半导体结构及其制备方法技术

本申请提供一种半导体结构及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法
。

技术介绍

[0002]在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题
。
堆叠晶体管
(complementary field effect transistors
，
CFETs)
通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一
。
[0003]制造堆叠晶体管的工艺采用单片
(monolithic)
方案或是顺序
(sequential)
方案，均存在制造工艺难度大
、
复杂度高的问题
。
因此，为了简化工艺流程，降低制造难度，堆叠晶体管的制造工艺仍然需要持续的进行改进
。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体结构及其制备方法，以简化堆叠晶体管的工艺流程，降低制造难度r/>。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成有源结构，其中，所述有源结构具有第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分的下方；在所述衬底上形成浅沟槽隔离层，以覆盖所述第二部分；在所述浅沟槽隔离层之上形成刻蚀阻挡层；基于所述第一部分，形成底层晶体管；倒片并去除所述衬底以及所述浅沟槽隔离层，以暴露所述刻蚀阻挡层以及所述第二部分；基于所述第二部分形成顶层晶体管，所述底层晶体管的第一栅极结构与所述顶层晶体管的第二栅极结构位于所述刻蚀阻挡层相对的两侧
。2.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述底层晶体管的第一栅极结构与所述顶层晶体管的第二栅极结构不同；和
/
或，所述底层晶体管与所述顶层晶体管的极性相反
。3.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述浅沟槽隔离层之上形成刻蚀阻挡层之后，所述方法还包括：在所述第一部分和所述第二部分的连接处进行离子注入，形成隔离层，所述隔离层用于对所述第一部分和所述第二部分进行电学隔离
。4.
根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的离子包括
P
型离子
、N
型离子或氧离子
。5.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层隔离所述底层晶体管的第一栅极结构与所述顶层晶体管的第二栅极结构
。6.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，王润声，黎明，卢浩然，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：