一种改善电解失效的制造技术

本发明专利技术提供一种改善电解失效的

【技术实现步骤摘要】
一种改善电解失效的LED芯片制备方法及LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体芯片
，特别涉及一种改善电解失效的
LED
芯片制备方法及
LED
芯片
。

技术介绍

[0002]随着
LED
显示屏的分辨率逐步提高
、
像素点越来越多，每个
LED
像素点的点间距越来越小，每个
LED
显示屏所需要的芯片数量达到几百万
、
甚至几千万颗
、
每颗芯片的成本关乎显示屏产品的利润
。
为了追求更高的分辨率，显示屏使用的电源刷新频率逐步上升，电场密度也逐步增加
。
在较强电场密度的作用下，加上封装及使用过程中可能的水气对封装体的渗入，
LED
芯片很容易出现金属解离的问题，从而导致显示屏死灯失效的问题
。
[0003]随着外延
、
芯片制程
、
封装等工艺技术的不断发展，很多之前常见的失效问题已经得到很好的解决，而湿气下的芯片解离问题成为目前显示产品的主要难题之一
。
所以如何提升
LED
显示屏的抗金属解离能力，是
LED
高分辨率显示屏急需改善的问题
。
[0004]目前在高分辨率
LED
显示屏的使用环境下，主要通过封装及模组保护避免水气渗入机制程中防止遭受污染，而忽略了对
LED
芯片自身的结构设计及保护方案的优化对降低芯片金属解离失效，无法从根本上解决金属解离失效的问题
。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种改善电解失效的
LED
芯片制备方法及
LED
芯片，旨在解决现有技术中无法从
LED
芯片的根本上解决金属解离失效的问题
。
[0006]本专利技术实施例是这样实现的：一方面，本专利技术提出一种改善电解失效的
LED
芯片制备方法，所述方法包括；提供一制作好透明导电层的半成品
LED
芯片；通入生长所需的源和载气，在所述半成品
LED
芯片表面上依次沉积
Si3N4层以及
SiO2，以在所述半成品
LED
芯片上形成保护层；在所述保护层上制作掩膜图形，并将所述保护层置于蚀刻液当中浸泡，去除部分区域的保护层后制作电极
。
[0007]进一步的，上述
LED
芯片制备方法，其中，所述通入生长所需的源和载气，在所述半成品
LED
芯片表面上依次沉积
Si3N4层以及
SiO2，以在所述半成品
LED
芯片上形成保护层的步骤中，沉积的温度为
140℃
‑
380℃。
[0008]进一步的，上述
LED
芯片制备方法，其中，所述通入生长所需的源和载气，在所述半成品
LED
芯片表面上依次沉积
Si3N4层以及
SiO2，以在所述半成品
LED
芯片上形成保护层的步骤中，沉积的频射功率为
90 W
ꢀ‑
110W。
[0009]进一步的，上述
LED
芯片制备方法，其中，所述通入生长所需的源和载气，在所述半成品
LED
芯片表面上依次沉积
Si3N4层以及
SiO2，以在所述半成品
LED
芯片上形成保护层的步骤中，沉积的压力为
700mtorr
ꢀ‑
900mtorr。
[0010]进一步的，上述
LED
芯片制备方法，其中，所述源为
N2O
和
SiH4，所述载气为
N2。
[0011]进一步的，上述
LED
芯片制备方法，其中，
SiH4的通入流量
50sccm
ꢀ‑
200sccm
，
N2O
的通入流量为
1500sccm
ꢀ‑
2000sccm。
[0012]进一步的，上述
LED
芯片制备方法，其中，
N2的通入流量为
400sccm
‑
600sccm。
[0013]进一步的，上述
LED
芯片制备方法，其中，所述保护层的厚度为
500
Å
~4000
Å
。
[0014]进一步的，上述
LED
芯片制备方法，其中，所述提供一制作好外延层的半成品
LED
芯片的步骤包括：提供一衬底；依次在所述衬底上生长
N
型半导体层
、
多量子阱层和
P
型半导体层；以光刻工艺技术刻蚀形成部分
N
型半导体层的暴露区域，后在所述
N
型半导体层和
P
型半导体层上分别沉积透明导电层；通过光刻工艺形成透明导电层的掩模图形，然后通过湿法腐蚀工艺去除非半导体层表面上的透明导电层，最终在
P
型半导体层表面上形成透明导电层
。
[0015]再一方面，本专利技术提出一种
LED
芯片，由上述任一项所述的改善电解失效的
LED
芯片制备方法制备得到
。
[0016]本专利技术通过在透明导电层上设置致密性的保护层，从而有效的减少芯片电极结构中活泼金属出现迁移的问题，有效降低显示屏中芯片金属解离失效的概率，并且
Si3N4具有较好的气密防潮性能，可效解决吸潮问题，但是由于
Si3N4脆性相对较大，将
Si3N4与
SiO2结合可以有效利用热膨胀系数的差异以及多层膜的效果，减少在形成过程中由于生长条件和应力的作用而形成的裂痕，保证保护层的稳定性，从芯片本身结构根本上解决金属解离失效的问题
。
解决了现有技术中无法从
LED
芯片的根本上解决金属解离失效的问题
。
附图说明
[0017]图1为本专利技术一实施例当中改善电解失效的
LED
芯片制备方法的流程图；如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术
。
具体实施方式
[0018]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述
。
附图中给出了本专利技术的若干实施例
。
但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例
。
相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面
。
[0019]需要说明的是，当元件被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种改善电解失效的
LED
芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括；提供一制作好透明导电层的半成品
LED
芯片；通入生长所需的源和载气，在所述半成品
LED
芯片表面上依次沉积
Si3N4层以及
SiO2，以在所述半成品
LED
芯片上形成保护层；在所述保护层上制作掩膜图形，并将所述保护层置于蚀刻液当中浸泡，去除部分区域的保护层后制作电极
。2.
根据权利要求1所述的改善电解失效的
LED
芯片制备方法，其特征在于，所述通入生长所需的源和载气，在所述半成品
LED
芯片表面上依次沉积
Si3N4层以及
SiO2，以在所述半成品
LED
芯片上形成保护层的步骤中，沉积的温度为
140℃
‑
380℃。3.
根据权利要求1所述的改善电解失效的
LED
芯片制备方法，其特征在于，所述通入生长所需的源和载气，在所述半成品
LED
芯片表面上依次沉积
Si3N4层以及
SiO2，以在所述半成品
LED
芯片上形成保护层的步骤中，沉积的频射功率为
90W
ꢀ‑
110W。4.
根据权利要求1所述的改善电解失效的
LED
芯片制备方法，其特征在于，所述通入生长所需的源和载气，在所述半成品
LED
芯片表面上依次沉积
Si3N4层以及
SiO2，以在所述半成品
LED
芯片上形成保护层的步骤中，沉积的压力为
700mtorr
ꢀ‑
900mtorr。5.
根据权利要求1所述的改善电解失效的
LED
芯片制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦友林，鲁洋，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：