【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体功率器件
，涉及一种纵向高压功率器件，更具体的说， 是关于一种同时具有快速开关和低导通电阻的带表面缓冲环终端结构的纵向超结金属氧 化物场效应晶体管。
技术介绍
超结金属氧化物场效应晶体管是一种具有金属氧化物半导体晶体管的绝缘栅结 构优点同时具有高电流密度低导通电阻优点的新型器件，它是一种能用于有效地降低传统 的功率金属氧化物半导体场效应晶体管的导电损耗的功率半导体器件。它是基于电荷平衡 原理的电荷补偿型器件。传统高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件采用低掺杂的外延漂移层作 电压支持层，其导通电阻主要就是漂移层电阻。漂移层的耐压能力由其厚度和掺杂浓度决 定，所以，为了提高击穿电压，必须同时增加漂移层厚度和降低其掺杂浓度，这就使得漂移 层的电阻不断增加，在导通状态时(尤其是高压时)，漂移层电阻占导通电阻的绝大部分。超结金属氧化物场效应晶体管的基本特点是其由间隔η-和ρ-掺杂的区域构成 的漂移区来实现耐压。传统高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件在承受反向高 压时，其主要依靠PN结的纵向耗尽来实现耐压，在整个器件的PN结处会出现电场强...
【技术保护点】
一种带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管，包括：Ｎ型掺杂半导体衬底（１），在所述Ｎ型掺杂半导体衬底（１）上面设有Ｎ型掺杂外延层（２），在所述Ｎ型掺杂外延层（２）的内部设有Ｐ型掺杂深阱区（３），在所述Ｐ型掺杂深阱区（３）的上侧设有Ｐ型掺杂区（４）和Ｐ型掺杂缓冲区（５），在所述Ｐ型掺杂区（４）中设有Ｎ型掺杂区（６），所述Ｐ型掺杂区（４）、所述Ｎ型掺杂区（６）和部分所述Ｎ型掺杂外延层（２）共同构成所述超结金属氧化物场效应晶体管的内部原胞源极区域（１１），所述Ｐ型掺杂深阱区（３）、所述Ｐ型掺杂缓冲区（５）和部分所述Ｎ型掺杂外延层（２）共同构成所述超结金属氧化物场效应晶体...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：易扬波，李海松，刘侠，王钦，
申请(专利权)人：苏州博创集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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