包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法技术

公开了一种包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法

【技术实现步骤摘要】
包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法


[0001]本专利技术的实施例涉及一种半导体器件，更具体地说，尤其涉及一种包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法
。

技术介绍

[0002]功率晶体管，如高压金属氧化物半导体场效应晶体管
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)
，可在工业和消费电子设备中作为电源管理设备的电源开关元件，因此被广泛应用于电源管理领域
。
在绝大多数的大功率应用中，往往要求晶体管应具有高耐压
、
低导通电阻以及高功率处理能力
。

技术实现思路

[0003]为了满足晶体管的大功率应用需求，本专利技术提供了一种包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法，该半导体器件可承受高电场并具有较高的击穿电压和较低的导通电阻
。
[0004]根据本专利技术的实施例，提出了一种制备半导体器件的方法，包括：形成具有第一导电类型的衬底，所述衬底包含在相邻衬底的第一表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种制备半导体器件的方法，包括：形成具有第一导电类型的衬底，所述衬底包含在相邻衬底的第一表面的部分区域掺杂形成的漏区；在衬底中形成具有第一导电类型的第一源区以及具有第一导电类型的第二源区，其中第一源区形成在相邻衬底的第二表面的部分区域，其中第二源区形成在第一源区下方并与第一源区相隔，所述衬底第二表面与衬底的第一表面相对；在衬底中形成栅区的栅槽，以使栅槽临近
/
靠近于第一源区；在第一源区的下方形成具有第二导电类型的第一侧壁体区以将第一源区和第二源区相隔；形成具有第二导电类型的连接区，以使连接区和栅槽分别置于第一源区的第一侧和第一源区的第二侧，其中第一源区的第一侧与第一源区的第二侧相对；形成栅绝缘层以覆盖于栅槽侧壁和底部；以及使用栅导电材料填充栅槽
。2.
如权利要求1所述的方法，其中形成衬底的步骤包括形成具有第一导电类型的半导体层以及在半导体层上方形成具有第一导电类型的外延层，所述半导体层包含掺杂相邻半导体层的第一表面的部分区域形成的漏区
。3.
如权利要求2所述的方法，其中形成第二源区的步骤包括在外延层的第一部分和外延层的第二部分之间形成具有第一导电类型的埋层，其中埋层的掺杂浓度与第二源区的第二源区掺杂浓度相同
。4.
如权利要求2或3所述的方法，其中第一源区具有第一掺杂浓度以及第二源区具有第二源区掺杂浓度，其中第一源区掺杂浓度和第二源区掺杂浓度高于外延层的外延掺杂浓度
。5.
如权利要求2或3所述的方法，其中漏区的漏区掺杂浓度高于外延层的外延掺杂浓度
。6.
如权利要求1‑3任一项所述的方法，还包括：在相邻衬底的第二表面的部分区域的衬底中形成具有第二导电类型的体接触区，所述体接触区在第一源区的第一侧与第一源区相邻，其中体接触区的体接触区掺杂浓度高于第一侧壁体区的第一体区掺杂浓度
。7.
如权利要求1‑3任一项所述的方法，其中连接区的连接区掺杂浓度高于第一侧壁体区的第一体区掺杂浓度
。8.
如权利要求1‑3任一项所述的方法，其中连接区的连接区掺杂浓度高于第二源区的第二源区掺杂浓度
。9.
如权利要求1‑3任一项所述的方法，其中形成第一侧壁体区的步骤包括在形成第二源区之后
、
形成第一源区之前，将具有第二导电类型的掺杂剂注入在衬底中
。10.
如权利要求1‑3任一项所述的方法，还包括：实施氧化步骤以氧化栅槽中栅导电材料的最上面的部分以形成栅覆盖层，其中栅覆盖层的预设栅覆盖厚度厚于栅绝缘层的预设栅绝缘厚度
。11.
如权利要求1‑3任一项所述的方法，其中第一源区
、
第一侧壁体区以及第二源区沿栅区的第一侧壁垂直排布
。
12.
如权利要求1‑3任一项所述的方法，其中形成第一侧壁体区的步骤包括将具有第二导电类型的掺杂剂以相对于衬底的第二表...

【专利技术属性】
技术研发人员：维平达斯，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：