电容器件寄生电阻的测试方法技术

一种电容器件寄生电阻的测试方法，包括：提供待测试电容器，待测试电容器具有第一特征尺寸；提供辅助电容器，辅助电容器具有第二特征尺寸，第二特征尺寸大于第一特征尺寸；形成串联待测试电容器和辅助电容器的金属层；对待测试电容器

【技术实现步骤摘要】
电容器件寄生电阻的测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种电容器件寄生电阻的测试方法
。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路中，与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用
。
其形式主要有金属
‑
绝缘体
‑
金属
(metal
‑
insulator
‑
metal
，
MIM)
电容和金属
‑
氧化物
‑
金属
(metal
‑
oxide
‑
metal
，
MOM)
电容两种
。
其中，
MIM
电容使用上下层金属作为电容极板，制作
MIM
电容一般需要新增光刻层次，同时电容介质层击穿电压与电容大小是无法调和的矛盾量，而且平板电容一般都需要较大的面积，不利于器件的集成
。
而
MOM
电容采用指状结构和叠层相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电容器件寄生电阻的测试方法，其特征在于，包括：提供待测试电容器，所述待测试电容器具有第一特征尺寸；提供辅助电容器，所述辅助电容器具有第二特征尺寸，所述第二特征尺寸大于所述第一特征尺寸；形成金属层，所述金属层串联所述待测试电容器和所述辅助电容器；对所述待测试电容器
、
辅助电容器以及金属层进行二端口网络测试，获取第一传输矩阵；对所述辅助电容器和所述金属层进行二端口网络测试，获取第二传输矩阵；根据所述第一传输矩阵和所述第二传输矩阵，获取所述待测试电容器在二端口网络测试中的第三传输矩阵；根据所述第三传输矩阵，获取所述待测试电容器的寄生电阻
。2.
如权利要求1所述的电容器件寄生电阻的测试方法，其特征在于，所述待测试电容器包括：若干层沿竖直方向堆叠的第一电容层；位于相邻所述第一电容层之间的若干第一导电插塞，所述第一导电插塞分别电连接相邻的所述第一电容层
。3.
如权利要求2所述的电容器件寄生电阻的测试方法，其特征在于，所述第一电容层包括：沿第一方向平行排布的第一电极端和第二电极端；分别与所述第一电极端连接的若干沿第二方向平行排布的第一指状极板，所述第一方向与所述第二方向垂直；分别与所述第二电极端连接的若干沿所述第二方向平行排布的第二指状极板，且若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板交叉排布
。4.
如权利要求3所述的电容器件寄生电阻的测试方法，其特征在于，所述第一特征尺寸为所述第一指状极板或所述第二指状极板的长度尺寸
。5.
如权利要求4所述的电容器件寄生电阻的测试方法，其特征在于，所述第一特征尺寸为：
0.1
微米～5微米
。6.
如权利要求3所述的电容器件寄生电阻的测试方法，其特征在于，若干所述第一导电插塞电连接相邻所述第一电容层的所述第一电极端
、
或者若干所述第一导电插塞电连接相邻所述第一电容层的所述第二电极端
。7.
如权利要求3所述的电容器件寄生电阻的测试方法，其特征在于，所述辅助电容器包括：若干层沿竖直方向堆叠的第二电容层；位于相邻所述第二电容层之间的若干第二导电插塞，所述第二导电插塞分别电连接相邻的所述第二电容层
。8.
如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲俊凡，王西宁，王晓东，钱蔚宏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造，
类型：发明
国别省市：