发光二极管及其电极的制备方法技术

本公开提供了一种发光二极管及其电极的制备方法，属于光电子制造技术领域

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其电极的制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管及其电极的制备方法
。

技术介绍

[0002]发光二极管
(
英文：
Light Emitting Diode
，简称：
LED)
作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小
、
使用寿命长
、
颜色丰富多彩
、
能耗低等特点，广泛应用于照明
、
显示屏
、
信号灯
、
背光源
、
玩具等领域
。
[0003]相关技术中，发光二极管包括衬底
、
外延层和电极，电极位于外延层远离衬底的表面
。
其中，电极通常包括焊盘和与焊盘连接的金属条，焊盘为后续封装制程提供焊线的连接区域，金属条用于将注入焊盘的电流向各个位置扩展，让载流子的注入分布更加均匀
。
[0004]然而，金属条在外延层上的面积占比越大，金属条对光线的吸收就越多，因此，减小金属条的线宽是提升发光二极管的发光效果的关键
。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种发光二极管及其电极的制备方法，能减小金属条的线宽，改善发光二极管的发光效果
。
所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管的电极的制备方法，所述电极包括焊盘和至少一个金属条，所述制备方法包括：形成掩膜层，所述掩膜层具有第一表面，以及和第一表面相对的第二表面；所述掩膜层还具连通第一表面和第二表面的第一凹槽，所述第一凹槽呈条状；在所述第一凹槽的槽壁上形成绝缘层，得到第二凹槽；在所述第二凹槽内形成电极的金属条；去除所述掩膜层和所述绝缘层
。
[0007]可选地，所述在所述第一凹槽的槽壁上形成绝缘层包括：在所述掩膜层的第二表面和所述第一凹槽内形成绝缘材料膜；去除位于所述掩膜层的第二表面的绝缘材料膜，以及所述第一凹槽的槽底上的绝缘材料膜，以在所述第一凹槽的槽壁上形成绝缘层，得到所述第二凹槽
。
[0008]可选地，所述形成掩膜层包括：涂覆一层负性光刻胶层；曝光所述负性光刻胶层并显影，以在所述负性光刻胶层形成呈倒梯形的所述第一凹槽，以得到掩膜层
。
[0009]可选地，所述第一凹槽的槽壁的倾角为
20
°
至
70
°
。
[0010]可选地，所述去除位于所述掩膜层的第二表面的绝缘材料膜，以及所述第一凹槽的槽底上的绝缘材料膜包括：采用干法刻蚀的方式去除位于所述掩膜层的第二表面的绝缘材料膜，并在所述第一凹槽内的所述绝缘材料膜上形成所述第二凹槽
。
[0011]可选地，所述绝缘层包括
Al2O3层
、SiO2层和
SiN
x
层
。
[0012]可选地，所述在所述第一凹槽的槽壁上形成绝缘层之前，还包括：基于所述金属条的线宽确定所述绝缘层的厚度，所述绝缘层的厚度为垂直于所述第一凹槽的槽壁的方向上的尺寸，所述金属条的线宽大于或者等于所述第一凹槽的最大槽宽与所述绝缘层的厚度的
两倍之差
。
[0013]另一方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管，所述发光二极管的电极的金属条的线宽不超过
1.5
μ
m。
[0014]可选地，所述发光二极管还包括衬底和外延层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的第一半导体层
、
多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的第三凹槽；所述电极包括至少两个，一部分所述电极位于所述第二半导体层远离所述衬底的表面，另一部分所述电极位于所述第三凹槽内
。
[0015]可选地，所述发光二极管还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第二半导体层远离所述衬底的表面，一部分所述电极位于所述透明导电层远离所述衬底的表面
。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供的发光二极管的电极的制备方法在制作电极时，先形成掩膜层，形成的掩膜层上具有露出外延层的呈条状的第一凹槽；然后，在第一凹槽的槽壁上形成绝缘层，得到第二凹槽
。
这样通过绝缘层填充第一凹槽，让绝缘层覆盖在第一凹槽的槽壁上形成第二凹槽，以缩小第一凹槽的尺寸
。
由于掩膜层和绝缘层组合形成的掩膜版缩小了第一凹槽的尺寸，使得通过该掩膜版的第二凹槽制备的电极的线宽也更小，实现了缩减金属条的线宽的目的，降低金属条对光线的吸收，提升发光二极管的发光效果
。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0019]图1是相关技术提供的一种发光二极管的俯视图；
[0020]图2是本公开实施例提供了一种发光二极管的电极的制备方法的流程图；
[0021]图3是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态示意图；
[0022]图4是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态示意图；
[0023]图5是本公开实施例提供的一种金属条的制备状态对比图；
[0024]图6是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图
。
[0025]图中各标记说明如下：
[0026]10、
衬底；
[0027]20、
外延层；
21、
第一半导体层；
22、
多量子阱层；
23、
第二半导体层；
24、
第三凹槽；
[0028]30、
电极；
31、
焊盘；
32、
金属条；
[0029]40、
透明导电层；
[0030]50、
保护层；
[0031]60、
掩膜层；
61、
第一凹槽；
[0032]70、
绝缘层；
71、
第二凹槽；
72、
绝缘材料膜
。
具体实施方式
[0033]为使本公开的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方
式作进一步地详细描述
。
[0034]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义
。
本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光二极管的电极的制备方法，其特征在于，所述电极包括焊盘和至少一个金属条，所述制备方法包括：形成掩膜层，所述掩膜层具有第一表面，以及和第一表面相对的第二表面；所述掩膜层还具连通第一表面和第二表面的第一凹槽，所述第一凹槽呈条状；在所述第一凹槽的槽壁上形成绝缘层，得到第二凹槽；在所述第二凹槽内形成电极的金属条；去除所述掩膜层和所述绝缘层
。2.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽的槽壁上形成绝缘层包括：在所述掩膜层的第二表面和所述第一凹槽内形成绝缘材料膜；去除位于所述掩膜层的第二表面的绝缘材料膜，以及所述第一凹槽的槽底上的绝缘材料膜，以在所述第一凹槽的槽壁上形成绝缘层，得到所述第二凹槽
。3.
根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述形成掩膜层包括：涂覆一层负性光刻胶层；曝光所述负性光刻胶层并显影，以在所述负性光刻胶层形成呈倒梯形的所述第一凹槽，以得到掩膜层
。4.
根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的槽壁的倾角为
20
°
至
70
°
。5.
根据权利要求2至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述去除位于所述掩膜层的第二表面的绝缘材料膜，以及所述第一凹槽的槽底上的绝缘材料膜包括：采用干法刻蚀的方式去除位于所述掩膜层的第二表面的绝缘材料膜，并在所述第一凹槽内的所述绝缘材料膜上形成所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绘凝，栗伟，江平，刘传桂，林云真，吕子如，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：