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本发明涉及半导体制造设备技术领域，公开了一种气相沉积系统及气相沉积方法，气相沉积系统包括中转腔、第一反应腔、第二反应腔及转运装置，第一反应腔与中转腔连接，第一反应腔用于在目标半导体器件层的至少一侧生长第一外延层；第二反应腔与中转腔连接，第二...
该专利属于无锡市华辰芯光半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡市华辰芯光半导体科技有限公司授权不得商用。

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