【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属化学气相沉积，具体涉及一种金属化学气相沉积装置。
技术介绍
1、金属有机化学气相沉积是一种高温沉积化合物半导体设备，即在高温情况下分解的金属有机源，这些材料对晶体质量、厚度均匀性、组分要求极高，所以相对要求mocvd设备对温度均匀性、气流均匀性的要求很高。
2、目前市场主流mocvd设备，全部都是多片机，有些的多片机石墨结构设计多片晶圆放在一个石墨盘上面，石墨盘高速旋转，该结构设计优点是产能大，但是无法调整每片晶圆温度以及厚度的均匀性；另外还有的多片机石墨结构设计多片晶圆放在一个石墨盘上面，下面大盘公转以外，小盘自转，即每片晶圆可以单独调整转速，该结构优点均匀性好，缺点产能大；现有的mocvd设备不能兼顾晶圆的均匀性和产能。
技术实现思路
1、因此，本专利技术所要解决的技术问题在于现有的mocvd设备不能兼顾晶圆的均匀性和产能。
2、为此，本专利技术提供一种金属化学气相沉积装置，包括：
3、所述金属化学气相沉积装置包括若干个movcd反应模组，若干个所述movcd反应模组呈线性阵列设置；
4、所述movcd反应模组包括：
5、基座；
6、反应壳体，所述反应壳体设置在所述基座的顶端，所述反应壳体与所述基座围合成一反应腔，所述反应壳体的相对两侧分别设置有进气口和出气口，以用于供待反应气体进入和排出所述反应腔；
7、晶圆载台，所述基座内开设有容置腔，所述容置腔与所述反应腔之间通过一通孔相
8、其中，所述movcd反应模组还包括旋转结构，所述旋转结构与所述晶圆载台相连，适于在对晶圆进行加热时驱动所述晶圆载台带动所述晶圆旋转，以实现所述晶圆的均匀受热。
9、可选地，上述的金属化学气相沉积装置还包括气体输送结构，所述气体输送结构包括：
10、进气组件，所述进气组件上开设有若干个进气通道，所述进气通道靠近所述基座的一端与所述进气口对应且连通设置，另一端适于与进气装置相连通，以使待反应气体自所述进气装置流经进气通道和所述进气口进入到所述反应腔内；
11、出气组件，所述出气组件上开设有若干个出气通道，所述出气通道的一端与所述出气口对应设置，所述出气通道的另一端适于与外界连通以排出所述反应腔内部的气体。
12、可选地，上述的进气组件包括若干个进气板；
13、若干个进气板上下层叠设置，
14、和/或，每层进气板均沿长度方向间隔开设有多个所述进气通道，且每层进气板所通入的反应气体不同。
15、可选地，上述的进气组件包括1-7层进气板。
16、可选地，上述的出气组件包括：
17、出气组件主体，为设置在所述基座靠近所述反应壳体的出气口侧的板状或者块状结构；
18、第一出气通道，所述第一出气通道开设在所述出气组件主体靠近所述反应壳体的一侧，所述第一出气通道设置有若干个，所述第一出气通道与所述出气口一一对应且连通设置；
19、第二出气通道，设置在所述出气组件主体远离所述反应壳体的一侧，且连通所述第一出气通道与外界，若干个所述第一出气通道的出气端均与所述第二出气通道的进气端连通，以使得反应腔内排出的气体经若干个所述第一出气通道汇合至第二出气通道后再排出。
20、可选地，上述的第二出气通道设置有一个，所述第二出气通道靠近所述反应壳体的一侧与所述第一出气通道连通设置。
21、可选地，上述的第二出气通道的内径大于所述第一出气通道的内径。
22、可选地，上述的旋转结构包括：
23、连接件，所述连接件设置在所述晶圆载台远离所述反应腔的一侧；
24、动力组件，所述动力组件设置在所述连接件远离所述晶圆载台的一侧，所述动力组件的动力输出端与所述连接件相连，所述动力组件用于通过所述连接件带动所述晶圆载台做旋转运动。
25、可选地，上述的金属化学气相沉积装置还包括加热结构；
26、所述加热结构固定设置在所述容置腔远离所述反应腔的一侧，所述加热结构的加热端与所述晶圆载台相对设置，所述加热结构用于向所述晶圆载台提供热量。
27、可选地，上述的加热结构的加热端设置为加热丝；
28、所述晶圆载台设置有若干个，所述金属化学气相沉积装置还包括隔离板，所述隔离板设置在所述反应腔内，所述隔离板设置在相邻的两个晶圆载盘之间，以防止相邻的两个晶圆载盘之间的温度传递。
29、本专利技术提供的技术方案，具有如下优点：
30、1.本实施例提供一种金属化学气相沉积装置，金属化学气相沉积装置包括若干个movcd反应模组，若干个movcd反应模组呈线性阵列设置；movcd反应模组包括：基座、反应壳体、晶圆载台和旋转结构，反应壳体设置在基座的顶端，反应壳体与基座围合成一反应腔，反应壳体的相对两侧分别设置有进气口和出气口，以用于供待反应气体进入和排出反应腔；基座内开设有容置腔，容置腔与反应腔之间通过一通孔相连通，晶圆载台设置在容置腔靠近反应腔的一侧，晶圆载台用于承载晶圆；旋转结构与晶圆载台相连，适于在对晶圆进行加热时驱动晶圆载台带动晶圆旋转，以实现晶圆的均匀受热。
