发光芯片、显示器件及制备方法技术

本申请提供一种发光芯片、显示器件及制备方法，涉及发光技术领域。发光芯片，包括发光矩阵和第一半导体层，所述发光矩阵包括多个发光单元，所述第一半导体层设置于所述发光单元的出光侧，所述第一半导体层上设有多个凹陷部，所述第一半导体层设有所述凹陷部的一侧为所述发光芯片的出光侧，多个所述凹陷部与多个所述发光单元对位设置。本申请提供的发光芯片，可改善远距离显示时不清晰的现象。可改善远距离显示时不清晰的现象。可改善远距离显示时不清晰的现象。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片、显示器件及制备方法


[0001]本申请涉及发光
，尤其涉及一种发光芯片、显示器件及制备方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(Micro
‑
Light Emitting Diode，微米发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。
[0003]在相关技术中，发光芯片存在图像显示不清晰的现象。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种发光芯片、显示器件及制备方法。
[0005]为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种发光芯片，包括：
[0007]发光矩阵，所述发光矩阵包括多个发光单元；
[0008]第一半导体层，所述第一半导体层设置于所述发光单元的出光侧，所述第一半导体层上设有多个凹陷部，所述第一半导体层设有所述凹陷部的一侧为所述发光芯片的出光侧，多个所述凹陷部与多个所述发光单元对位设置。
[0009]在第一方面的其中一个实施例中，所述发光芯片还包括多个调色层，每一个所述调色层均对应设置于一个所述凹陷部内。
[0010]在第一方面的其中一个实施例中，多个所述调色层组成一组调色单元，每组调色单元内，不同调色层将所述发光单元发射的光线转换为对应的基色光线。
[0011]在第一方面的其中一个实施例中，每组所述调色单元包括三种所述调色层，三种所述调色层分别将所述发光单元发射的光线转换为红色基色光线、绿色基色光线和蓝色基色光线；
[0012]所述发光单元的发射光线为蓝光，每组所述调色单元中的两种所述调色层内分别填充有红色量子点材料和绿色量子点材料；
[0013]或所述发光单元的发射光线为紫光，每组所述调色单元中的三种所述调色层内分别填充有红色量子点材料、绿色量子点材料、蓝色量子点材料。
[0014]在第一方面的其中一个实施例中，所述凹陷部为轴对称结构。
[0015]在第一方面的其中一个实施例中，所述凹陷部的结构至少包括以下之一：弧形凹陷、多边形凹陷。
[0016]在第一方面的其中一个实施例中，所述发光单元包括依次层叠设置的第二半导体层、发光层、第三半导体层、电流扩展层、金属电极、钝化层和键合层；
[0017]所述第二半导体层设置于所述第一半导体层背离所述凹陷部的一侧，所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧设置有多个间隔设置的凸台，所述发光层、所述第三半导体层、所述电流扩展层和所述金属电极依次层叠设置于所述第二半导体层的凸台端
面，所述钝化层分别附着于所述第二半导体层、所述发光层、所述第三半导体层、所述电流扩展层和所述金属电极的表面，所述键合层穿设于所述钝化层且与所述金属电极连接；
[0018]所述发光芯片还包括多个调色层，每一个所述调色层均对应设置于一个所述凹陷部内；
[0019]直线分布的多个所述调色层组成一组调色单元，每组调色单元内，不同调色层将所述发光单元发射的光线转换为不同的基色光线；
[0020]每组所述调色单元包括三个所述调色层，三个所述调色层分别将所述发光单元发射的光线转换为红色基色光线、绿色基色光线和蓝色基色光线；
[0021]所述发光单元的发射光线为蓝光，每组所述调色单元中的两个所述调色层内分别填充有红色量子点材料和绿色量子点材料，另一个所述调色层内无填充量子点材料。
[0022]第二方面，本申请实施例还提供了一种显示器件，包括：
[0023]上述任一实施例中所述的发光芯片；
[0024]驱动芯片，所述驱动芯片与所述发光芯片的一非出光侧电连接。
[0025]第三方面，本申请实施例还提供了一种发光芯片的制备方法，包括：
[0026]获取第一半导体层被暴露的发光芯片初始框架；
[0027]对所述第一半导体层进行刻蚀，生成凹陷部；
