一种微显示芯片的制备方法和微显示芯片技术

本发明专利技术公开了一种微显示芯片的制备方法和微显示芯片，微显示芯片的制备方法包括：提供发光面板，在发光面板的一侧形成第一欧姆接触层；通过金属键合层将发光面板键合在驱动面板的一侧；去除衬底后刻蚀半导体外延层，形成多个发光结构；刻蚀第一欧姆接触层并继续刻蚀金属键合层，形成导电柱；导电柱与驱动面板上的接触点接触；形成覆盖导电柱

【技术实现步骤摘要】
一种微显示芯片的制备方法和微显示芯片


[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种微显示芯片的制备方法和微显示芯片
。

技术介绍

[0002]Micro LED
显示是一种自发光显示，是由具有多个单像素的
LED
阵列组成，目前
Micro LED
主要应用于微显示行业
AR/VR
等，因为
Micro LED
像素间距非常小，
LED
发光散乱，且部分光会从侧壁漏出，引发串扰，导致光效低
。
为了提高出光效率，需要增加反光层，但是已知的工艺结构会在改善串扰同时影响
LED
的接触电阻
。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种微显示芯片的制备方法和微显示芯片，以提高出光效果的同时，改善增加反光层导致的接触电阻变大问题
。
[0004]根据本专利技术的一方面，提供了一种微显示芯片的制备方法，包括：
[0005]提供发光面板，在所述发光面板的一侧形成第一欧姆接触层；其中，所述发光面板包括衬底以及形成在所述衬底一侧的半导体外延层，所述第一欧姆接触层形成在所述半导体外延层的表面；
[0006]通过金属键合层将所述发光面板键合在驱动面板的一侧；所述第一欧姆接触层较靠近于所述驱动面板；
[0007]去除所述衬底，并刻蚀所述半导体外延层，形成多个发光结构；
[0008]在所述发光结构的表面以及相邻发光结构之间暴露出的第一欧姆接触层的表面形成第一掩膜层；
[0009]刻蚀位于相邻发光结构之间的第一掩膜层，形成围绕导电柱预设位置的环状开口；
[0010]刻蚀环状开口暴露出的第一欧姆接触层并继续刻蚀金属键合层，形成导电柱；所述导电柱与所述驱动面板上的接触点接触；
[0011]去除所述第一掩膜层，形成覆盖所述导电柱
、
所述发光结构以及暴露出的驱动面板表面的双叠层阻挡层；
[0012]刻蚀位于所述导电柱上表面的双叠层阻挡层以及位于所述发光结构上表面的双叠层阻挡层，形成暴露所述导电柱的第一开口和暴露所述发光结构的第二开口；
[0013]形成导电反光层；所述导电反光层覆盖发光结构的侧壁，并通过所述第一开口电接触所述导电柱，以及通过所述第二开口电接触所述发光结构；相邻两个发光结构侧壁上的导电反光层电绝缘
。
[0014]可选的，通过金属键合层将所述发光面板键合在驱动面板的一侧；所述第一欧姆接触层较靠近于所述驱动面板，包括：
[0015]在所述第一欧姆接触层远离所述衬底的一侧形成第一金属键合层；
[0016]在所述驱动面板具有接触点的一侧形成第二金属键合层；
[0017]将所述发光面板具有第一金属键合层的一面与所述驱动面板具有第二金属键合层的一面进行键合；其中，所述第一金属键合层为多膜层结构，和
/
或所述第二金属键合层为多膜层结构
。
[0018]可选的，通过金属键合层将所述发光面板键合在驱动面板的一侧之前，还包括：
[0019]对所述第一欧姆接触层进行快速退火处理；其中，所述第一欧姆接触层的材料包括氧化铟锡
。
[0020]可选的，去除所述衬底，包括：
[0021]通过化学机械抛光减薄所述衬底至剩余预设厚度；
[0022]通过湿法蚀刻和
/
或湿法蚀刻去除剩余预设厚度的衬底；
[0023]刻蚀所述半导体外延层，形成多个发光结构，包括：
[0024]于所述半导体外延层的表面形成第二掩膜层，并对所述第二掩膜层进行图形化；图形化后的第二掩膜层覆盖发光结构的预设位置；
[0025]刻蚀所述第二掩膜层暴露出的半导体外延层至所述第一欧姆接触层，形成多个所述发光结构；
[0026]去除所述第二掩膜层
。
[0027]可选的，形成覆盖所述导电柱
、
所述发光结构以及暴露出的驱动面板表面的双叠层阻挡层，包括：
[0028]在所述导电柱
、
所述发光结构以及暴露出的驱动面板的表面沉积氧化铝材料，形成氧化铝阻挡层；
[0029]在所述氧化铝阻挡层的表面镀氧化硅材料，形成氧化硅阻挡层；层叠设置的氧化铝阻挡层和所述氧化硅阻挡层用于构成所述双叠层阻挡层
。
[0030]可选的，形成导电反光层之前，还包括：
[0031]整面蒸镀第二欧姆接触层；
[0032]去除所述第一开口和所述第二开口以外的所述第二欧姆接触层，以在所述第一开口中形成导电柱欧姆接触电极，以及在所述第二开口中形成发光结构欧姆接触电极
。
[0033]可选的，整面蒸镀第二欧姆接触层之后，还包括：
