LED制造技术

在背板上形成

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】LED转移材料以及工艺
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请请求
2021
年3月
16
日提出之标题为“LED TRANSFER MATERIALS AND PROCESSES”的美国临时申请案第
63/161,820
号的优先权权益，其内容出于所有目的借由参照其全文的方式并入本文
。


[0003]本技术关于半导体处理与材料
。
更明确地，本技术关于用于
LED
部件的转移工艺及材料
。

技术介绍

[0004]LED
显示面板可被形成具有若干光源，这些光源作为显示器上的像素操作
。
此像素可被形成具有单色光源，此单色光源接着被滤光以产生颜色，或此像素可各自具有被形成的个别的红
、
蓝及绿光源
。
在任一种场景中，数百万计的光源可被形成且与背板
(backplane)
连接以用于操作
。
随着装置尺寸持续发展，而像素缩减至微米或更小尺度，对准与转移操作会变的具挑战性，其会影响产生可靠显示装置的能力
。
[0005]因此，有着对于可用以产生高质量装置及结构的改善系统与方法的需求
。
这些需求与其他需求可借由本技术所解决
。

技术实现思路

[0006]在背板上形成
LED
结构的范例处理方法可包括将第一转移基板与
LED
来源基板耦合
。LED
来源基板可包括多个经制造
LED。
可以用在第一转移基板与多个经制造
LED
的每个
LED
之间延伸的第一耦合材料来产生第一转移基板的耦合
。
此方法可包括从多个经制造
LED
分离
LED
来源基板
。
此方法可包括将第二转移基板与第一转移基板耦合
。
可以用在第二转移基板与多个经制造
LED
的每个
LED
之间延伸的第二耦合材料来产生第一转移基板的耦合
。
此方法可包括从第二转移基板分离第一转移基板
。
此方法可包括将多个经制造
LED
与显示器背板接合
(bonding)。
[0007]在一些实施例中，第二转移基板与支撑显示器背板的基板可特征在于小于或约
20
％的热膨胀系数差
。
第二转移基板与支撑显示器背板的基板各自可以是或包括玻璃
、
硅或聚合材料
。
从多个经制造
LED
分离
LED
来源基板可包括引导激光穿过
LED
来源基板的背侧以从多个经制造
LED
解耦合
LED
来源基板
。
第一耦合材料可特征在于大于或约
100℃
的开始
(on set)
或释放温度
。
第二耦合材料可特征在于大于或约
150℃
的开始或释放温度
。
第二耦合材料可特征在于大于在多个经制造
LED
的每个
LED
上的触点的熔化温度的开始或释放温度
。
第一耦合材料与第二耦合材料各自可以是黏着材料
(adhesive material)、
聚合有机硅材料或
UV
释放聚合物中的一者
。
第一耦合材料与第二耦合材料可以是相同材料
。
第一耦合材料与第二耦合材料的至少一者可以是丙烯酸黏着材料
。
第一耦合材料与第二耦合材料的厚度可小于或约
100
μ
m。
[0008]本技术的实施例可涵盖在背板上形成
LED
结构的方法
。
此方法可包括借由第一耦合材料将第一转移基板与多个经制造
LED
的每个
LED
的第一表面耦合
。
多个经制造
LED
的每个
LED
的第一表面可包括金属触点
。
相对于每个
LED
的第一表面的多个经制造
LED
的每个
LED
的第二表面可与
LED
来源基板耦合
。
此方法可包括从多个经制造
LED
的每个
LED
的第二表面分离
LED
来源基板
。
此方法可包括借由第二耦合材料将第二转移基板与多个经制造
LED
的每个
LED
的第二表面耦合
。
此方法可包括从第二转移基板分离第一转移基板
。
多个经制造
LED
的每个
LED
可被第二转移基板保持
。
此方法可包括将多个经制造
LED
的每个
LED
的第一表面与显示器背板接合
。
[0009]在一些实施例中，第一耦合材料与第二耦合材料各自可以是黏着材料
、
聚合有机硅材料或
UV
释放聚合物中的一者
。
第一耦合材料与第二耦合材料的至少一者可以是热可膨胀黏着材料，该热可膨胀黏着材料特征在于低于金属触点的熔化温度的释放温度
。
第一耦合材料与第二耦合材料的至少一者可以是热可膨胀黏着材料，该热可膨胀黏着材料特征在于高于金属触点的熔化温度的释放温度
。
第二转移基板与支撑显示器背板的基板可特征在于小于或约
20
％的热膨胀系数差
。
[0010]本专利技术的一些实施例可涵盖在背板上形成
LED
结构的方法
。
此方法可包括借由第一耦合材料将第一转移基板与多个经制造
LED
的每个
LED
的第一表面耦合
。
多个经制造
LED
的每个
LED
的第一表面可包括金属触点
。
相对于每个
LED
的第一表面的多个经制造
LED
的每个
LED
的第二表面可与蓝宝石基板耦合
。
此方法可包括以激光剥离工艺从多个经制造
LED
的每个
LED
的第二表面分离蓝宝石基板
。
此方法可包括借由第二耦合材料将第二转移基板与多个经制造
LED
的每个
LED
的第二表面耦合
。
此方法可包括从第二转移基板分离第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种在背板上形成
LED
结构的方法，所述方法包含以下步骤：将第一转移基板与
LED
来源基板耦合，其中所述
LED
来源基板包含多个经制造
LED
，且其中用在所述第一转移基板与所述多个经制造
LED
的每个
LED
之间延伸的第一耦合材料来产生所述第一转移基板的所述耦合；从所述多个经制造
LED
分离所述
LED
来源基板；将第二转移基板与所述第一转移基板耦合，其中用在所述第二转移基板与所述多个经制造
LED
的每个
LED
之间延伸的第二耦合材料来产生所述第二转移基板的所述耦合；从所述第二转移基板分离所述第一转移基板；和将所述多个经制造
LED
与显示器背板接合
。2.
如权利要求1所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第二转移基板与支撑所述显示器背板的基板特征在于小于或约
20
％的热膨胀系数差
。3.
如权利要求2所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第二转移基板与支撑所述显示器背板的所述基板各自包含玻璃
、
硅或聚合材料
。4.
如权利要求1所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中从所述多个经制造
LED
分离所述
LED
来源基板的步骤包含以下步骤：引导激光穿过所述
LED
来源基板的背侧，以从所述多个经制造
LED
解耦合所述
LED
来源基板
。5.
如权利要求1所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第一耦合材料特征在于大于或约
100℃
的开始或释放温度
。6.
如权利要求5所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第二耦合材料特征在于大于或约
150℃
的开始或释放温度
。7.
如权利要求6所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第二耦合材料特征在于开始或释放温度，所述开始或释放温度大于在所述多个经制造
LED
的每个
LED
上的触点的熔化温度
。8.
如权利要求1所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料各自为黏着材料
、
聚合有机硅材料或
UV
释放聚合物中的一者
。9.
如权利要求8所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料是相同材料
。10.
如权利要求8所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料的至少一者是丙烯酸黏着材料
。11.
如权利要求1所述在背板上形成
LED
结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料的厚度小于或约
100
μ
m。12.
一种在背板上形成
LED
结构的方法，所述方法包含以下步骤：借由第一耦合材料将第一转移基板与多个经制造
LED
的每个
LED
的第一表面耦合，其中所述多个经制造
LED
的每个
LED
的所述第一表面包含金属触点，且其中与每个
LED
的所述第一表面相对的所述多个经制造
LED
的每个
LED
的第二表面与
LED
来源基板耦合；从所述多个经制造
LED
的每个<...

【专利技术属性】
技术研发人员：浩，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：