一种芯片转移方法和显示面板制作方法技术

本发明专利技术涉及一种芯片转移方法和显示面板制作方法

【技术实现步骤摘要】
一种芯片转移方法和显示面板制作方法


[0001]本专利技术涉及芯片转移领域，尤其涉及一种芯片转移方法和显示面板制作方法
。

技术介绍

[0002]Mini LED(Mini Light Emitting Diode
，次毫米发光二极管
)
显示面板
、Micro LED(Micro Light Emitting Diode
，微型发光二极管
)
显示面板等小间距
LED(Light Emitting Diode
，发光二极管
)
显示面板与传统的液晶显示面板相比，其分辨率
、
对比度
、
响应速度及能耗等方面具有一定优势
。
在这些小间距的
LED
显示面板制作时，需要用到巨量转移技术，将大量发光芯片转移到电路板上
[0003]为了提高芯片转移的效率，一些技术中采用了将发光芯片直接转移至接收基板的方式，然而，这种转移方式的良率不高，发光芯片在向接收基板掉落时容易倾斜
、
侧立甚至是翻转
。
[0004]因此，如何保证芯片从生长基板上掉落到接收基板时的转移良率是亟需解决的问题
。

技术实现思路

[0005]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移方法和显示面板制作方法，旨在解决芯片从生长基板上掉落到接收基板时的转移良率低的问题
。
[0006]一种芯片转移方法，包括提供一芯片生长基板，所述芯片生长基板上生长有待转移芯片；
[0007]在所述芯片生长基板上形成临时固定层，所述临时固定层的厚度不小于所述待转移芯片与所述芯片生长基板之间的氮化镓缓冲层的厚度但不完全覆盖所述氮化镓缓冲层的侧面，且所述待转移芯片的侧壁与所述临时固定层连接；
[0008]去除所述氮化镓缓冲层，所述待转移芯片通过所述临时固定层留在所述芯片生长基板上；
[0009]使所述待转移芯片与所述临时固定层解除连接以使所述待转移芯片自所述芯片生长基板上脱落；
[0010]所述使所述待转移芯片与所述临时固定层解除连接之前，还将所述芯片生长基板对准接收基板，所述待转移芯片自所述芯片生长基板上脱落后，落至所述接收基板上
。
[0011]上述芯片转移方法通过临时固定层将待转移芯片与芯片生长基板固定，先去除掉待转移芯片上的氮化镓缓冲层，使其产生的气体在不影响待转移芯片的情况下先释放掉，因而在使待转移芯片实际脱离芯片生长基板时，不会受到氮化镓缓冲层的分解产生的气体影响，更容易保持稳定的姿态自然地向下掉落
。
因此，本实施例的芯片转移方法能够使得待转移芯片在掉落的过程中发生倾斜
、
侧立甚至是翻转等情况减少，保证芯片的转移良率
[0012]可选地，所述临时固定层包括光解胶层，所述使所述待转移芯片与所述临时固定层解除连接包括通过目标光线照射所述光解胶层以使所述光解胶层解粘
。
[0013]光解胶层在解粘的过程中不会产生气体，且应用较为广泛，易于操作
。
[0014]可选地，所述对所述光解胶层进行刻蚀还包括：
[0015]去除相邻的所述待转移芯片之间的部分所述光解胶层，使各所述待转移芯片所连接的所述光解胶层相互独立
。
[0016]通过将相邻待转移芯片，明确地将不同待转移芯片所对应的光解胶层分割开，解粘的光解胶层不会影响到附近暂时无需转移的待转移芯片的光解胶层，保证在选择性转移过程中的不影响到其他待转移芯片
。
将各个待转移芯片的光解胶层独立起来使得待转移芯片不会牵扯到周围其他的待转移芯片的光解胶层，避免待转移芯片在脱落时带动光解胶层而导致将周围其他的待转移芯片被扯动甚至一并扯下的情况出现
。
[0017]可选地，所述粘性胶层包括异方性导电胶，所述接收基板包括固晶区，所述接收基板设有所述固晶区的一面上设置所述异方性导电胶；
[0018]所述将所述芯片生长基板对准接收基板还包括将所述待转移芯片对准所述固晶区；
[0019]所述待转移芯片落至所述接收基板上之后，还包括：
[0020]下压所述待转移芯片，使所述待转移芯片的电极与所述固晶区上的电极接触；
[0021]固化所述异方性导电胶以使所述待转移芯片固定
。
[0022]通过上述转移方法将待转移芯片直接转移到固晶区上，只需一次转移，无需中间的其他转移步骤，而每次转移操作时都有可能出现不良情况，通过减少了转移的次数，不仅提高了芯片转移效率，也保证了芯片转移的良率
。
[0023]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板制作方法，包括：
[0024]提供生长有第一发光芯片的第一发光芯片生长基板，按照预定的像素排列位置选择性的将所述第一发光芯片生长基板上的至少部分所述第一发光芯片通过上述的芯片转移方法转移至电路板的第一区域；
