一种气相沉积系统及气相沉积方法技术方案

本发明专利技术涉及半导体制造设备技术领域，公开了一种气相沉积系统及气相沉积方法，气相沉积系统包括中转腔、第一反应腔、第二反应腔及转运装置，第一反应腔与中转腔连接，第一反应腔用于在目标半导体器件层的至少一侧生长第一外延层；第二反应腔与中转腔连接，第二反应腔用于在第一外延层背离目标半导体器件层的一侧生长第二外延层，其中，第二外延层与第一外延层的导电类型相反；转运装置设置在中转腔内，转运装置用于带动目标半导体器件层自第一反应腔移动至第二反应腔内。第一外延层和第二外延层分别在不同的反应腔内生长，避免了第一外延层和第二外延层在同一个反应腔内生长导致的材料交叉污染，保证了外延层生长的稳定性和可重复性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造设备，具体涉及一种气相沉积系统及气相沉积方法。

技术介绍

1、半导体材料是生产半导体器件必需的材料，是半导体器件应用中的基础，它决定和支撑着整个半导体电子产品的水平和发展。目前半导体材料中最重要的一种就是半导体外延材料，通常包括衬底层、缓冲层(n型、p型或者本征半导体材料)、有源区、接触层(p型或者n型)，其应用范围包括微电子、光电子器件电路，如发光二极管(led，light emittingdiode)、激光二极管(ld，laserdiode)、光电二极管(pd，photo diode)、集成电路(ic，integrated circuit)等等。制备半导体外延材料的方法种类很多，其中有机金属化学气相沉积法(mocvd，metal-organic chemical vapor deposition)是目前产业界制备化合物外延材料尤其是光电子材料的主要手段。有机金属化学气相沉积法(mocvd，metal-organicchemical vapor deposition)相对于其他方法如分子束外延(mbe，molecular beam本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气相沉积系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的气相沉积系统，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的气相沉积系统，其特征在于，所述第一保护气体包括V族元素或III族元素。

4.根据权利要求2或3所述的气相沉积系统，其特征在于，还包括加热装置(600)，用于对所述保护腔(500)提供热量。

5.根据权利要求4所述的气相沉积系统，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的气相沉积系统，其特征在于，所述壳体包括石墨材质。

7.根据权利要求1或6所述的气相沉积系统，其特征在于，所述转运装置(40...

【技术特征摘要】

1.一种气相沉积系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的气相沉积系统，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的气相沉积系统，其特征在于，所述第一保护气体包括v族元素或iii族元素。

4.根据权利要求2或3所述的气相沉积系统，其特征在于，还包括加热装置(600)，用于对所述保护腔(500)提供热量。

5.根据权利要求4所述的气相沉积系统，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的气相沉积系统，其特征在于，所述壳体包括石墨材质。

7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：余小明，朱国建，
申请(专利权)人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：