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本发明公开了一种带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管，包括：Ｎ型掺杂半导体衬底，在所述Ｎ型掺杂半导体衬底上面设有Ｎ型掺杂外延层，在Ｎ型掺杂外延层的内部设有Ｐ型掺杂深阱区，在所述Ｐ型掺杂深阱区的上侧设有Ｐ型掺杂区和Ｐ型掺杂缓冲区，...
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