电容器结构制造技术

一种电容器结构，包括：沿第一方向平行排布的第一电极端和第二电极端，第一电极端和第二电极端之间具有第一区和若干第二区；分别与第一电极端连接的若干第三指状极板，第三指状极板位于第二区上；分别与第二电极端连接的若干第四指状极板，第四指状极板位于第二区上

【技术实现步骤摘要】
电容器结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种电容器结构
。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路中，与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用
。
其形式主要有金属
‑
绝缘体
‑
金属
(metal
‑
insulator
‑
metal
，
MIM)
电容和金属
‑
氧化物
‑
金属
(metal
‑
oxide
‑
metal
，
MOM)
电容两种
。
其中，
MIM
电容使用上下层金属作为电容极板，制作
MIM
电容一般需要新增光刻层次，同时电容介质层击穿电压与电容大小是无法调和的矛盾量，而且平板电容一般都需要较大的面积，不利于器件的集成
。
而
MOM
电容采用指状结构和叠层相结合的方法可以在相对较小的面积上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电容器结构，其特征在于，包括：沿第一方向平行排布的第一电极端和第二电极端，所述第一电极端和所述第二电极端之间具有沿第二方向排布的第一区和若干第二区，所述第一区位于相邻的所述第二区之间，所述第一方向与所述第二方向垂直；分别与所述第一电极端连接的若干沿所述第二方向平行排布的第一指状极板，所述第一指状极板沿所述第二方向具有第一宽度尺寸，所述第一指状极板位于所述第一区上；分别与所述第二电极端连接的若干沿所述第二方向平行排布的第二指状极板，所述第二指状极板沿所述第二方向具有第二宽度尺寸，所述第二指状极板位于所述第一区上，且若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板交叉排布；分别与所述第一电极端连接的若干沿所述第二方向平行排布的第三指状极板，所述第三指状极板沿所述第二方向具有第三宽度尺寸，所述第三指状极板位于所述第二区上，所述第三宽度尺寸大于所述第一宽度尺寸和所述第二宽度尺寸；分别与所述第二电极端连接的若干沿所述第二方向平行排布的第四指状极板，所述第四指状极板沿所述第二方向具有第四宽度尺寸，所述第四指状极板位于所述第二区上，所述第四宽度尺寸大于所述第一宽度尺寸和所述第二宽度尺寸，且若干所述第三指状极板和若干所述第四指状极板交叉排布
。2.
如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述第一宽度尺寸等于所述第二宽度尺寸
。3.
如权利要求2所述的电容器结构，其特征在于，所述第三宽度尺寸与所述第一宽度尺寸的比值固定
。4.
如权利要求3所述的电容器结构，其特征在于，所述第三宽度尺寸与所述第一宽度尺寸的比值为：
1.5:1
～
3:1。5.
如权利要求2所述的电容器结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲俊凡，王西宁，王晓东，钱蔚宏，杨素素，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造，
类型：发明
国别省市：