一种修复碳化硅衬底的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种修复碳化硅衬底的装置和方法，装置包括气体加热器和反应室；反应室包括壳体，壳体内设有输送区和修复区；输送区设有液硅容器

【技术实现步骤摘要】
一种修复碳化硅衬底的装置和方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅材料
，具体涉及一种修复碳化硅衬底用的装置和方法
。

技术介绍

[0002]碳化硅衬底是目前制约
SiC
器件成本的最重要的因素，占据了总成本的一半以上，
SiC
衬底成本居高不下的主要原因有：衬底制造良率偏低
。
衬底制作中产生了大量的不合格衬底，有翘曲度（
warp
）
、
弯曲度（
bow
）超标，划伤超标，表面粗糙度超标等，导致了大量的不合格片，因此，在不影响使用效果的前提下，将这些衬底充分利用，提高衬底的使用效率，是降低衬底的成本是努力的方向之一
。
[0003]碳化硅材料在器件加工过程中，比如说
MOS
器件制作
Trench
时，离子注入后等都或多或少对材料的表面产生大量的缺陷，修复这些缺陷，提高器件的良率也是大家所期盼的
。
[0004]对于衬底划伤
、Warp、bow
等超标，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种修复碳化硅衬底的装置，其特征在于：包括气体加热器和反应室；所述反应室包括壳体，所述壳体内设有输送区和修复区；所述输送区设有液硅容器
、
熔融硅液加热器
、
气体输出管道和硅蒸汽输送管道，所述熔融硅液加热器设置在液硅容器的外周；所述气体输出管道的一端连接液硅容器的上部，另一端则连接所述硅蒸汽输送管道的进口端；所述硅蒸汽输送管道的出口端连通修复区；所述气体加热器通过气体输入管道连接液硅容器，所述气体输入管道的一端与气体加热器的输出口连接，另一端则连接至液硅容器的内腔底部；所述修复区设有气体导流装置和载台，所述气体导流装置设置在硅蒸汽输送管道的出口端并置于所述载台的正上方
。2.
根据权利要求1所述的一种修复碳化硅衬底的装置，其特征在于：所述硅蒸汽输送管道的外周设有用于加热硅蒸汽的硅蒸汽加热器；所述修复区设有用于维持反应温度的反应加热器
。3.
根据权利要求1所述的一种修复碳化硅衬底的装置，其特征在于：所述硅蒸汽输送管道为
Ta/TaC
或
C/TaC
或钨
/
碳化钨材质的管道；所述液硅容器为
C/TaC
或
C/SiC
或
C
材质的容器
。4.
根据权利要求1所述的一种修复碳化硅衬底的装置，其特征在于：所述壳体与输送区和修复区之间的空隙填充有耐高温保温材料
。5.
根据权利要求1所述的一种修复碳化硅衬底的装置，其特征在于：所述壳体包括内胆和外胆，所述内胆和外胆之间形成冷却水流道
。6.
根据权利要求1所述的一种修复碳化硅衬底的装置，其特征在于：所述壳体内还设有隔热桶，所述输送区和修复区置于隔热通内；所述隔热桶为
C/SiC
材质的桶
。7.
一种修复碳化硅衬底的方法，其特征在于，通过如权利要求1‑6任一项所述的修复碳化硅衬底的装置实...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕立平，
申请(专利权)人：希科半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：