微型发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种微型发光二极管及其制作方法，该微型发光二极管包括：衬底；缓冲层，形成在衬底上；n型层，形成在缓冲层上；有源层，有源层在n型层上形成第二台面；p型层，p型层在有源层上形成第一台面；n型电极和p型电极，n型电极形成在n型层上，p型电极形成在p型层上；绝缘层，形成在n型层、有源层和p型层上，n型电极和p型电极上开设有电极窗口；其中，第一台面的宽度小于第二台面的宽度，以调控有源层内的载流子的输运路径，使载流子远离有源层的侧壁。本发明专利技术提供的微型发光二极管能够有效抑制刻蚀损伤带来的辐射复合效率下降，进而可以提高器件的辐射复合效率。器件的辐射复合效率。器件的辐射复合效率。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管及其制作方法


[0001]本专利技术的至少一种实施例涉及一种发光二极管，尤其涉及一种抑制刻蚀损伤的微型发光二极管及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺和微细加工技术的成熟，发光二极管的尺寸由毫米量级逐渐减小为微米量级。尺寸为微米量级的微型发光二极管功耗低、亮度高、响应速度快、稳定性强、寿命长，在全彩化显示和可见光通信领域有广泛应用。
[0003]一般来说，小尺寸的发光二极管有以下优势：一是有助于释放应变，提高发光效率；二是可以使电流扩散更均匀，从而降低开启电压和正向工作电压、降低结温；三是可以增加侧壁出光，提高光提取效率。但是随着发光二极管芯片尺寸的减小，即微型发光二极管(Micro LED)的台面面积与侧壁面积的比值相对大尺寸发光二极管较低，造成器件侧壁存在更多的表面态。此外，通过刻蚀方法处理器件时，还会引入侧壁缺陷。这些表面态和侧壁缺陷等表面缺陷会成为非辐射复合中心，使电子和空穴被俘获以进行SRH非辐射复合，降低辐射复合几率，还会形成漏电流通道，从而影响Micro LED的性能。/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管，所述微型发光二极管的尺寸在十微米至百微米级之间，其特征在于，包括：衬底(1)；缓冲层(2)，形成在所述衬底(1)上；n型层(3)，形成在所述缓冲层(2)上；有源层(4)，所述有源层(4)在所述n型层(3)上形成第二台面；p型层(5)，所述p型层(5)在所述有源层(4)上形成第一台面；n型电极(6)和p型电极(7)，所述n型电极(6)形成在所述n型层(3)上，所述p型电极(7)形成在所述p型层(5)上；绝缘层(8)，形成在所述n型层(3)、所述有源层(4)和所述p型层(5)上，所述n型电极(6)和所述p型电极(7)上开设有电极窗口；其中，所述第一台面的宽度小于所述第二台面的宽度，以调控所述有源层(4)内的载流子的输运路径，使得载流子远离所述有源层(4)的侧壁。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，在平行于所述衬底的方向上所述第一台面的侧壁与所述第二台面的侧壁距离3μm～5μm。3.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述缓冲层(2)的材料为GaN、AlN、AlGaN中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述n型层(3)为n型掺杂的GaN、InGaN、AlGaN中的一种或多种；所述n型层(3)的掺杂元素为Si，掺杂浓度为10
16
cm
‑3～10
22
cm
‑3。5.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述p型层(5)为p型掺杂的GaN、InGaN、AlGaN中的一种或多种；所述p型层(5)的掺杂元素为Mg，掺杂浓度为10<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张韵，杨杰，刘喆，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：