半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区以及第二区；在所述衬底上形成第一介质层；形成位于所述第一区上的第一介质层内的第一沟槽；在所述第一沟槽内形成第一沟道材料层；形成位于所述第二区上的第一介质层内的第二沟槽；在所述第二沟槽内形成第二沟道材料层，所述第二沟道材料层的材料与第一沟道材料层的材料不同；对所述第一沟道材料层与第二沟道材料层进行平坦化处理，直至所述第一沟道材料层顶部表面

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体结构及其形成方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，半导体器件的尺寸持续减小
。
近年来，为了实现更小的器件尺寸以及更高的器件集成度，
MOSFET
器件逐渐从平面结构向三维立体式结构过渡，例如鳍式晶体管结构
。
与平面结构的晶体管相比，三维立体式的晶体管可以有效提升载流子迁移率，并减少漏电电流，缓解短沟道效应
。
[0003]随着器件尺寸的减小，传统的硅沟道的载流子迁移率较低，为了更好的提升器件性能，目前通常在半导体工艺中引入硅锗沟道，进而实现了硅
‑
硅锗双沟道的晶体管结构
。
[0004]然而，现有技术中硅
‑
硅锗双沟道结构的平整度较差，从而使器件性能有待提升
。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是，提供一种半导体结构及其形成方法，改善了硅
‑
硅锗双沟道的平整度，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区以及第二区；在所述衬底上形成第一介质层；形成位于所述第一区上的第一介质层内的第一沟槽；在所述第一沟槽内形成第一沟道材料层；形成位于所述第二区上的第一介质层内的第二沟槽；在所述第二沟槽内形成第二沟道材料层，所述第二沟道材料层的材料与第一沟道材料层的材料不同；对所述第一沟道材料层与第二沟道材料层进行平坦化处理，直至所述第一沟道材料层顶部表面
、
第二沟道材料层顶部表面与所述第一介质层顶部表面相齐平，形成第一沟道层以及第二沟道层
。2.
如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第一介质层之后，在形成第一沟槽之前，还包括：形成位于所述第一介质层上的上层掩膜层
。3.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括位于侧壁的边缘区，所述上层掩膜层还位于所述边缘区上
。4.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述上层掩膜层的材料包括氮化硅
。5.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的形成方法包括：形成位于所述上层掩膜层上的第一图形化层，所述第一图形化层暴露出所述第一区上的上层掩膜层；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述上层掩膜层，以形成第一掩膜开口；以所述上层掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜开口下的所述第一介质层，直至暴露出所述第一区表面，形成位于所述第一介质层内的第一沟槽
。6.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二沟槽的形成方法包括：形成位于所述上层掩膜层上的第二图形化层，所述第二图形化层暴露出所述第二区上的上层掩膜层；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述上层掩膜层，以形成第二掩膜开口；以所述上层掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜开口下的所述第一介质层，直至暴露出所述第二区表面，形成位于所述第一介质层内的第二沟槽
。7.
如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一沟道材料层后，在形成所述第二沟道材料层之前，还包括：在所述第一沟道材料层表面形成阻挡层
。8.
如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化硅
。9.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，苏博，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造，
类型：发明
国别省市：