[0028]在所述凹陷部内填充量子点材料，生成调色层。
[0029]在第四方面的其中一个实施例中，所述对所述第一半导体层进行刻蚀，生成凹陷部包括：
[0030]在所述第一半导体层上沉积掩膜，刻蚀得到所述凹陷部。
[0031]本申请提出了一种发光芯片、显示器件及制备方法。相对于相关技术，本申请通过在发光芯片的第一半导体层上开设凹陷部，并在凹陷部内设置调色层。在工作过程中，光线经调色层与第一半导体层的临界面折射，光线以相互平行的方式保持直线射出，将发散的光线进行准直，具有良好的聚光效果，提高发光芯片的光线利用率，进而能够提升图像显示的清晰度和显示效果。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0033]图1示出了本申请一些实施例中显示器件的光路结构示意图；
[0034]图2示出了本申请一些实施例中外延层的结构示意图；
[0035]图3示出了本申请一些实施例中像素结构的结构示意图；
[0036]图4示出了本申请一些实施例中电流扩展层的结构示意图；
[0037]图5示出了本申请一些实施例中金属电极的结构示意图；
[0038]图6示出了本申请一些实施例中钝化层的结构示意图；
[0039]图7示出了本申请一些实施例中键合层的结构示意图；
[0040]图8示出了本申请一些实施例中发光芯片初始框架的结构示意图；
[0041]图9示出了本申请一个实施例中凹陷部的结构示意图；
[0042]图10示出了本申请另一个实施例中凹陷部的结构示意图；
[0043]图11示出了本申请又一个实施例中凹陷部的结构示意图；
[0044]图12示出了本申请一些实施例中发光芯片的结构示意图；
[0045]图13示出了本申请一些实施例中显示器件的结构示意图；
[0046]图14示出了本申请一些实施例中发光芯片的制备方法流程图；
[0047]图15示出了本申请一些实施例中发光芯片初始框架的制备方法流程图。
[0048]主要元件符号说明：
[0049]100
‑
发光芯片；110
‑
第一半导体层；111
‑
凹陷部；120
‑
第二半导体层；130
‑
发光层；140
‑
第三半导体层；150
‑
电流扩展层；160
‑
金属电极；170
‑
键合层；180
‑
钝化层；190
‑
调色层；1100
‑
衬底；
[0050]200
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，其特征在于，包括：发光矩阵，所述发光矩阵包括多个发光单元；第一半导体层，所述第一半导体层设置于所述发光单元的出光侧，所述第一半导体层上设有多个凹陷部，所述第一半导体层设有所述凹陷部的一侧为所述发光芯片的出光侧，多个所述凹陷部与多个所述发光单元对位设置。2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括多个调色层，每一个所述调色层均对应设置于一个所述凹陷部内。3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，多个所述调色层组成一组调色单元，每组调色单元内，不同调色层将所述发光单元发射的光线转换为对应的基色光线
。
4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，每组所述调色单元包括三种所述调色层，三种所述调色层分别将所述发光单元发射的光线转换为红色基色光线、绿色基色光线和蓝色基色光线；所述发光单元的发射光线为蓝光，每组所述调色单元中的两种所述调色层内分别填充有红色量子点材料和绿色量子点材料；或所述发光单元的发射光线为紫光，每组所述调色单元中的三种所述调色层内分别填充有红色量子点材料、绿色量子点材料、蓝色量子点材料。5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述凹陷部为轴对称结构。6.根据权利要求1至4中任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述凹陷部的结构至少包括以下之一：弧形凹陷、多边形凹陷。7.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光单元包括依次层叠设置的第二半导体层、发光层、第三半导体层、电流扩展层、金属电极、钝化层和键合...

【专利技术属性】
技术研发人员：张珂，纪洁洁，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：