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一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区以及第二区；在所述衬底上形成第一介质层；形成位于所述第一区上的第一介质层内的第一沟槽；在所述第一沟槽内形成第一沟道材料层；形成位于所述第二区上的第一介质层内的第二沟...
该专利属于中芯国际集成电路制造所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造授权不得商用。

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