助焊剂以及焊膏制造技术

一种助焊剂，其为包含基体树脂

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】助焊剂以及焊膏


[0001]本专利技术涉及助焊剂以及焊膏
。

技术介绍

[0002]近年来，由于信息设备的小型化，搭载于信息设备的电子部件也进行迅速的小型化以及薄型化
。
根据薄型化的要求，为了对应连接端子的狭小化
、
安装面积的缩小化，电子部件使用在背面设置有电极的球栅阵列
(Ball Grid Array
，
BGA)(
例如，专利文献
1)。
[0003]作为应用了
BGA
的电子部件，例如，存在半导体封装
。
在半导体封装中，具有电极的半导体芯片用树脂密封，在半导体封装的电极上形成有焊料凸块
。
通过将焊球与半导体封装的电极接合来形成该焊料凸块
。
[0004]对于应用了
BGA
的半导体封装，在涂布有焊膏的基板的电极上将各焊料凸块对准而载置，通过加热将焊膏熔融从而电极与焊料凸块接合，搭载在基板上
。
[0005]此处使用的焊膏是包含焊料粉末
、
助焊剂的组合物
。
在回流焊炉中加热涂布于基板的电极的焊膏时，焊料粒子在熔点以上熔融，并且该焊料粒子的表面的氧化膜通过助焊剂的作用而被去除
。
由此，焊料粒子一体化，完成焊料凸块与电极的接合
。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开
2008
‑<br/>71779
号公报
。

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]在应用了
BGA
的半导体封装中，近年来要求薄型化，半导体封装的薄型化正在进行
。
如此地，通过进行半导体芯片的薄型化，使得由于回流焊时的加热，以往可以忽略的在比助焊剂的主要活性温度区域更低的低温区域半导体封装发生的翘曲变大，成为焊接的新问题
。
[0011]在焊接工序中，如图1所示，在半导体封装1的电极
(
未图示
)
上形成焊料凸块
2。
另外，在设置于基板3的基板电极4上涂布有焊膏
5A。
在涂布有该焊膏
5A
的基板电极4上载置半导体封装1的焊料凸块
2。
在图
1(a)
所示的回流焊之前的工序中，焊料凸块2与涂布于基板电极4的焊膏
5A
处于接触的状态
。
通过随后的回流焊工序，首先在低温区域加热半导体封装1，此处，加热导致半导体封装1整体发生翘曲
。
其中，在部件端部处翘曲较大，因此，产生焊膏
5A
的大部分残留在基板电极4上并且附着有一部分焊膏
5A
的状态的焊料凸块2从基板电极4剥离的现象
(
图
1(b))。
由此，在焊料凸块2与涂布于基板电极4的焊膏
5A
之间产生间隙
(clearance)(
空隙
)。
[0012]如此地，由于焊料凸块2从基板电极4剥离，使得主加热时熔融中的焊膏
5A
和基板电极4没有对于焊料接合充分的接触面积或时间
、
或者不能接触，从而基板电极4的表面的金属氧化膜与助焊剂中的活性剂成分不能进行充分的反应，不能去除基板电极4的表面的
金属氧化膜
。
由此，焊料凸块与电极不会充分接合，产生接合不良
。
另外，在焊料凸块2与基板电极4分离的状态下结束焊接工序，从而焊料凸块2与基板电极4不会充分接合，产生接合不良
。
[0013]本专利技术是鉴于这样的课题而完成的，其目的在于提供焊膏用助焊剂以及焊膏，能够抑制特别是因在比助焊剂的主要活性温度区域更低的低温区域发生的部件的翘曲而导致的焊料凸块从基板电极剥离
。
[0014]用于解决问题的手段
[0015]本专利技术人发现，通过使用具有特定结构的焊料接合不良抑制剂，能获得即使施加由基板的翘曲等引起的应力也能够抑制从接合对象物剥离的焊膏，从而完成了本专利技术
。
[0016]根据本专利技术，提供一种助焊剂，其为包含基体树脂
、
活性剂
、
触变剂
、
溶剂以及焊料接合不良抑制剂的助焊剂，
[0017]所述焊料接合不良抑制剂为包含由式
(1)
表示的结构单元以及由式
(2)
表示的结构单元的共聚体，
[0018]所述共聚体的重均分子量为
1000
以上且
100000
以下，
[0019]相对于所述助焊剂整体，所述焊料接合不良抑制剂为1质量％以上且
25
质量％以下的量
。
[0020][0021]式
(1)
中，
R1为碳数1～
24
的饱和或不饱和的直链状
、
支链状或环状的烷基
、
或者取代或非取代的芳基，
[0022][0023]式
(2)
中，
R2为由式
(2
‑
1)
表示的基团，
[0024][0025]式
(2
‑
1)
中，
n
为1～
20
的整数，
R
21
为氢原子或碳数1～6的烷基，
R
22
为碳数1～6的直链
、
支链或环式的亚烷基
。
[0026]根据本专利技术，提供一种助焊剂，其为包含基体树脂
、
活性剂
、
触变剂
、
溶剂
、
聚氧化烯单烷基醚以及焊料接合不良抑制剂的助焊剂，
[0027]所述焊料接合不良抑制剂为包含由式
(1)
表示的结构单元以及由式
(2)
表示的结构单元的共聚体，
[0028]所述共聚体的重均分子量为
1000
以上且
100000
以下，
[0029]相对于该助焊剂整体，所述焊料接合不良抑制剂为1质量％以上且
25
质量％以下的量
。
[0030][0031]式
(1)
中，
R1为碳数1～
24
的饱和或不饱和的直链状
、
支链状或环状的烷基
、
或者取代或非取代的芳基，
[0032][0033]式
(2)
中，
R2为由式
(2
‑
1)
表示的基团，
[0034][0035]式<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种助焊剂，其为包含基体树脂
、
活性剂
、
触变剂
、
溶剂以及焊料接合不良抑制剂的助焊剂，其中，所述焊料接合不良抑制剂为包含由式
(1)
表示的结构单元以及由式
(2)
表示的结构单元的共聚体，所述共聚体的重均分子量为
1000
以上且
100000
以下，相对于所述助焊剂整体，所述焊料接合不良抑制剂为1质量％以上且
25
质量％以下的量，式
(1)
中，
R1为碳数1～
24
的饱和或不饱和的直链状
、
支链状或环状的烷基
、
或者取代或非取代的芳基，式
(2)
中，
R2为由式
(2
‑
1)
表示的基团，式
(2
‑
1)
中，
n
为1～
30
的整数，
R
21
为氢原子或碳数1～6的烷基，
R
22
为碳数1～6的直链
、
支链或环式的亚烷基
。2.
一种助焊剂，其为包含基体树脂
、
活性剂
、
触变剂
、
溶剂
、
聚氧化烯单烷基醚以及焊料接合不良抑制剂的助焊剂，其中，所述焊料接合不良抑制剂为包含由式
(1)
表示的结构单元以及由式
(2)
表示...

【专利技术属性】
技术研发人员：永井智子，高木和顺，浅见爱，
申请(专利权)人：千住金属工业株式会社，
类型：发明
国别省市：