提高制造技术

本发明专利技术公开了一种提高

【技术实现步骤摘要】
提高NORD闪存电学窗口的测试方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法
。

技术介绍

[0002]如图1所示，是现有
NORD
闪存的存储单元
101
的电路结构示意图；如图2所示，是现有
NORD
闪存的存储单元
101
的剖面结构示意图；现有
NORD
闪存如闪存包括多个存储单元
101
，由多个所述存储单元
101
排列形成存储器的阵列结构
。
[0003]各所述存储单元
101
都采用分离栅浮栅器件
。
[0004]如图2所示，所述分离栅浮栅器件包括：对称的第一源漏区
205a
和第二源漏区
206
，位于所述第一源漏区
205a
和所述第二源漏区
205b
之间的多个分离的具有浮栅
104<br/>的第一栅极结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一
、
在
NORD
闪存的裸晶中选取2个以上的扇区作为选定扇区；步骤二
、
进行翻转点的第一次校正，包括：步骤
21、
将
NORD
闪存中字线测试读取电压设置为字线读取电压加上第一偏移电压；步骤
22、
将所述翻转点设置为第一值；步骤
23、
进行读
‘0’
测试；如果所述读
‘0’
测试成功，则结束步骤二，将所述第一值作为读
‘0’
操作的所述翻转点；步骤三
、
进行翻转点的第二次校正，包括：步骤
31、
将
NORD
闪存中控制栅测试读取电压设置为控制栅读取电压减去第二偏移电压；步骤
32、
将翻转点设置为第二值，所述第二值大于所述第一值；步骤
33、
进行读
‘1’
测试；如果所述读
‘1’
测试成功，则结束步骤三，将所述第二值作为读
‘1’
操作的所述翻转点
。2.
如权利要求1所述的提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法，其特征在于：步骤
23
中，如果所述读
‘0’
测试失败，将所述第一值增加第一增加值且保证所述第一值小于等于所述第二值，之后再重复进行二
。3.
如权利要求2所述的提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法，其特征在于：步骤二中，如果所述第一值增加到所述第二值之后，所述读
‘0’
测试还是失败，则保持所述第一值不变并结束步骤二或者认为所述裸晶为故障裸晶
。4.
如权利要求2所述的提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法，其特征在于：步骤
33
中，如果所述读
‘1’
测试失败，将所述第二值减去第二减小值且保证所述第二值大于等于所述第一值，之后再重复进行三
。5.
如权利要求4所述的提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法，其特征在于：步骤三中，如果所述第二值减小到所述第一值之后，所述读
‘1’
测试还是失败，则保持所述第二值不变并结束步骤三或者认为所述裸晶为故障裸晶
。6.
如权利要求1所述的提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法，其特征在于：所述
NORD
闪存的存储单元都采用分离栅浮栅器件；所述分离栅浮栅器件包括：对称设置的第一源漏区和第二源漏区，位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间的多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅顶部的控制栅；每一个所述浮栅作为一个存储位
。7.
如权利要求6所述的提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法，其特征在于：所述分离栅浮栅器件为双分离栅浮栅器件，所述第一栅极结构的数量为两个
。8.
如权利要求7所述的提高
NORD
闪存电学窗口的测试方法，其特征在于：所述分离栅浮栅器件为
N

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：