高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线制造技术

本实用新型专利技术涉及引线框架蚀刻技术领域，尤其涉及高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线，包括烘干机构、清洗机构以及蚀刻机构，烘干机构包括烘干室，烘干室设置有烘干通道以及烘干进出口；清洗机构包括冲洗室，冲洗室设置有进出口以及冲洗通道；清洗机构连接有将废水进行固液分离的退膜缸机构，蚀刻机构包括蚀刻箱，蚀刻箱设置有通过口以及蚀刻通道；烘干机构的烘干室、清洗机构的清洗箱、蚀刻机构的蚀刻箱相互对齐；其中烘干进出口、清洗进出口以及通过口同轴对齐且接驳，烘干通道与冲洗通道以及蚀刻通道相互接驳形成长条的输送线，使得引线框架能够无缝地从烘干室进入到清洗箱再从清洗箱无缝地进入到蚀刻箱内，减少了引线框架外露的情况。引线框架外露的情况。引线框架外露的情况。

【技术实现步骤摘要】
高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线


[0001]本技术涉及引线框架蚀刻
，尤其涉及高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线。

技术介绍

[0002]集成电路是各类电子产品的核心，主要由半导体芯片和引线框架等封装而成，其中引线框架主要起芯片和外面的连接作用，是集成电路制造的关键构件。随着电子信息产品向小型化、薄型化、轻量化、多功能化及智能化方向的发展，集成电路向大规模集成电路和超大规模集成电路方向发展，其铜基引线框架随之向高精密化、引线间距微细化、多脚化的方向发展。
[0003]蚀刻法是一种无应力的加工手段，首先通过一种感光抗蚀剂将工件部分保护起来，再用一种强氧化剂将其他部分蚀刻掉，最后得到需要的元件。蚀刻型引线框架与传统的冲压引线框架不同，是利用光刻腐蚀的方法来制作引线框架的。与印制电路板的腐蚀加工类似，其基本原理是：利用化学感光材料的光敏特性，在金属基片上形成抗蚀图形掩膜，通过腐蚀剂腐蚀部分金属，得到所需产品。采用蚀刻方式，可很好实现高密度和多脚引线框架的生产，已成为高精密引线框架制造的主流。
[0004]需要蚀刻的引线框架依次经过烘干箱、清洗箱和蚀刻箱，现有的烘干箱、清洗箱和蚀刻箱大部分都是单独设置，引线框架需要在空气外露一段时间才能继续进入到下一工艺箱，而外露时受外界的温度影响以及容易粘连粉尘颗粒，会影响到后续的蚀刻质量。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于针对现有技术的不足提供高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线。
[0006]为实现上述目的，本技术的技术方案如下：
[0007]高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线，包括烘干机构、清洗机构以及蚀刻机构，
[0008]所述烘干机构包括烘干室，烘干室设置有对引线框架递进输送的烘干通道以及供引线框架通过的烘干进出口，烘干通道沿途设置有对引线框架进行干燥的烘干组件；
[0009]所述清洗机构包括冲洗室，冲洗室设置有供引线框架通过的清洗进出口以及对引线框架前进输送的冲洗通道，冲洗通道沿途布置有对引线框架进行冲洗的冲洗组件；
[0010]所述蚀刻机构包括蚀刻箱，蚀刻箱设置有供引线框架进出的通过口以及对引线框架前进输送的蚀刻通道，蚀刻通道沿途布置有对经过引线框架喷射液体的蚀刻组件；
[0011]所述烘干室、清洗箱、蚀刻箱均沿着引线框架的前进方向对齐；其中烘干室的烘干进出口、清洗箱的清洗进出口以及蚀刻箱的通过口同轴对齐相连接，烘干通道、冲洗通道以及蚀刻通道相互接驳形成长输送线。
[0012]本技术的有益效果：烘干机构的烘干室、清洗机构的清洗箱、蚀刻机构的蚀刻
箱沿着引线框架的前进方向对齐；其中烘干室的烘干进出口、清洗箱的清洗进出口以及蚀刻箱的通过口同轴对齐且相连接，烘干通道与冲洗通道以及蚀刻通道相互接驳，形成长条的输送线，使得引线框架能够无缝地从烘干室进入到清洗箱再从清洗箱无缝地进入到蚀刻箱内，减少了引线框架外露的情况。
附图说明
[0013]图1为蚀刻生产线的结构示意图。
[0014]图2为烘干机构的结构示意图。
[0015]图3为烘干组件和输送通道的结构示意图。
[0016]图4为烘干组件和输送通道的另一视角结构示意图。
[0017]图5为烘干组件和输送通道相连接的结构示意图。
[0018]图6为清洗机构的结构示意图。
[0019]图7为冲洗室的内部结构示意图。
[0020]图8为冲洗通道与冲洗组件相配合的结构示意图。
[0021]图9为视窗口的结构示意图。