[0034]对所述第二欧姆接触层进行快速退火处理；其中，所述第一欧姆接触层的材料包括氧化铟锡
。
[0035]可选的，形成导电反光层之后，还包括：
[0036]整面制备钝化层，并刻蚀所述钝化层，形成暴露所述发光结构的发光口
。
[0037]根据本专利技术的另一方面，提供了一种微显示芯片，通过本专利技术任一实施例所述的微显示芯片的制备方法形成，包括：
[0038]驱动面板，所述驱动面板包括多个接触点；
[0039]多个发光结构，金属键合层位于所述驱动面板的一侧；每一所述发光结构与所述驱动面板之间设置有第一欧姆接触层和金属键合层，所述金属键合层与对应的接触点接触；
[0040]多个导电柱，所述导电柱位于相邻两个发光结构之间；所述导电柱与所述驱动面板上的接触点接触；
[0041]双叠层阻挡层，覆盖所述导电柱的表面
、
所述发光结构的表面以及驱动面板的部分表面；其中，所述双叠层阻挡层包括多个第一开口和多个第二开口；所述第一开口用于暴露所述导电柱，所述第二开口用于暴露所述发光结构；
[0042]导电反光层；覆盖发光结构的侧壁，并通过所述第一开口电接触所述导电柱，以及通过所述第二开口电接触所述发光结构；其中，相邻两个发光结构侧壁上的导电反光层断开设置
。
[0043]可选的，所述第一开口中设置有导电柱欧姆接触电极，所述第二开口中设置有发光结构欧姆接触电极
。
[0044]本专利技术实施例提供的技术方案，通过在发光结构与导电反光层之间设置双叠层阻挡层，可以减少发光结构间的光学串扰，提高出光效果的同时，隔开导电反光层与发光结构，增强导电反光层与发光结构之间的阻挡性，避免后续工艺中可能导致的反光层扩散问题，从而减小了接触电阻；同时在发光结构的至少一侧设置导电柱，导电柱与驱动面板上的接触点接触；将导电反光层与导电柱以及发光结构顶部的电极连接，利用导电反光层的导电性，实现发光结构顶部的电极与驱动面板的电连接，无需额外再设置用于连接发光结构顶部的电极与驱动面板的金属层，导电反光层与导电柱的接触电极较小，因此可以降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种微显示芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供发光面板，在所述发光面板的一侧形成第一欧姆接触层；其中，所述发光面板包括衬底以及形成在所述衬底一侧的半导体外延层，所述第一欧姆接触层形成在所述半导体外延层的表面；通过金属键合层将所述发光面板键合在驱动面板的一侧；所述第一欧姆接触层较靠近于所述驱动面板；去除所述衬底，并刻蚀所述半导体外延层，形成多个发光结构；在所述发光结构的表面以及相邻发光结构之间暴露出的第一欧姆接触层的表面形成第一掩膜层；刻蚀位于相邻发光结构之间的第一掩膜层，形成围绕导电柱预设位置的环状开口；刻蚀环状开口暴露出的第一欧姆接触层并继续刻蚀金属键合层，形成导电柱；所述导电柱与所述驱动面板上的接触点接触；去除所述第一掩膜层，形成覆盖所述导电柱
、
所述发光结构以及暴露出的驱动面板表面的双叠层阻挡层；刻蚀位于所述导电柱上表面的双叠层阻挡层以及位于所述发光结构上表面的双叠层阻挡层，形成暴露所述导电柱的第一开口和暴露所述发光结构的第二开口；形成导电反光层；所述导电反光层覆盖发光结构的侧壁，并通过所述第一开口电接触所述导电柱，以及通过所述第二开口电接触所述发光结构；相邻两个发光结构侧壁上的导电反光层电绝缘
。2.
根据权利要求1所述的微显示芯片的制备方法，其特征在于，通过金属键合层将所述发光面板键合在驱动面板的一侧，包括：在所述第一欧姆接触层远离所述衬底的一侧形成第一金属键合层；在所述驱动面板具有接触点的一侧形成第二金属键合层；将所述发光面板具有第一金属键合层的一面与所述驱动面板具有第二金属键合层的一面进行键合；其中，所述第一金属键合层为多膜层结构，和
/
或所述第二金属键合层为多膜层结构
。3.
根据权利要求1所述的微显示芯片的制备方法，其特征在于，通过金属键合层将所述发光面板键合在驱动面板的一侧之前，还包括：对所述第一欧姆接触层进行快速退火处理；其中，所述第一欧姆接触层的材料包括氧化铟锡
。4.
根据权利要求1所述的微显示芯片的制备方法，其特征在于，去除所述衬底，包括：通过化学机械抛光减薄所述衬底至剩余预设厚度；通过湿法蚀刻和
/
或湿法蚀刻去除剩余预设厚度的衬底；刻蚀所述半导体外延层，形成多个发光结构，包括：于所述半导体外延层的表面形成第二掩膜层，并对所述第二掩膜层进行图形化；图形化后的第二掩膜层覆盖发光结构的预设位置；刻蚀所述第二掩膜层暴露出的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海波，冷祥，魏明，刘刚，
申请(专利权)人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：