【技术实现步骤摘要】
扇出型封装结构、封装产品和扇出型封装方法
[0001]本专利技术涉及半导体封装
,具体而言,涉及一种扇出型封装结构、封装产品和扇出型封装方法。
技术介绍
[0002]随着半导体行业的快速发展,扇出型晶圆级封装(Fan
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out wafer level package,简写为FOWLP)的封装结构广泛应用于半导体行业中。但现有电子产品需求越来越薄,要求其封装材料的厚度也越来越薄。由于封装过程中的各种材料的热膨胀系数不配备,容易导致翘曲问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的包括,例如,提供了一种扇出型封装结构、封装产品和扇出型封装方法,其能够改善封装过程中的结构翘曲问题,提高封装质量。
[0004]本专利技术的实施例可以这样实现:第一方面,本专利技术提供一种扇出型封装结构,包括:具有焊盘的电子元件;塑封体,所述塑封体包覆所述电子元件;布线层,所述布线层和所述焊盘电连接;介质层,所述介质层覆盖所述布线层;玻璃层,所述玻璃层设于所述介质层靠近和/或远离所述塑封体的一侧,和/或,所述玻璃层设于相邻所述介质层之间。
[0005]在可选的实施方式中,所述玻璃层设有第一凹槽,所述第一凹槽内填充有缓冲层。
[0006]在可选的实施方式中,所述玻璃层上的所述第一凹槽靠近所述塑封体的边缘设置。
[0007]在可选的实施方式中,所述介质层和所述玻璃层两者中,位于封装结构的上表面层的一个设有表面焊盘,所述表面焊盘和所述布线层电连接。
[0008]在可选 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构,其特征在于,包括:具有焊盘的电子元件;塑封体,所述塑封体包覆所述电子元件;布线层,所述布线层和所述焊盘电连接;介质层,所述介质层覆盖所述布线层;玻璃层,所述玻璃层设于所述介质层靠近和/或远离所述塑封体的一侧,和/或,所述玻璃层设于相邻所述介质层之间。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述玻璃层设有第一凹槽,所述第一凹槽内填充有缓冲层。3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述玻璃层上的所述第一凹槽靠近所述塑封体的边缘设置。4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述介质层和所述玻璃层两者中,位于封装结构的上表面层的一个设有表面焊盘,所述表面焊盘和所述布线层电连接。5.根据权利要求2所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述玻璃层设于所述介质层靠近所述塑封体的一侧,所述玻璃层设有第二凹槽,所述第二凹槽内设有第一金属柱,所述第一金属柱与所述焊盘电连接。6.根据权利要求5所述的扇出型封装结构,其特征在于,还包括第二金属柱和第三金属柱;所述介质层包括依次堆叠设置的第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层,所述布线层包括第一布线层和第二布线层;所述第二金属柱的一端与所述第一布线层电连接,另一端和所述第二布线层电连接;所述玻璃层位于所述第一介质层和所述塑封体之间,所述第一布线层位于所述第一介质层内,所述第二金属柱位于所述第二介质层内,所述第二布线层位于所述第三介质层内,所述第三金属柱位于所述第四介质层内,所述第四介质层远离所述第三介质层的一侧设有表面焊盘;所述第三金属柱分别连接所述第二布线层和所述表面焊盘。7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述玻璃层包括第一玻璃层和第二玻璃层,所述第一玻璃层位于所述第一介质层和所述塑封体之间,所述第二玻璃层用于替代所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层和所述第四介质层中的至少一个。8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第二布线层和所述第三金属柱设于所述第二玻璃层内;所述第二玻璃层上开设有第三凹槽,用于填充粘接胶。9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述粘接胶的厚度低于所述第三凹槽的深度。10.根据权利要求8所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第三凹槽的位置与所述第一凹槽的位置对应设置。11.根据权利要求10所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第三凹槽的宽度不大于所述第一凹槽的宽度。12.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,还包括天线层,所述焊盘包括第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘和所述布线层电连接,所述第二焊盘和所述天线层电连接;所述天线层设于所述介质层内或所述玻璃层内。
13.根据权利要求12所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述玻璃层覆盖所述第二焊盘,所述介质层覆盖所述第一焊盘;所述天线层设于所述玻璃层内,所述布线...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐玉鹏,
申请(专利权)人:甬矽电子宁波股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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