[0022]图10为冲洗通道局部放大结构示意图。
[0023]图11为退膜缸机构的结构示意图。
[0024]图12为其中一个退膜缸组件的结构示意图。
[0025]图13为滚筒的另一视角结构示意图。
[0026]图14为蚀刻喷射机构的结构示意图。
[0027]图15为蚀刻通道与蚀刻组件配合的结构示意图。
[0028]图16为蚀刻组件的结构示意图。
[0029]图17为蚀刻通道的局部放大结构示意图。
[0030]图18为移动驱动件与支撑架相连接的结构示意图。
[0031]附图标记包括：
[0032]1‑
烘干机构、
[0033]11
‑
烘干室、
[0034]111
‑
烘干进出口、112
‑
烘干通道、113
‑
烘干输送板、114
‑
烘干输送辊、
[0035]12
‑
烘干组件、
[0036]120
‑
烘干箱、121
‑
接通管、122
‑
出风口、123
‑
侧支撑条、124
‑
连接块、
[0037]125
‑
转动轴、126
‑
嵌合槽、127
‑
顶部压合块、128
‑
半圆槽、129
‑
松紧螺杆、13
‑
安装件、
[0038]131
‑
第一调节杆、132
‑
第二调节杆、133
‑
调节柱、134
‑
调节座、
[0039]135
‑
第一调节孔、136
‑
第二调节孔、
[0040]2‑
清洗机构、
[0041]21
‑
冲洗室、
[0042]210
‑
冲洗通道、211
‑
清洗进出口、212
‑
清洗输送板、213
‑
清洗输送辊、
[0043]214
‑
清洗胶辊、215
‑
隔板、216
‑
挡板、217
‑
通过槽、
[0044]22
‑
安装结构、
[0045]221
‑
第一安装槽、222
‑
第二安装槽、223
‑
滚动轴承、224
‑
直齿轮、
[0046]225
‑
传动轴、226
‑
第一锥齿轮、227
‑
第二锥齿轮、228
‑
轴承座、
[0047]23
‑
冲洗组件、
[0048]231
‑
冲洗板、232
‑
冲洗管、233
‑
高压喷头、
[0049]24
‑
视窗口、
[0050]241
‑
第一内槽、242
‑
第二内槽、243
‑
内盖板、244...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线，包括烘干机构、清洗机构以及蚀刻机构，其特征在于：所述烘干机构包括烘干室，烘干室设置有对引线框架递进输送的烘干通道以及供引线框架通过的烘干进出口，烘干通道沿途设置有对引线框架进行干燥的烘干组件；所述清洗机构包括冲洗室，冲洗室设置有供引线框架通过的清洗进出口以及对引线框架前进输送的冲洗通道，冲洗通道沿途布置有对引线框架进行冲洗的冲洗组件；所述蚀刻机构包括蚀刻箱，蚀刻箱设置有供引线框架进出的通过口以及对引线框架前进输送的蚀刻通道，蚀刻通道沿途布置有对经过引线框架喷射液体的蚀刻组件；所述烘干室、清洗箱、蚀刻箱均沿着引线框架的前进方向对齐；其中烘干室的烘干进出口、清洗箱的清洗进出口以及蚀刻箱的通过口同轴对齐相连接，烘干通道、冲洗通道以及蚀刻通道相互接驳形成长输送线。2.根据权利要求1所述的高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线，其特征在于：所述烘干组件包括多个沿烘干通道长度方向间隔布置的烘干箱，烘干箱成型有朝向于引线框架的出风口，烘干通道沿其长度方向布置有安装件，烘干箱安装有与安装件转动连接的转动调节件。3.根据权利要求1所述的高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线，其特征在于：所述冲洗通道包括布置于引线框架前进方向两侧的清洗输送板，清洗输送板沿其长度方向间隔地设置有安装结构，安装结构可拆卸地布置有清洗输送辊，至少一个以上的安装结构安装有两个对引线框架进行辊压输送的清洗输送辊。4.根据权利要求3所述的高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线，其特征在于：所述安装结构包括成型在清洗输送板的第一安装槽和第二安装槽，其中清洗输送辊一端与第一安装槽相适配，第二安装槽安装有用于安装清洗输送辊的滚动轴承；第一安装槽和第二安装槽同轴连通并形成阶梯槽结构。5.根据权利要求4所述的高密度集成电路引线框架加工设备的蚀刻工艺线，其特征在于：所述清洗输送辊嵌套有由塑料材质加工成型的胶辊，滚动轴承为PE材质加工成型的轴承；清洗输送辊一端安装有由塑料材质加工成型的直齿轮，两个安装在同一安装结构的清洗输送辊通过直齿轮传动配合；清洗输送辊一端安装有由塑...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏骞，孟敏，林郁贤，
申请(专利权)人：东莞奥美特科技有限公司，
类型：新型
国别省市：