【技术实现步骤摘要】
晶体管的制造方法
[0001]本申请涉及半导体加工
，尤其涉及一种晶体管的制造方法
。
技术介绍
[0002]通常，集成电路包括
N
型晶体管
(N—Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor
，
NMOS)、P
型晶体管
(P—Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor
，
PMOS)
和互补金属氧化物半导体
(Complementary—Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor
，
CMOS)
三种晶体管的至少一种
。
其中集成电路的性能与其包含的晶体管的性能有直接关系
。
[0003]请参阅图
1A
～图
1E
，其为现有技术中晶体管的形成工艺主要步骤对应的器件结构示意图
。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面依次形成介电层
、
导电层
、
以及阻挡层；图形化所述导电层和所述阻挡层以暴露部分所述介电层，利用图形化后的所述导电层和所述阻挡层为硬掩模，在所述衬底中形成掺杂区
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述图形化所述导电层和所述阻挡层，利用图形化后的所述导电层和所述阻挡层为硬掩模，以及在所述衬底中形成掺杂区的步骤进一步包括：图形化所述第一区域的所述导电层和所述阻挡层，以在所述第一区域暴露部分所述介电层；利用所述第一区域图形化后的所述导电层和所述阻挡层为硬掩模，在所述第一区域形成第一导电类型掺杂区；形成覆盖暴露的所述介电层
、
图形化后的所述导电层和所述阻挡层的填充层；图形化所述第二区域的所述导电层和所述阻挡层，以在所述第二区域暴露部分所述介电层；利用所述填充层以及所述第二区域图形化后的所述导电层和所述阻挡层为硬掩模，在所述第二区域形成第二导电类型掺杂区
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一区域为
NMOS
区域，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：屈佳，叶蕾，杨凯，黄永彬，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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