附图中给出了本专利技术的若干实施例
。
但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例
。
相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面
。
[0020]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件
。
当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件
。
本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的
。
[0021]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同
。
本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术
。
本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合
。
[0022]现有技术中，主要通过增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
LED
芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一制作好透明导电层的半成品
LED
芯片；在所述透明导电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化；在球化后的所述加固层依次生成黏附金属层
、
反射金属层
、
过渡层以及焊线层
。2.
根据权利要求1所述的
LED
芯片制作方法，其特征在于，所述加固层包括
Al
层
。3.
根据权利要求1所述的
LED
芯片制作方法，其特征在于，所述加固层的厚度为5Å
~30
Å
。4.
根据权利要求1所述的
LED
芯片制作方法，其特征在于，所述在所述透明导电层表面上生成加固层的步骤包括：在蒸镀机台内置加固层所需靶材，通过所述蒸镀机台在所述透明导电层表面上蒸镀加固层
。5.
根据权利要求1所述的
LED
芯片制作方法，其特征在于，所述黏附金属层厚度为
10
Å
~50
Å
。6.
根据权利要求1所述的
LED
芯片制作方法，其特征在于，所述在所述透明导电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化的步骤中，所述加固...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚，张星星，李美玲，陈越，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：