半导体封装结构制造技术

技术编号:39828322 阅读:20 留言:0更新日期:2023-12-29 16:05
本发明专利技术公开一种半导体封装结构,包括:动态随机存取存储器晶粒;电容器晶粒,设置在该动态随机存取存储器晶粒下方,包括:并排排列的多个电容器结构;以及多个第一导电柱,设置在该多个电容器结构之上并电耦接到该动态随机存取存储器晶粒;以及模塑料,围绕该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒。本发明专利技术通过将电容器晶粒设置在动态随机存取存储器晶粒下方,因此可以将电容器晶粒和动态随机存取存储器晶粒堆叠集成设置,采用这种方式可以无需占用半导体封装结构的平面位置,从而避免增加或减少增加半导体封装结构的平面尺寸,以达到较高或更高的电容值。较高或更高的电容值。较高或更高的电容值。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]半导体封装结构广泛应用于各种电子应用领域,例如个人电脑、手机、数码相机等电子设备。由于半导体工业的进步,需要比上一代半导体封装结构占用更少空间的更小的半导体封装结构。
[0003]此外,由于高性能集成电路需要以较低电源电压在较高频率下提供较大电流,因此电源系统设计变得越来越具有挑战性。可以采用去耦电容器作为临时电荷储存器,以防止电源电压的瞬时波动。去耦电容器在降低电源噪声方面越来越重要。
[0004]然而,现有的半导体封装结构虽然总体上可以满足要求,但并不是在各方面都令人满意。例如,虽然晶体管和电阻器等电子元件的尺寸越来越小,但由于电容器的物理特性,电容器结构仍然需要比其他电子元件占用更多的空间。这使得半导体封装结构的小型化变得更加困难。因此,需要进一步改进半导体封装结构。

技术实现思路

[0005]有鉴于此,本专利技术提供一种半导体封装,以解决上述问题。
[0006]根据本专利技术的第一方面,公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:动态随机存取存储器晶粒;电容器晶粒,设置在该动态随机存取存储器晶粒下方,包括:并排排列的多个电容器结构;以及多个第一导电柱,设置在该多个电容器结构之上并电耦接到该动态随机存取存储器晶粒;以及模塑料,围绕该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒。2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该电容器晶粒还包括:半导体基板,其中该多个电容器结构设置在该半导体基板上方;以及介电层,设置于该半导体基板上方,并围绕该多个电容器结构与该多个第一导电柱。3.如权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,每个电容器结构包括:第一电极层;电容器单元,设置在该第一电极层上;以及第二电极层,设置在该电容器单元之上。4.如权利要求3所述的半导体封装结构,其特征在于,该电容器晶粒还包括多个第二导电柱,该多个第二导电柱延伸穿过该半导体基板并电性连接该第一电极层。5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该电容器晶粒包括:半导体基板,其中该多个电容器结构延伸至该半导体基板内;以及介电层,覆盖该多个电容器结构并围绕该多个第一导电柱。6.如权利要求5所述的半导体封装结构,其特征在于,该电容器结构包括第一电极层、层间介电层、第二电极层以及填充材料。7.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该动态随机存取存储器晶粒包括电性耦接至该多个第一导电柱的晶粒重分布层。8.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括设置在该动态随机存取存储器晶粒上并电连接到该动态随机存取存储器晶粒的另一动态随机存取存储器晶粒。9.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:基板,包括布线结构;电容器晶粒,设置在该基板上方并包括多个电容器结构;动态随机存取存储器晶粒,堆叠在该电容器晶粒上并电耦接到该电容器晶粒;第一模塑料,设置在该基板之上并且围绕该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒;以及半导体晶粒,通过该基板的该布线结构电耦接到该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒。10.如权利要求9所述的半导体封装结构,其特征在于,该电容器晶粒与该动态随机存取存储器晶粒堆叠于该基板的第一表面上,该半导体晶粒设置于该基板的第二表面下...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁昌段志刚何敦逸李宜峻
申请(专利权)人:联发科技新加坡私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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