【技术实现步骤摘要】
一种设计版图拆分方法及芯片设计版图拆分系统
[0001]本专利技术涉及光刻
,特别涉及一种设计版图拆分方法及芯片设计版图拆分系统
。
技术介绍
[0002]目前,
193nm
浸没式光刻机可以提
36
‑
40nm
的分辨率,以满足
28nm
逻辑技术节点的要求
。
如果需要更小的尺寸,其中,
LELE
(
Lithography
‑
Etch
‑
Lithography
‑
Etch
)和
SADP
(
self
‑
aligned double patterning
)是主要的实现方式
。LELE
技术是将设计版图上的掩模图形拆分到两个或多个掩模,利用多次曝光和刻蚀来实现原来一层设计的图形
。SADP
技术的原理是在第一次光刻图形周围通过淀积侧墙,通过刻蚀实现对空间图形的倍频
。
由于
SADP
技术对版图设计的要求更严格,通常
LELE
技术更为广泛
。
[0003]如果掩模板内的图形中存在奇数个掩模图形相互冲突,即形成奇数环冲突现象,则无法通过简单的二分上色法将图形拆分到两张掩模版上面
。
现有技术是通过切割
‑
缝合(
Stitch
)技术切割存在 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.
一种设计版图拆分方法,用于将设计版图形中存在的奇数环冲突的掩模图形拆分并分配至多张掩模板上,其特征在于:包括以下步骤:获取设计版图上存在奇数环冲突的掩模图形;基于预设图形于掩模图形上设置对应的多个切割缝合区域以将该掩模图形切割为掩模图形节点;将掩模图形节点预分配到对应的多张掩模板上,依据掩模图形节点与切割缝合区域之间关系以确定掩模图形节点之间的权重关系;对掩模图形节点进行翻转处理以使掩模图形节点之间需要的权重关系占优;以不占优的权重所对应的切割缝合区域拆分存在奇数环冲突的掩模图形
。2.
如权利要求1所述的设计版图拆分方法,其特征在于:获取设计版图上存在奇数环冲突的掩模图形的具体步骤包括:识别设计版图内的掩模图形,判断两两掩模图形之间的距离是否小于预设距离;若是,则建立两两掩模图形之间的连接关系,将建立连接关系的掩模图形合并形成单元,基于预设规则将相同类型的单元归为一个类别;获取不同类别内的单元存在的奇数环冲突的掩模图形
。3.
如权利要求2所述的设计版图拆分方法,其特征在于:获取不同类别内的单元存在的奇数环冲突的掩模图形具体包括:识别不同类别内的单元内的掩模图形,并设定掩模图形轮廓外预设距离内的区域为检查区域;若一掩模图形的检查区域与其相邻掩模图形相交叠,则该掩模图形与其相邻掩模图形相冲突,且设定交叠的区域为冲突区域;获取单元内存在冲突的掩模图形并基于预设检测器筛选出存在奇数环冲突的掩模图形
。4.
如权利要求3所述的设计版图拆分方法,其特征在于:基于预设图形于掩模图形上设置对应的多个切割缝合区域具体包括:设定存在奇数环冲突的掩模图形包括与检查区域交叠的冲突区域和未与检查区域交叠的非冲突区域;将预设图形与非冲突区域内的掩模图形轮廓进行匹配,若匹配成功,则基于预设图形于该非冲突区域上设置切割缝合区域;若匹配失败,则于该非冲突区域上随机设置切割缝合区域
。5.
如权利要求1所述的设计版图拆分方法,其特征在于:依据掩模图形节点与切割缝合区域之间关系以确定掩模图形节点之间的权重关系具体包括如下步骤:设定切割缝合区域为边,设定被切割缝合区切割后形成的掩模图形节点为点,基于边和点获得翻转关系图;将翻转关系图中的掩模图形节点预分配到多张掩模板上,判断与切割缝合区域连接的掩模图形节点是否被分配到同一张掩模板上,以确定掩模图形节点之间的权重关系;若是,则记为正向权重,若否,则记为负向权重,正向权重和负向权重互为相反数
。6.
如权利要求5所述的设计版图拆分方法,其特征在于:对掩模图形节点进行翻转处理以使掩模图形节点之间需要的权重关系占优具体包括如下步骤:
技术研发人员:王焕明,丁明,阮文胜,
申请(专利权)人:深圳晶源信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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