31、此结构中的movcd反应模组为金属化学气相沉积反应模组，movcd反应模组中的基座水平放置在最底部，以支撑其他的结构；反应壳体为一个开口朝下的盖状结构，反应壳体盖合到基座的顶面，二者之间采用密封圈进行密封，反应壳体与基座共同围合成一反应腔，反应壳体相对的相对两侧分别设置有进气口和出气口，进气口和出气口均设置在反应壳体的长度边所在的侧面上，出气口用于向反应腔内通入待反应气体，待反应气体在反应腔内进行反应，最终再通过出气口排出；基座内开设有容置腔，容置腔和反应腔相对设置，二者之间通过一通孔相连通，晶圆载台设置在容置腔靠近反应腔的一侧，二者之间的缝隙很小，晶圆载台水平放置，晶圆载台用于放置晶圆，晶圆水平放置在晶圆载台上，晶圆的位置为放置在通孔内，晶圆远离晶圆载台的一侧暴露在反应腔内，和反应腔内的待反应气体接触；movcd反应模组还包括旋转结构，旋转结构与安装在容置腔内，旋转结构安装在晶圆载台远离晶圆的一侧，旋转结构的动力输出端与晶圆载台相连，旋转结构驱动晶圆载台从而带动晶圆旋转，使得在对晶圆进行加热的过程中，能够使得晶圆每个部分均匀地和加热结构进行间接接触，从而实现晶圆的均匀受热，从而保证均匀性；进而，金属化学气相沉积装置包括若干个movcd反应模组，movcd反应模组沿着基座的长度边延伸方向进行线性阵列设置，能够保证整体的生产效率，且能够根据所需求的产量进行调节，在保证完成工作需求的同时，使用合理的movcd反应模组数量，造成设备的浪费情况。
32、2.在本实施例中，若干个进气板上下层叠设置且每层进气板均沿长度方向间隔开设有多个进气通道；且每层进气板所通入的反应气体不同；进气本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种金属化学气相沉积装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述金属化学气相沉积装置还包括气体输送结构(5)，所述气体输送结构(5)包括：
3.根据权利要求2所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述进气组件(51)包括若干个进气板(511)；
4.根据权利要求3所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述进气组件(51)包括1-7层进气板(511)。
5.根据权利要求2中所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述出气组件(52)包括：
6.根据权利要求5所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二出气通道(5222)设置有一个，所述第二出气通道(5222)靠近所述反应壳体(2)的一侧与所述第一出气通道(5221)连通设置。
7.根据权利要求6所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二出气通道(5222)的内径大于所述第一出气通道(5221)的内径。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述旋转结构(4)包括
9.根据权利要求8所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述金属化学气相沉积装置还包括加热结构(6)；
10.根据权利要求9所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种金属化学气相沉积装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述金属化学气相沉积装置还包括气体输送结构(5)，所述气体输送结构(5)包括：
3.根据权利要求2所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述进气组件(51)包括若干个进气板(511)；
4.根据权利要求3所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述进气组件(51)包括1-7层进气板(511)。
5.根据权利要求2中所述的金属化学气相沉积装置，其特征在于，所述出气组件(52)包括：
6.根据权利要求5所述的金属化学气相沉积装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：余小明，
申请(专利权)人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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