[0025]提供生长有第二发光芯片的第二发光芯片生长基板，按照预定的像素排列位置选择性的将所述第二发光芯片生长基板上的至少部分所述第二发光芯片通过上述的芯片转移方法转移至电路板的第二区域；
[0026]提供生长有第三发光芯片的第三发光芯片生长基板，按照预定的像素排列位置选择性的将所述第三发光芯片生长基板上的至少部分所述第三发光芯片通过上述的芯片转移方法转移至电路板的第三区域；
[0027]所述第一发光芯片
、
所述第二发光芯片以及所述第三发光芯片的颜色互不相同
。
[0028]上述显示面板制作方法采用前述的芯片转移方法对芯片进行转移，因此，在制作显示面板的过程中，保证了发光芯片转移的稳定性以及显示面板的整体良品率
。
附图说明
[0029]图1为本专利技术实施例提供的芯片转移方法的基本流程示意图；
[0030]图2为本专利技术实施例提供的芯片生长基板和待转移芯片的结构示意图；
[0031]图3为本专利技术实施例提供的去除氮化镓缓冲层后的示意图；
[0032]图4为本专利技术实施例提供的待转移芯片自芯片生长基板上脱落的示意图；
[0033]图5为本专利技术实施例提供的临时固定层的结构示意图一；
[0034]图6为图5的俯视示意图；
[0035]图7为本专利技术实施例提供的临时固定层的结构示意图二；
[0036]图8为本专利技术实施例提供的临时固定层的结构示意图三；
[0037]图9为本专利技术实施例提供的旋涂光解胶层的示意图；
[0038]图
10
为图9去除待转移芯片1的端面上的光解胶层的示意图；
[0039]图
11
为本专利技术实施例提供的光解胶层相互独立的示意图；
[0040]图
12
为本专利技术实施例提供的去除氮化镓缓冲层的示意图；
[0041]图
13<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片转移方法，其特征在于，包括：提供一芯片生长基板，所述芯片生长基板上生长有待转移芯片；在所述芯片生长基板上形成临时固定层，所述临时固定层的厚度不小于所述待转移芯片与所述芯片生长基板之间的氮化镓缓冲层的厚度但不完全覆盖所述氮化镓缓冲层的侧面，且所述待转移芯片的侧壁与所述临时固定层连接；去除所述氮化镓缓冲层，所述待转移芯片通过所述临时固定层留在所述芯片生长基板上；使所述待转移芯片与所述临时固定层解除连接以使所述待转移芯片自所述芯片生长基板上脱落；所述使所述待转移芯片与所述临时固定层解除连接之前，还将所述芯片生长基板对准接收基板，所述待转移芯片自所述芯片生长基板上脱落后，落至所述接收基板上
。2.
如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述临时固定层包括以下任一种：所述临时固定层设于所述待转移芯片相对的两侧，与所述待转移芯片的两侧连接；所述临时固定层设于所述待转移芯片的四角，与所述待转移芯片的四棱连接；所述临时固定层环绕所述待转移芯片的设置，所述临时固定层于任意一处形成有排气缺口，所述排气缺口露出所述氮化镓缓冲层的侧面的一部分
。3.
如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述临时固定层包括光解胶层，所述使所述待转移芯片与所述临时固定层解除连接包括通过目标光线照射所述光解胶层以使所述光解胶层解粘
。4.
如权利要求3所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在所述芯片生长基板上设置临时固定层包括：在所述芯片生长基板上设置一层厚度不小于所述氮化镓缓冲层的厚度的光解胶层；对所述光解胶层进行刻蚀，去除所述待转移芯片的端面上的所述光解胶层且使所述光解胶层露出所述氮化镓缓冲层的侧面的一部分
。5.
如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述对所述光解胶层进行刻蚀还包括：去除相邻的所述待转移芯片之间的部分所述光解胶层，使各所述待转移芯片所连接的所述光解胶层相互独立
。6.
如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述去除所述氮化镓缓冲层包括：使用对所述临时固定层无改性影响的第一激光照射所述氮化镓缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋光平，林浩翔，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：