一种深紫外制造技术

本公开提供了一种深紫外

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外Micro
‑
LED器件及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种深紫外
Micro
‑
LED
器件及其制备方法
。

技术介绍

[0002]发光二极管
(Light Emitting Diode
，
LED)
，是一种固态的
Micro
‑
LED
器件，可以直接把电转化为光
。
日盲波段
(
波长在
200nm
‑
280nm
之间
)
的深紫外
(DUV)
光通讯作为一种新型的光通讯手段，相比于可见光或红外光通讯，因紫外光以散射方式传播，有一定绕过障碍物的能力，可在发射器和接收器之间构建无障碍通讯通道，非常适用于短距离抗干扰的通讯环境
。DUV LED
是深紫外光通讯中一个非常重要的光源，其发光效率直接影响了光通讯的效率
。
[0003]氮化铝镓
(AlGa本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种深紫外
Micro
‑
LED
器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在蓝宝石衬底上形成外延层，所述外延层包括
GaN
模板层且所述外延层为垂直型结构；在所述外延层上沉积金属，形成
p
型电极；在所述
p
型电极上键合基板衬底；通过激光剥离所述蓝宝石衬底；刻蚀所述外延层剥离表面，直至露出电子提供层；沉积形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层上开孔，并沉积金属，形成
n
型电极
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层按照从下到上的顺序包括：
GaN
模板层；
Al
x
Ga1‑
x
N
过渡层，其中
0.1≤x≤0.6
；
n
‑
Al
a
Ga1‑
a
N
电子提供层，其中
0.55≤a≤0.75
；
AlGaN
多量子阱层，所述
AlGaN
多量子阱层为
Al
b
Ga1‑
b
N
和
Al
d
Ga1‑
d
N
，其中
0.4≤b≤0.6
，
0.1≤d
‑
b≤0.2
；
EBL
电子阻挡层，所述
EBL
电子阻挡层为
Al
e
Ga1‑
e
N
，其中
0.75≤e≤1
；
p
‑
AlGaN
层，所述
p
‑
AlGaN
层包括
p
‑
Al
f
Ga1‑
f
N
和
p
‑
Al
g
Ga1‑
g
N
，其中
0.55≤f≤0.75
，
0.35≤g≤0.55
；
p
‑
GaN
层
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在蓝宝石衬底上形成外延层，包括：形成位于蓝宝石衬底上的
GaN
模板层；形成位于所述
GaN
模板层上的掩膜层，并在所述掩膜层上刻蚀图案；形成位于所述掩膜层上的
Al
x
Ga1‑
x
N
过渡层；形成位于所述
Al
x
Ga1‑
x
N
过渡层上的
n
‑
Al
a
Ga1‑
a
N
电子提供层；形成位于所述
n
‑
AlGaN
电子提供层上的
AlGaN
多量子阱层；形成位于所述
AlGaN
多量子阱层上的
EBL
电子阻挡层；形成位于所述
EBL
电子阻挡层上的
p
‑
AlGaN
层；形成位于所述
p
‑
AlGaN
层上的
p
‑
GaN
层
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述
p
型电极由
Ni
和
Au
制成，其中
Ni
的厚度为
10nm
～
30nm
，
Au
的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈聪，陈荔，叶继春，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：